NSD1624是納芯微最新推出的非隔離高壓半橋驅動(dòng)芯片，驅動(dòng)電流高達+4/-6A，可用于驅動(dòng)MOSFET/IGBT等各種功率器件。

可廣泛應用于

?   光伏、儲能等新能源領(lǐng)域

?   空調壓縮機、工業(yè)電機驅動(dòng)

?   高效高密度工業(yè)、通信、服務(wù)器電源

?   半橋、全橋、LLC電源拓撲

如下圖NSD1624功能框圖所示，納芯微創(chuàng )新地將隔離技術(shù)方案應用于高壓半橋驅動(dòng)中，使得高壓輸出側可以承受高達1200V的直流電壓，同時(shí)SW pin可以滿(mǎn)足高dv/dt和耐負壓尖峰的需求?？蛇m用于各種高壓半橋、全橋、LLC電源拓撲上。

NSD1624輸入邏輯可兼容TTL/CMOS，方便控制。高壓側和低壓側均具備獨立的供電欠壓保護功能（UVLO），能在10~20V電壓范圍內工作。此外，NSD1624可提供SOP14，SOP8，LGA 4*4mm多種封裝形式。 

NSD1624功能框圖

NSD1624簡(jiǎn)化應用電路

解決高壓、高頻系統中SW pin負壓和高dv/dt的痛點(diǎn)

圖一：半橋驅動(dòng)IC典型應用電路圖示

圖二：Q1、Q2管子開(kāi)關(guān)過(guò)程中，SW產(chǎn)生震蕩和負壓

上圖一所示是半橋驅動(dòng)IC非常典型的應用電路。在Q1、Q2管子開(kāi)關(guān)過(guò)程中，SW 會(huì )產(chǎn)生一定程度的震蕩，同時(shí)會(huì )有負壓產(chǎn)生，如上圖二所示。如果驅動(dòng)IC SW pin 耐負壓能力比較低，就會(huì )導致IC損壞。

SW pin 產(chǎn)生震蕩和負壓的原因是：當上管關(guān)閉時(shí)，由于負載呈感性，電流不能突變，電流便會(huì )從GND 通過(guò)下管的體二極管進(jìn)行續流，如圖一的紅色箭頭方向所示。在真實(shí)電路中，該電流路徑上許多地方會(huì )存在寄生電感，如圖一的綠色電感。 

SW 的電壓 Usw=-Lss * (di/dt)，通過(guò)公式可以看出，續流電流通過(guò)路徑中的寄生電感，會(huì )在SW上產(chǎn)生負壓。如果負載電流越大，開(kāi)關(guān)頻率越高，即di/dt 大，同時(shí)電路中寄生電感越大，即Lss 值越大，則SW產(chǎn)生的震蕩和負壓就會(huì )越大，就會(huì )越容易損壞驅動(dòng)IC。

此外，開(kāi)關(guān)頻率越大，SW產(chǎn)生的dv/dt就越大。如果選擇的驅動(dòng)IC dv/dt 抗干擾能力不足，便會(huì )導致驅動(dòng)IC內部邏輯錯誤，可能會(huì )使得驅動(dòng)IC的HO 和 LO同時(shí)輸出高電平，使得上下管同時(shí)打開(kāi)，造成短路，甚至燒壞管子。

納芯微創(chuàng )新地將隔離技術(shù)方案應用于NSD1624 高壓半橋IC中，很好解決了上述問(wèn)題，即：SW pin負壓和高dv/dt的痛點(diǎn)。該創(chuàng )新技術(shù)，使得NSD1624 SW pin 電壓能夠承受高達±1200V，可以承受非常高的負壓；同時(shí)dV/dt抗干擾能力超過(guò)100kv/us。因而 NSD1624 非常適合高頻、高壓、高可靠性的應用場(chǎng)景，符合電源行業(yè)發(fā)展的趨勢。

免費送樣

NSD1624 系列產(chǎn)品均可提供樣品。