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18a-pt 文章 進(jìn)入18a-pt技術(shù)社區
新思科技與英特爾深化合作，以新思科技IP和經(jīng)Intel 18A工藝認證的EDA流程加速先進(jìn)芯片設計
- 摘要： 新思科技數字和模擬EDA流程經(jīng)過(guò)認證和優(yōu)化，針對Intel 18A工藝實(shí)現功耗、性能和面積目標； 新思科技廣泛的高質(zhì)量 IP組合降低集成風(fēng)險并加快產(chǎn)品上市時(shí)間，為采用Intel 18A 工藝的開(kāi)發(fā)者提供了競爭優(yōu)勢； 新思科技 3DIC Compiler提供了覆蓋架構探索到簽收的統一平臺，可實(shí)現采用Intel 18A和 EMIB技術(shù)的多裸晶芯片系統設計。加利福尼亞州桑尼維爾，2024年3月4日 – 新思科技（Synopsys, I
- 關(guān)鍵字： 新思科技 英特爾 Intel 18A EDA 芯片設計
是德科技與Intel Foundry強強聯(lián)手，成功驗證支持Intel 18A工藝技術(shù)的電磁仿真軟件
- ●? ?設計工程師現在可以使用 RFPro 對 Intel 18A 半導體工藝技術(shù)中的電路進(jìn)行電磁仿真●? ?RFPro 能夠對無(wú)源器件及其在電路中的影響展開(kāi)電磁分析，為一次性打造成功的射頻集成電路設計奠定堅實(shí)基礎是德科技與Intel Foundry強強聯(lián)手，成功驗證支持Intel 18A工藝技術(shù)的電磁仿真軟件是德科技近日宣布，RFPro電磁（EM）仿真軟件作為是德科技 EDA 先進(jìn)設計系統（ADS）綜合工具套件中的一員，現已通過(guò) Intel Foundry 認證，
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英特爾Intel 18A向韓國IC設計業(yè)者招手，爭取晶圓代工商機
- 根據韓國媒體TheElec的報導，英特爾執行長(cháng)Pat Gelsinger去年會(huì )見(jiàn)韓國IC設計公司高層，并介紹英特爾芯片代工業(yè)務(wù)的最新發(fā)展。英特爾目標是大力向韓國IC設計公司銷(xiāo)售晶圓代工服務(wù)，以爭取商機。上周，英特爾首屆晶圓代工服務(wù)大會(huì )宣布，四年五節點(diǎn)計劃后，推出Intel 14A制程，芯片2027年量產(chǎn)。迄今晶圓代工業(yè)務(wù)已獲150億美元訂單，到2030年將成為全球第二大代工廠(chǎng)，目標是超越排名第二的三星，僅次市場(chǎng)龍頭臺積電。韓國媒體報導，三星晶圓代工重點(diǎn)在爭取國際大廠(chǎng)訂單，所以韓國IC設計公司幾乎很難拿到三
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英特爾代工服務(wù)獲得1.8 納米Arm芯片訂單
- 到目前為止，英特爾代工服務(wù)已經(jīng)獲得了多個(gè)數據中心芯片訂單。
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魏哲家：2納米技壓對手18A
- 臺積電19日法說(shuō)會(huì )，市場(chǎng)關(guān)注前瞻技術(shù)競爭實(shí)力。臺積電總裁魏哲家強調，2納米進(jìn)度樂(lè )觀(guān)，維持2025年進(jìn)入量產(chǎn)步調；3納米家族持續進(jìn)步，N3E通過(guò)認證已達良率目標。他更透露N3P經(jīng)內部評估，整體功耗表現足以與競爭對手18A（2納米以下制程）匹敵，甚至享有更好的技術(shù)成熟度與成本優(yōu)勢，因此可以肯定，2納米（with backside power rail）也將優(yōu)于競爭對手。魏哲家補充，HPC、智能型手機客戶(hù)對2納米抱持高度興趣，預計2025年上半年便能供貨給客戶(hù)，并于2026年進(jìn)入量產(chǎn)；他分析，AI需求著(zhù)重提升能
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郭明錤：Arm 有望成為英特爾 18A 制程代工客戶(hù)，生產(chǎn)其自家芯片
- 9 月 10 日消息，英特爾此前曾宣布與 Arm 建立合作關(guān)系，在 Intel 18A 制程上優(yōu)化 Arm IP，進(jìn)一步降低采用 Arm IP 的客戶(hù)采用 Intel 18A 的成本與風(fēng)險。郭明錤最新的調查顯示，Arm 和 Intel 之間的合作不僅限于先進(jìn)的制程優(yōu)化。Arm 很可能成為 Intel 18A 客戶(hù)，這意味著(zhù) Intel 將使用 18A 生產(chǎn) ARM 自家芯片。當然，由于沒(méi)有基帶 IP，而且考慮到現有智能手機客戶(hù)（如蘋(píng)果、高通等），Arm 芯片大概率不會(huì )涉及手機方面。郭明錤認為，如果 Arm
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聯(lián)發(fā)科或將成為Intel首個(gè)18A工藝客戶(hù)
- 近年來(lái)，Intel制定了4年掌握5代制程技術(shù)的IDM 2.0戰略，決心在2025年重回半導體領(lǐng)先地位。在IDM 2.0戰略中，IFS芯片代工業(yè)務(wù)的重要性與x86芯片生產(chǎn)相當，為了推動(dòng)IFS芯片代工業(yè)務(wù)的發(fā)展，Intel對該部分業(yè)務(wù)進(jìn)行了獨立核算并積極爭取客戶(hù)。其中，備受關(guān)注的18A工藝是其重現輝煌的關(guān)鍵，Intel表示18A工藝不僅在技術(shù)水平上超過(guò)了臺積電、三星等公司的2nm工藝，而且在進(jìn)度上也領(lǐng)先于它們。據悉，Intel正全力以赴地推進(jìn)內部和外部測試18A工藝芯片，有望在2024年下半年實(shí)現生產(chǎn)準備就緒
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Vishay推出反向恢復性能達到業(yè)界先進(jìn)水平的FRED Pt第五代600V Hyperfast恢復整流器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出四款采用TO-220 FullPAK 2L全隔離封裝的新型FRED Pt? 第五代600 V Hyperfast恢復整流器---12?A VS-E5TW1206FP-N3和VS-E5TX1206FP-N3以及15 A VS-E5TW1506FP-N3?和VS-E5TX1506FP-N3。該系列的整流器反向恢復性能達到業(yè)界先進(jìn)水平，提高中頻逆變器和軟硬開(kāi)關(guān)或諧振電路的效率。Vishay Semiconductors日前
- 關(guān)鍵字： Vishay 反向恢復 FRED Pt Hyperfast 恢復整流器
Vishay推出新款FRED Pt第五代Hyperfast和Ultrafast恢復整流器，大幅降低導通和開(kāi)關(guān)損耗
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出15款采用SOT-227小型封裝的新型FRED Pt? 第五代600 V 和 1200 V Hyperfast和Ultrafast恢復整流器。Vishay Semiconductors整流器導通和開(kāi)關(guān)損耗在同類(lèi)器件中達到先進(jìn)水平，提高高頻逆變器和軟開(kāi)關(guān)或諧振電路的效率。日前發(fā)布的器件可與MOSFET或高速I(mǎi)GBT配合使用，適用于PFC、電動(dòng)（EV）/ 混合動(dòng)力汽車(chē)（HEV）電池充電站輸出整流級、太陽(yáng)能逆變器增壓級和UPS。這些應用環(huán)境
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Vishay推出新款FRED Pt?第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢復整流器降低導通和開(kāi)關(guān)損耗
- 賓夕法尼亞、MALVERN—2019年4月17日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出六款新型FRED Pt?第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢復整流器。Vishay 30 A和60 A整流器導通和開(kāi)關(guān)損耗在同類(lèi)器件中達到最佳水平，提高高頻逆變器和軟硬開(kāi)關(guān)或諧振電路的效率。?日前發(fā)布的器件可與MOSFET或高速I(mǎi)GBT配合使用，專(zhuān)門(mén)用于提高PFC、EV/HEV 電池充電站輸出整流級、太陽(yáng)能逆變器增壓級
- 關(guān)鍵字： Vishay Intertechnology FRED Pt?第5代 1200 V Hyperfast Ultrafast恢復整流器
18a-pt介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對18a-pt的理解，并與今后在此搜索18a-pt的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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