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10nm
10nm 文章 進(jìn)入10nm 技術(shù)社區
臺積電：不用等7nm，10nm我們就超越英特爾
- 以晶圓代工起家的臺積電稍早前發(fā)布消息稱(chēng)，公司將在2017年量產(chǎn)10nm芯片，公司聯(lián)席CEO劉德音近日又在公司會(huì )議宣布7nm芯片的生產(chǎn)將在2018年啟動(dòng)。公司董事長(cháng)顧問(wèn)蔣尚義對此解釋?zhuān)_積電目標就是要超越英特爾，成為全球技術(shù)最先進(jìn)的芯片制造商。 近年來(lái)半導體業(yè)出現了一系列并購案，包括英特爾合并全球可程式邏輯晶片大廠(chǎng)之一Altera，英特爾并以15億美元投資手機晶片大廠(chǎng)展訊母公司清華紫光，持股比達20%。Altera和展訊均為臺積電先進(jìn)制程的主要客戶(hù)，如今被英特爾并購和入股，按照英特爾“
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三星10nm 拚明年底量產(chǎn)
- 半導體市場(chǎng)第2季需求明顯趨緩，但國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SEMI)公布2015年4月份北美半導體設備訂單及出貨金額，卻同步攀上近3年新高，其中 有2個(gè)主要原因，一是記憶體廠(chǎng)力拚20奈米DRAM制程微縮及3D NAND擴產(chǎn);二是晶圓代工廠(chǎng)10奈米制程競賽正式開(kāi)打。 臺積電16奈米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程已進(jìn)入量產(chǎn)階段，雖然進(jìn)度上落后三星14奈米FinFET制程，但臺積電信心滿(mǎn)滿(mǎn)，認為第3季產(chǎn)能快速拉升后，明年將可奪回14/16奈米FinFET制程市場(chǎng)占有率，且加計20奈米的市占率將在
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臺積電10nm報喜 2020年營(yíng)收占比將達55%
- 分享外資透露，臺積電共同執行長(cháng)劉德音18日在美林論壇專(zhuān)題演講中指出，物聯(lián)網(wǎng)將是繼移動(dòng)設備之后，半導體產(chǎn)業(yè)的成長(cháng)新機會(huì )。臺積電先進(jìn)制程也捎來(lái)喜訊，劉德音預估，2020年時(shí)10納米制程占臺積電總營(yíng)收比重將達55%。 業(yè)界認為，物聯(lián)網(wǎng)商機龐大，估計至2020年時(shí)，可創(chuàng )造約500億顆芯片需求，臺積電身為全球晶圓代工龍頭，在物聯(lián)網(wǎng)應用的成熟制程已取得制高點(diǎn)位置，加上臺積電10納米先進(jìn)制程可望成為2020年營(yíng)收主力，追趕英特爾，在成熟與先進(jìn)制程同步大躍進(jìn)帶動(dòng)下，臺積電后市看俏。 劉德音受邀在美林論壇以
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10nm級移動(dòng)應用處理器戰火一觸即發(fā)
- 10納米級移動(dòng)應用處理器(AP)戰火一觸即發(fā)，據傳英特爾(Intel)繼三星電子 (Samsung Electronics)之后，2015年將推出14納米移動(dòng)AP Cherry Trail，英特爾與三星電子的移動(dòng)AP之爭，勢將對業(yè)界龍頭高通(Qualcomm)產(chǎn)生威脅。 據Digital Times報導，日前業(yè)界傳出消息，指出繼應用14納米制程技術(shù)的Broadwell中央處理器(CPU)后，2015年內英特爾將再推移動(dòng)AP Cherry Trail，目前已開(kāi)始為制造商供貨，預定將在2015年中旬
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臺積電預計2017年量產(chǎn)10nm 追上英特爾
- 晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)透露該公司將在2017年開(kāi)始量產(chǎn)10納米制程，屆時(shí)將能與英特爾(Intel)并駕齊驅;“我們的10納米制程性能表現，包括速度、功率與密度，將會(huì )與我們認為英特爾為其10納米技術(shù)所定義的規格相當;”臺積電企業(yè)通訊部門(mén)總監Elizabeth Sun表示：“憑藉技術(shù)實(shí)力，我們認為能在10納米節點(diǎn)拉近差距。” 而臺積電首度 表示，今年預期將會(huì )有半導體產(chǎn)業(yè)界最大規模的資本支出，其目標是鞏固其晶圓代工市場(chǎng)領(lǐng)導地位，以對抗英特爾、三星
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英特爾：10nm工藝離大家不遠了
- 半導體技術(shù)可以說(shuō)是人類(lèi)社會(huì )發(fā)展速度最快的一項技術(shù)了，摩爾定律的魔力刺激著(zhù)信息社會(huì )飛速發(fā)展，半導體的工藝制程現在已經(jīng)邁入了驚人的14納米級別，誰(shuí)還能想像到50年前笨重的晶體管時(shí)代? 不過(guò)在半導體工藝進(jìn)入14nm之后，芯片的發(fā)展速度有變慢的趨勢。2014年，英特爾就在14納米工藝處理器的發(fā)布時(shí)間上放了大家鴿子，采用14nm工藝的Broadwell原本2014年年中發(fā)布，但實(shí)際上到今年才會(huì )實(shí)現量產(chǎn)。半導體工藝在進(jìn)入10nm級別后就已經(jīng)逼近硅基半導體的物理極限，制造成本和風(fēng)險都在不斷提高，本來(lái)按照英特爾
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英特爾芯片開(kāi)發(fā)受阻 10nm要等到2017
- 半導體工藝進(jìn)入1xnm節點(diǎn)之后，各大巨頭都遭遇了嚴重的困難，尤其是Intel 14nm出現了前所未有的延遲，與計劃進(jìn)度嚴重脫節，至今只有寥寥兩個(gè)產(chǎn)品線(xiàn)，今年下半年才會(huì )全面普及。 臺積電16nm原本寄予厚望，2015年初就要快速量產(chǎn)，結果連續跳票，現在看最快也得年底了，甚至得2016年。 三星14nm相對還好一些，起步雖晚但是進(jìn)步很快，據說(shuō)良品率提高很快，又拉上Global Foundries做同盟，已經(jīng)贏(yíng)得了蘋(píng)果、高通的芳心。 如果按照原先的Tick-Tock發(fā)展模式，后續進(jìn)展順利的
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ARM與臺積電宣布采用10nm FinFET工藝
- 在宣布將以16nm FinFET制程技術(shù)量產(chǎn)ARM 64位處理器后，臺積電再進(jìn)一步與ARM攜手宣布，未來(lái)將透過(guò)10nm FinFET制程技術(shù)制作64位架構ARMv8-A處理器 ，預計最快在2015年第四季啟用此項技術(shù)，屆時(shí)將可支持各客戶(hù)采用10nm FinFET制程技術(shù)完成64位ARM架構處理器的設計定案。 進(jìn)一步縮減制程技術(shù)后，預期將使相同架構處理器產(chǎn)品能以更少電功耗發(fā)揮更高的運作效能，或是更進(jìn)一步縮減硬件產(chǎn)品體積、散熱所需空間等特性。
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檢測10nm以下半導體 CD-SEM量測技術(shù)邁大步
- 半導體進(jìn)入10奈米以下技術(shù)節點(diǎn)或三維(3D)結構時(shí)，將面臨嚴重的導孔偏移問(wèn)題，所幸，設備商已研發(fā)出具備更高影像解析能力的微距量測掃描式電子顯微鏡(CD-SEM)，可提供更清晰的對焦和更精細的量測影像，有效克服導孔對準挑戰。 多年來(lái)，業(yè)界一直使用微距量測掃描式電子顯微鏡(CD-SEM)來(lái)進(jìn)行量測，此種顯微鏡會(huì )射出電子束，與要掃描的材料作用，然后回傳訊號，再由量測機臺比對運算這些訊號。今日，針對小于10奈米(nm)的尺寸，CD-SEM或其他所有量測設備，必須處理更多的薄膜層、更高的縱橫比(HAR
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10nm 介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條10nm !
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