2022 tsmc oip 文章進(jìn)入2022 tsmc oip技術(shù)社區

TSMC 10月?tīng)I收報表

　　TSMC 10日公布2010年10月?tīng)I收報告，就非合并財務(wù)報表方面，營(yíng)收約為新臺幣373億7,300萬(wàn)元，較今年9月增加了2%，較去年同期則增加了28.1%。累計2010年1至10月?tīng)I收約為新臺幣3,374億9,000萬(wàn)元，較去年同期增加了49.4%。　　
關(guān)鍵字： TSMC 集成電路

AMD將HD 6000芯片代工將全部交予TSMC

　　AMD已經(jīng)和TSMC簽訂了新版HD6000系列芯片的代工合同，TSMC有可能在今年的第四季度代工生產(chǎn)AMD的新版HD6000全系列芯片。AMD已經(jīng)和TSMC在剛剛發(fā)布的HD6850、HD6870的Barts芯片上有過(guò)合作，并且逐步將訂單量增大，此外TSMC預定生產(chǎn)AMD的OntarioAPU。　　
關(guān)鍵字： TSMC AMD 芯片

TSMC設立歐洲實(shí)踐創(chuàng )新獎

　　TSMC今 (20) 日宣布，設立年度TSMC歐洲實(shí)踐創(chuàng )新獎 (TSMC Europractice Innovation Award)，鼓勵歐洲大專(zhuān)院校所提出之最佳創(chuàng )新混合訊號或射頻電路設計。參賽者需將電路設計作品送交愛(ài)美科 (imec) 所統籌的歐洲IC 實(shí)踐中心 (Europractice IC service) 參與競賽。　　
關(guān)鍵字： TSMC 射頻電路

TSMC先進(jìn)薄膜太陽(yáng)能技術(shù)研發(fā)中心暨先期量產(chǎn)廠(chǎng)房于中國臺灣中部動(dòng)土興建

　　TSMC今(16)日假中國臺中科學(xué)工業(yè)園區舉行第一座先進(jìn)薄膜太陽(yáng)能技術(shù)研發(fā)中心暨先期量產(chǎn)廠(chǎng)房動(dòng)土典禮，為T(mén)SMC進(jìn)軍薄膜太陽(yáng)能市場(chǎng)奠定厚實(shí)基礎。　　TSMC董事長(cháng)兼總執行官張忠謀在典禮中表示，新事業(yè)團隊自去年成立以來(lái)已寫(xiě)下許多重要里程碑。其中LED照明技術(shù)研發(fā)中心暨量產(chǎn)廠(chǎng)房已落腳于臺灣新竹，第一座太陽(yáng)能廠(chǎng)房也準備在臺中動(dòng)土興建。LED照明和太陽(yáng)能這二項綠能新事業(yè)不僅能更增強TSMC長(cháng)期營(yíng)收與獲利的持續成長(cháng)，并將制造對地球友善的綠色能源產(chǎn)品，彰顯TSMC企業(yè)公民的社會(huì )責任。此外，這座太陽(yáng)能廠(chǎng)房與七月
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TSMC 2010年第二季每股盈余新臺幣1.55元第三季增長(cháng)勢頭繼續

　　TSMC 29日公布2010年第二季財務(wù)報告，合并營(yíng)收為新臺幣1,049.6億元，稅后純益為新臺幣402.8億元，每股盈余為新臺幣1.55元(換算成美國存托憑證每單位為0.24美元)。　　與2009年同期相較，2010年第二季營(yíng)收增加41.4%，稅后純益增加64.8%，每股盈余則增加了65%。與前一季相較，2010年第二季營(yíng)收增加了13.9%，稅后純益及每股盈余皆增加了19.7%。這些財務(wù)數字皆為合并財務(wù)報表數字，并依照中國臺灣一般公認會(huì )計準則所編制。　　2010年第二季毛利率為49.5%，營(yíng)
關(guān)鍵字： TSMC 40納米晶圓

TSMC2010年第二季每股盈余新臺幣1.55元

　　TSMC昨日公布2010年第二季財務(wù)報告，合并營(yíng)收為新臺幣1,049.6億元，稅后純益為新臺幣402.8億元，每股盈余為新臺幣1.55元(換算成美國存托憑證每單位為0.24美元)。　　與2009年同期相較，2010年第二季營(yíng)收增加41.4%，稅后純益增加64.8%，每股盈余則增加了65%。與前一季相較，2010年第二季營(yíng)收增加了13.9%，稅后純益及每股盈余皆增加了19.7%。這些財務(wù)數字皆為合并財務(wù)報表數字，并依照中國臺灣一般公認會(huì )計準則所編制。　　2010年第二季毛利率為49.5%，營(yíng)業(yè)利
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Imec在歐洲提供TSMC 40nm技術(shù)平臺服務(wù)

　　全球領(lǐng)先的納電子研究中心imec和全球領(lǐng)先的半導體代工廠(chǎng)商TSMC日前宣布拓展imec歐洲基于TSMC 40nm工藝的IC服務(wù)。通過(guò)緊密的合作，imec和TSMC將同時(shí)為歐洲公司和研究機構開(kāi)放Cybershuttle MPW平臺。
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半導體設備供貨額連續兩年減少臺灣地區市場(chǎng)排名第一

　　2009年全球半導體制造裝置的供貨額連續2年大幅減少。SEMI(國際半導體制造裝置材料協(xié)會(huì ))2010年3月宣布，09年全球半導體制造裝置供貨額比上年減少46.1%，為159億2000萬(wàn)美元。跌幅超過(guò)了08年比上年減少的31.0%。受全球經(jīng)濟衰退的影響，09年全球半導體市場(chǎng)供貨額比上年減少9.0%，但半導體制造裝置市場(chǎng)較其下滑了37.1個(gè)百分點(diǎn)。所以供貨額還不到頂峰時(shí)期07年的4成。　　按照開(kāi)展業(yè)務(wù)的地區劃分，09年日本市場(chǎng)比上年減少68.3%，為22億3000萬(wàn)美元。日本市場(chǎng)08年為全球最大市場(chǎng)，
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TSMC推出65納米、40納米與28納米之互通式電子設計自動(dòng)化格式

　　TSMC 7日宣布針對65納米、40納米及28納米工藝推出已統合且可交互操作的多項電子設計自動(dòng)化(Electronic Design Automation; EDA) 技術(shù)檔案。這些與設計相關(guān)的技術(shù)檔案套裝包括可互通的工藝設計套件(iPDK)、工藝設計規則檢查(iDRC)、集成電路布局與電路圖對比 (iLVS)，及工藝電容電阻抽取模組 (iRCX)。　　iPDK、iDRC、iLVS，及iRCX技術(shù)系由TSMC與EDA合作伙伴一同在半導體產(chǎn)業(yè)的互通項目下通過(guò)驗證，也是TSMC「開(kāi)放創(chuàng )新平臺」之一部份
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芯片進(jìn)入一個(gè)成熟與平穩增長(cháng)時(shí)期

　　臺積電(TSMC)董事長(cháng)MorrisChang在最近的全球半導體聯(lián)盟(GSA)高峰會(huì )議上發(fā)表演講，MorrisChang表示，2011年，全球半導體產(chǎn)業(yè)將會(huì )出現7%的增長(cháng)，并且，在2011年至2014年間，全球半導體產(chǎn)業(yè)的復合年均增長(cháng)率(CAGR)將會(huì )達到4.2%. 　　世界頂尖純晶圓代工芯片制造商負責人表示，芯片產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進(jìn)入了最后的S形曲線(xiàn)發(fā)展階段，即進(jìn)入一個(gè)成熟與平穩增長(cháng)時(shí)期。　　MorrisChang曾表示，2011年，整個(gè)芯片產(chǎn)業(yè)將會(huì )恢復到2008年的水平，并早于他起初的預測。　　M
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MEMS產(chǎn)業(yè)期待發(fā)展的大舞臺

　　“MEMS是一個(gè)古老而年輕的行業(yè)。說(shuō)它古老，是因為它誕生已有多年;說(shuō)它年輕，是因為這是一個(gè)新應用層出不窮的領(lǐng)域。”北京大學(xué)上海微電子研究院院長(cháng)程玉華教授在3月16日的“MEMS的應用與機遇”研討會(huì )上說(shuō)，“MEMS產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，正在從高端軍事、工業(yè)應用轉向普羅大眾的消費應用。在后摩爾時(shí)代，MEMS將大放異彩。” 　　2008年，TSMC宣布開(kāi)始進(jìn)入MEMS代工。一石激起千層浪，MEMS頓時(shí)成為半導體代工行業(yè)的明星。2009年
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3月4日高雄地震對TSMC生產(chǎn)進(jìn)度的影響約為1.5天

　　TSMC昨(4)日表示，昨(4)日晨八時(shí)十八分，在中國臺灣高雄縣甲仙鄉發(fā)生芮氏規模6.4級的地震，而TSMC臺南廠(chǎng)區和新竹廠(chǎng)區所測得的震度分別為5級與2級。　　目前根據各單位的檢查回報，此次地震對新竹廠(chǎng)區的營(yíng)運影響極微，但臺南廠(chǎng)區相對受到較大影響，然而該廠(chǎng)區已經(jīng)陸續恢復生產(chǎn)。初步估計，此次地震對TSMC總體生產(chǎn)進(jìn)度(wafer movement)的影響約為1.5天。
關(guān)鍵字： TSMC 晶圓制造

高通與TSMC在28納米工藝技術(shù)上攜手合作

　　高通與臺積電1月7日共同宣布，雙方正在28納米工藝技術(shù)進(jìn)行密切合作。此先進(jìn)工藝世代可以更具成本效益的將更多功能整合在更小的芯片上，加速無(wú)線(xiàn)通訊產(chǎn)品在新市場(chǎng)上的擴展。　　小尺寸與低功秏是高通公司包括Snapdragon芯片組平臺在內的下世代系統單芯片解決方案之重要特色。奠基于雙方長(cháng)久的合作關(guān)系，高通與臺積電正攜手將產(chǎn)品從45納米工藝直接推進(jìn)至28納米工藝。　　臺積電全球業(yè)務(wù)暨行銷(xiāo)副總經(jīng)理陳俊圣表示，臺積電一向致力于提供客戶(hù)先進(jìn)技術(shù)平臺及設計生態(tài)系統，我們的28納米工藝平臺可以為嶄新世代的產(chǎn)品帶來(lái)
關(guān)鍵字： TSMC 28納米 Snapdragon

看好LED前景　聯(lián)電與晶元光電合資于大陸設廠(chǎng)

　　根據業(yè)界消息，晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)電(UMC)與臺灣LED供應商晶元光電(Epistar)已在中國大陸合資成立一家LED芯片廠(chǎng)。　　根據晶元光電日前在臺灣證券交易所發(fā)佈的兩項重大訊息，其一是該公司計劃分別針對中國投資業(yè)務(wù)注入1.28億與800萬(wàn)美元資金，包括一家站暫稱(chēng)為"常州公司"的LED芯片制造商，其二是一家名為冠銓(山東)光電科技(United LED)的LED芯片制造商。　　而根據12月15日聯(lián)電發(fā)佈的重大訊息，該公司也表示將對大陸的轉投資公司冠銓光電科技注入800萬(wàn)美元。
關(guān)鍵字： TSMC 晶圓代工 LED芯片

TSMC推出高整合度LED驅動(dòng)集成電路工藝

　　TSMC昨日推出模組化 BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工藝，將可為客戶(hù)生產(chǎn)高電壓之整合LED驅動(dòng)集成電路產(chǎn)品。　　此一新的BCD工藝特色在于提供12伏特至60伏特的工作電壓范圍，可支持多種LED的應用，包括： LCD平面顯示器的背光源、LED顯示器、一般照明與車(chē)用照明等，且工藝橫跨0.6微米至0.18微米等多個(gè)世代，并有數個(gè)數字核心模組可供選擇，適合不同的數字控制電路閘密度。此外，也提供CyberShuttleTM共乘試制服務(wù)，支援0.25微米與0.18微米工藝的初步功能驗證。
關(guān)鍵字： TSMC BCD LED驅動(dòng)

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