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200910
200910 文章 進(jìn)入200910技術(shù)社區
即將普及的碳化硅器件
- 隨綠色經(jīng)濟的興起，節能降耗已成潮流。在現代化生活中，人們已離不開(kāi)電能。為解決“地球變暖”問(wèn)題，電能消耗約占人類(lèi)總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。 據統計，60%至70%的電能是在低能耗系統中使用的，而其中絕大多數是消耗于電力變換和電力驅動(dòng)。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件，也稱(chēng)電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。 在這種情況下，性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
- 關(guān)鍵字： 豐田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
DRAM：全球半導體產(chǎn)業(yè)的推動(dòng)力
- 歷史發(fā)展 自從1971年Intel公司研發(fā)出lKB的DRAM，距今已近40年，從此開(kāi)創(chuàng )了DRAM的歷史。DRAM不僅推進(jìn)了電子技術(shù)的前進(jìn)，而且對各國半導體業(yè)的發(fā)展也發(fā)揮了舉足輕重、無(wú)可取代的巨大作用。 眾所周知，進(jìn)入上世紀80年代，隨著(zhù)大型計算機市場(chǎng)擴大，DRAM需求巨增。由于當時(shí)DRAM技術(shù)要求較低，其特點(diǎn)是量大面廣，勝負在于大規模生產(chǎn)技術(shù)，而這正是日本公司的強項。因而盡管日本在LSI(大規模集成電路)DRAM時(shí)代還落后于美國兩年，但在“官產(chǎn)學(xué)”舉國一致的努力下，
- 關(guān)鍵字： Intel DRAM VLSI LSI 200910
200910介紹
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