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驅動(dòng)芯片
驅動(dòng)芯片 文章 進(jìn)入驅動(dòng)芯片技術(shù)社區
內置MOS全集成三相直流無(wú)刷電機BLDC驅動(dòng)芯片方案
- 引言全球高速無(wú)刷電機行業(yè)正在經(jīng)歷持續的增長(cháng)和發(fā)展。根據市場(chǎng)調研，亞洲市場(chǎng)占據了全球高速無(wú)刷電機行業(yè)的首位，市場(chǎng)規模占比達47%，并且預計未來(lái)增長(cháng)將主要集中在亞洲地區。特別是在我國，無(wú)刷電機技術(shù)已逐漸成熟，電機和驅動(dòng)器的價(jià)格均已下探到可以廣泛應用的程度，也就拓展了無(wú)刷電機的使用場(chǎng)景。而控制芯片作為無(wú)刷電機系統中的關(guān)鍵組件，通過(guò)接收轉子位置的反饋信號，精確控制電機的電流和電壓，實(shí)現電機的高效運轉和精確控制。目前直流無(wú)刷電機的控制主要分兩大類(lèi)：方波控制（梯形波控制）與正弦波控制，這兩類(lèi)控制方式的原理分別是什么呢
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電機驅動(dòng)芯片A4950及H橋電路分析
- 全面解析電機驅動(dòng)芯片A4950及H橋電路，主要分為以下幾個(gè)方面：一、H橋電路基礎知識二、什么是A4950三、A4950引腳封裝和功能框圖四、A4950模塊使用說(shuō)明五、A4950邏輯控制六、總結一、H橋電路基礎知識1.原理圖（以全NMOS管為例）從上圖可看出，此電機驅動(dòng)電路由4個(gè)NMOS管構成，形如H型，故名為H橋電路。通過(guò)控制4個(gè)MOS管的導通與截止達到對中間電機的不同控制效果。NMOS管的柵極為高電平時(shí)導通，低電平時(shí)截止。2. H橋工作模式正轉模式當Q1、Q4的柵極為高電平，Q2、Q3為低電平時(shí)，Q1，
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ISE 2024│聚積科技驅動(dòng)芯片帶領(lǐng)LED顯示屏走向新高度
- 聚積科技以「聚積科技驅動(dòng)芯片帶領(lǐng)LED顯示屏走向新高度」為題，在2024歐洲整合系統展(ISE)中展示不同應用場(chǎng)景下的LED顯示屏共陰驅動(dòng)芯片。圖1 聚積科技展示不同應用場(chǎng)景下的LED顯示屏共陰驅動(dòng)芯片聚積科技MBI5762以及之后所推出的新產(chǎn)品，如MBI5756，在視覺(jué)效果上有長(cháng)足的進(jìn)步，包含：1.第二代超視覺(jué)運算技術(shù)(Hyper Vision Calculation II)具備兩種功能，細膩地提升人眼及攝影鏡頭下的顯示屏畫(huà)質(zhì)。a.低灰刷新功能(Low-gray Refresh)：提升低灰畫(huà)面刷新率，明
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如何評估驅動(dòng)芯片的模擬采樣精度
- TI 針對新能源電驅?xiě)脠?chǎng)景的明星產(chǎn)品有不帶 SPI接口的智能驅動(dòng)UCC21750-Q1系列和帶SPI接口的 ASILD功能安全驅動(dòng)UCC5880-Q1系列。UCC21750-Q1具有DESAT保護、內置米勒鉗位、隔離采樣通道、針對短路過(guò)流故障的/FLT pin及針對供電電源的RDY pin輸出。UCC5880-Q1為T(mén)I的第二代功能安全柵極驅動(dòng)芯片，具有可調驅動(dòng)電流，豐富的診斷保護功能和優(yōu)異的魯棒性。UCC21750-Q1有一個(gè)隔離采樣通道，UCC5880-Q1具有兩個(gè)隔離采樣通道，可以用于
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意法半導體VIPower M0-7 H橋驅動(dòng)器：有效降低EMI
- 隨著(zhù)汽車(chē)市場(chǎng)不斷發(fā)展，車(chē)企對自動(dòng)化、安全性和功率優(yōu)化的需求日益增長(cháng)。在這種背景下，直流電機在車(chē)身應用中發(fā)揮著(zhù)重要作用。在油車(chē)和電動(dòng)車(chē)門(mén)鎖、車(chē)窗升降、油液泵、方向盤(pán)調節、電動(dòng)后備箱等各種功能設備都會(huì )用到直流電機。在可靠性、易用性、監測和保護方面，用專(zhuān)用驅動(dòng)芯片控制直流電機具有優(yōu)勢，并且能夠提供先進(jìn)的驅動(dòng)功能，例如，用PWM輸入信號驅動(dòng)電機，通過(guò)改變占空比調節電機轉速和轉矩，最終實(shí)現高級的功能。但是，PWM信號會(huì )引起明顯的電磁干擾，導致射頻干擾和信號失真等問(wèn)題。在極端情況下，EMI可能會(huì )對車(chē)輛安全產(chǎn)生嚴重影響
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隔離型驅動(dòng)芯片下面到底能不能走線(xiàn)
- 首先給出結論：一般我們把隔離驅動(dòng)芯片的垂直面下方的PCB設為禁止布線(xiàn)層，既不走任何的信號也不放置各類(lèi)元器件，如圖1所示。然后再討論為什么不能布線(xiàn)，最后介紹例外的應用情況。圖1為什么芯片下面不建議布線(xiàn)？因為會(huì )影響正常的信號傳輸??！既然是使用電氣隔離型的驅動(dòng)芯片，你肯定是希望原邊和副邊之間不要有任何牽絆，而且兩者的供電是獨立且符合應用隔離要求的，因此兩邊一般不會(huì )有電氣性的連接線(xiàn)。那么，上橋的參考地，可不可以延展到芯片的原邊側呢？結論是也不要，畢竟空間密接是要產(chǎn)生耦合影響的。通常變化的電壓會(huì )通過(guò)耦合電容注入分布
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日本半導體經(jīng)銷(xiāo)商放眼新興市場(chǎng)擴張
- 隨著(zhù)日本國內需求萎縮，印度、馬來(lái)西亞和土耳其成為目標。
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聚積科技創(chuàng )建真實(shí)，于ISE 2023全面升級LED顯示屏驅動(dòng)芯片
- (2023年2月2日) ISE 2023 正在西班牙巴塞羅那熱烈舉辦中，自 1 月 31 日至 2 月 3 日為期四天的展期中，聚積科技以“創(chuàng )建真實(shí)”為主題重回實(shí)體展覽，在5H-240攤位上全面升級LED顯示屏驅動(dòng)芯片的規格，為虛擬制作、戶(hù)外商用廣告和前瞻顯示應用帶來(lái)更多潛在商機。?圖一、聚積科技全方位升級LED顯示屏驅動(dòng)芯片規格?近年來(lái)，使用 LED 顯示屏（或 LED 墻）進(jìn)行虛擬制作在電影行業(yè)獲得了許多正面回響，LED顯示屏虛擬攝影棚儼然成為趨勢。面對新興的應用，電影制作人現在想
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Melexis推出尺寸更為小巧的全集成LIN驅動(dòng)芯片,可驅動(dòng)繼電器控制的車(chē)窗升降器
- 全球微電子工程公司 Melexis 近日宣布推出面向繼電器控制直流電機應用的全新 LIN 預驅動(dòng)芯片 MLX81160。該芯片是Melexis第三代兼容性嵌入式電機驅動(dòng)芯片系列的最新成員，兼具功率高、設計緊湊和性?xún)r(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。該產(chǎn)品提供 48 KB 內存（16 KB ROM 用于內置 LIN 協(xié)議，32 KB 閃存用于應用軟件），非常適用于車(chē)窗調節器等應用。為鞏固在提升汽車(chē)舒適度的電機驅動(dòng)應用領(lǐng)域的地位，Melexis 推出了基于 LIN 的預驅動(dòng)芯片 MLX81160。該芯片應用高壓絕緣體上硅（SOI）
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Melexis發(fā)布車(chē)用LED驅動(dòng)芯片MLX81143,助力實(shí)現車(chē)內動(dòng)態(tài)照明
- 全球微電子工程公司Melexis近日宣布推出LED驅動(dòng)芯片MLX81143，為 MeLiBu?產(chǎn)品系列再添新成員。該產(chǎn)品集成 21 顆 LED?恒流源，并可改進(jìn)整個(gè)系統的電源管理。MLX81143?具有非常廣泛的的調光范圍，無(wú)論是白天還是夜間都能達到優(yōu)異的亮度調節效果。MeLiBu?接口支持同時(shí)驅動(dòng)車(chē)內多達3000個(gè)LED，提供動(dòng)態(tài)安全警示并增強車(chē)輛與駕駛員之間的通信。目前汽車(chē)制造商在車(chē)內使用動(dòng)態(tài)照明，用以傳達駕駛輔助提示和車(chē)輛狀態(tài)更新等重要信息。顏色變化和各種閃爍序列可增強需要駕駛員
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納芯微驅動(dòng)芯片NSD1624，有效解決高壓、高頻系統中SW pin負壓和高dv/dt
- NSD1624是納芯微最新推出的非隔離高壓半橋驅動(dòng)芯片，驅動(dòng)電流高達+4/-6A，可用于驅動(dòng)MOSFET/IGBT等各種功率器件?？蓮V泛應用于? 光伏、儲能等新能源領(lǐng)域? 空調壓縮機、工業(yè)電機驅動(dòng)? 高效高密度工業(yè)、通信、服務(wù)器電源? 半橋、全橋、LLC電源拓撲 如下圖NSD1624功能框圖所示，納芯微創(chuàng )新地將隔離技術(shù)方案應用于高壓半橋驅動(dòng)中，使得高壓輸出側可以承受高達1200V的直流電壓，同時(shí)SW
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絕緣體上硅（SOI）驅動(dòng)芯片技術(shù)優(yōu)勢及產(chǎn)品系列
- 在之前的技術(shù)文章中，介紹了驅動(dòng)芯片的概覽和PN結隔離(JI)技術(shù)，本文會(huì )繼續介紹英飛凌的絕緣體上硅（SOI）驅動(dòng)芯片技術(shù)。高壓柵極驅動(dòng)IC的技術(shù)經(jīng)過(guò)長(cháng)期的發(fā)展，走向了絕緣體上硅（silicon-on-insulator，簡(jiǎn)稱(chēng)SOI），SOI指在硅的絕緣襯底上再形成一層薄的單晶硅，相對于傳統的導電型的硅襯底，它有三層結構，第一層是厚的硅襯底層，用于提供機械支撐，第二層是薄的二氧化硅層，二氧化硅是一種絕緣體，從而形成一層絕緣結構，第三層是薄的單晶硅頂層，在這一層進(jìn)行電路的刻蝕，形成驅動(dòng)IC的工作層。圖１.絕緣
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功率半導體IGBT熱擊穿失效的可靠性研究
- 摘要：針對變頻空調使用緣柵雙極型晶體管（IGBT）擊穿短路故障進(jìn)行分析，確認IGBT為過(guò)壓損壞失效。, 空調供電電源出現大的波動(dòng)影響芯片供電電源質(zhì)量，電壓偏低導致IGBT開(kāi)通異常，不能及時(shí)欠壓保護，IGBT 長(cháng)時(shí)間處于工作在放大狀態(tài)，IGBT開(kāi)通損耗大熱擊穿失效。本文主要從電路設計，工作環(huán)境，模擬驗證等方 面分析研究，確認IGBT擊穿短路失效原因，從設計電路與物料選型優(yōu)化提升產(chǎn)品工作可靠性。關(guān)鍵詞：驅動(dòng)芯片；欠壓保護；熱擊穿；共地線(xiàn)；電源波動(dòng)；諧波絕緣柵雙極型晶體管（insulated gate b
- 關(guān)鍵字： 202206 驅動(dòng)芯片 欠壓保護 熱擊穿 共地線(xiàn) 電源波動(dòng) 諧波
如何計算驅動(dòng)芯片的desat保護時(shí)間
- SiC MOSFET短路時(shí)間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiC? MOSFET單管保證3us的短路時(shí)間，Easy模塊保證2us的短路時(shí)間，因此要求驅動(dòng)電路和的短路響應迅速而精確。今天，我們來(lái)具體看一下這個(gè)短而精的程度。圖1是傳統典型的驅動(dòng)芯片退飽和檢測原理，芯片內置一個(gè)恒流源。功率開(kāi)關(guān)器件在門(mén)極電壓一定時(shí)，發(fā)生短路后，電流不斷增加，導致器件VCE電壓迅速提升至母線(xiàn)電壓，高壓二極管被阻斷，恒流源電流向電容CDESAT充電，當上電容CDESAT的電壓被恒流源充至大于比較器參考電壓后，觸發(fā)驅動(dòng)器關(guān)閉輸出。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 desat 驅動(dòng)芯片
華為海思首款柔性OLED驅動(dòng)芯片進(jìn)入試產(chǎn)階段
- 7月19日消息，華為海思首款柔性OLED驅動(dòng)芯片進(jìn)入到試產(chǎn)階段，預計今年年底就可以正式向供應商交付，華為旗下的產(chǎn)品也有望采用。此款芯片采用40nm制程工藝，計劃明年上半年量產(chǎn)，樣品已經(jīng)送給京東方、華為、榮耀測試。
- 關(guān)鍵字： 華為 海思 柔性OLED 驅動(dòng)芯片
驅動(dòng)芯片介紹
驅動(dòng)芯片
LED顯示屏用LED驅動(dòng)產(chǎn)品介紹 LED顯示屏作為一項高科技產(chǎn)品引起了人們的高度重視，采用計算機控制，將光、電融為一體的智能全彩顯示屏已經(jīng)在廣泛領(lǐng)域得到應用。其像素點(diǎn)采用LED發(fā)光二極管，將許多發(fā)光二極管以點(diǎn)陣方式排列起來(lái)，構成LED陣列，進(jìn)而構成 LED屏幕。通過(guò)不同的LED驅動(dòng)方式，可得到不同效果的圖像。因此LED驅動(dòng)芯片的優(yōu)劣，對LED顯示屏的顯示質(zhì)量起著(zhù)重要的作用。LE [ 查看詳細 ]
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