閃存芯片文章進(jìn)入閃存芯片技術(shù)社區

SanDisk將為昔日冤家供應閃存芯片產(chǎn)品

　　據閃存業(yè)者透露，包括威剛，創(chuàng )見(jiàn)，勁永，以及閃存控制器制造商群聯(lián)在內的多家臺系閃存產(chǎn)品供應商已經(jīng)開(kāi)始從閃存芯片廠(chǎng)商SanDisk那里以成片晶圓的形式訂貨。消息來(lái)源并指出SanDisk與其合作伙伴東芝已經(jīng)開(kāi)始打入臺系閃存產(chǎn)品市場(chǎng)，開(kāi)始為以上這些臺系閃存廠(chǎng)商供貨。自從2008年9月份開(kāi) 始，SanDisk要進(jìn)入臺灣閃存芯片市場(chǎng)的消息便開(kāi)始流傳，不過(guò)直到今天這個(gè)傳言才變成現實(shí)。　　SanDisk此前與部分臺系閃存廠(chǎng)商之間曾因NAND閃存專(zhuān)利官司鬧得不可開(kāi)交，前者甚至還在美國起訴這些閃存廠(chǎng)商，不過(guò)現在San
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SanDisk-東芝聯(lián)盟憑借三位元技術(shù)扭轉戰局

　　最近NAND閃存芯片產(chǎn)業(yè)內部的競爭激烈程度已經(jīng)到了白熱化的階段，今年一月份，Intel-鎂光聯(lián)盟剛剛宣布將在今年量產(chǎn)25nm制程NAND閃存芯片，其對手SanDisk-東芝聯(lián)盟便隨后以牙還牙，宣布將于今年下半年推出基于24nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品。　　　　據SanDisk公司展示的產(chǎn)品發(fā)展路線(xiàn)圖顯示，SanDisk-東芝聯(lián)盟推出的24nm制程NAND閃存芯片將可適用于兩位元存儲單元設計和三位元存儲單元設計。而Intel-鎂光聯(lián)盟的25nm制程則僅可適用于兩位元存儲單
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傳東芝將投入89.4億美元擴大NAND閃存產(chǎn)能

　　消息人士周三透露，東芝未來(lái)三年內將投入8000億日元(約合89.4億)美元，在日本三重縣(Mie Prefecture)修建一座閃存芯片制造廠(chǎng)。　　報道稱(chēng)，東芝的這一計劃將使該公司的NAND閃存芯片制造能力提高大約一倍。東芝原本打算在2008年修建該工廠(chǎng)，但受經(jīng)濟衰退致產(chǎn)品需求下滑的影響，東芝隨后取消了該建廠(chǎng)計劃。　　市場(chǎng)調研公司iSuppli此前發(fā)布報告稱(chēng)，全球NAND閃存市場(chǎng)去年第三季度營(yíng)收較第二季度的31億美元，增長(cháng)了25.5%，達39.4億美元。東芝第三季度表現強于市場(chǎng)，其N(xiāo)AND閃存
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Hynix宣布已成功開(kāi)發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品

　　南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開(kāi)發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開(kāi)始量產(chǎn)這種閃存芯片之后，他們已經(jīng)于日前成功開(kāi)發(fā)出了基于26nm制程的NAND閃存芯片。他們并稱(chēng)將于今年7月份開(kāi)始量產(chǎn)基于26nm制程的64GB容量NAND閃存芯片產(chǎn)品. 　　按閃存芯片市占率計算，Hynix公司去年在閃存芯片市場(chǎng)上的市占率排在第三位，僅次于排在前兩位的三星與東芝公司。據此前的報道顯示，三星公司和由Intel和鎂光公司合資成立的IM Flash公司均計劃于今年第二季度推出基于25n
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分析師：美光Intel將重啟新加坡300mm閃存芯片廠(chǎng)興建計劃

　　據Lazard 資本市場(chǎng)公司的分析師Daniel Amir預計，美光與Intel的合資閃存公司IM Flash將繼續進(jìn)行新加坡300mm閃存芯片廠(chǎng)的興建計劃。該公司早些時(shí)候曾宣布會(huì )在新加坡新建這家300mm芯片廠(chǎng)，不過(guò)后來(lái)公司宣布由于業(yè)務(wù)方面的原因暫緩執行這項計劃。目前IM Flash公司旗下僅在猶他州擁有一間300mm芯片廠(chǎng)。　　Daniel Amir表示：“我們認為美光公司將繼續努力增加其在閃存市場(chǎng)的份額，他們目前已經(jīng)開(kāi)始為新加坡300mm芯片廠(chǎng)訂購生產(chǎn)設備.不過(guò)由于Intel目
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英特爾和美光計劃下周公布閃存芯片的新進(jìn)展

　　英特爾公司和美光科技計劃下周公布閃存芯片的新進(jìn)展。　　兩家公司有一個(gè)生產(chǎn)NAND閃存芯片的合資企業(yè)，這種芯片應用于手機，音樂(lè )播放器和其他驅動(dòng)器上。　　2009年，兩家公司表示，它們正開(kāi)發(fā)提高閃存芯片性能的技術(shù)，在芯片的存儲單元上存儲三位數據。大多數NAND芯片單元儲存一位或兩位數據。　　這樣，兩家公司就能以更高的存儲性能，更低的成本生產(chǎn)芯片。
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12英寸集成電路生產(chǎn)線(xiàn)今年底試投產(chǎn)

　　1月19日，“909工程升級改造———12英寸集成電路生產(chǎn)線(xiàn)項目”啟動(dòng)儀式在上海宏力半導體制造有限公司舉行。中共中央政治局委員、上海市委書(shū)記俞正聲與全國政協(xié)原副主席胡啟立共同啟動(dòng)了項目啟動(dòng)裝置，上海市委副書(shū)記、市長(cháng)韓正與國家發(fā)展和改革委員會(huì )副主任張曉強、工業(yè)和信息化部副部長(cháng)婁勤儉、科技部副部長(cháng)曹健林共同為上海華力微電子有限公司揭牌。　　中國科學(xué)院副院長(cháng)江綿恒，上海市委常委、常務(wù)副市長(cháng)楊雄出席項目啟動(dòng)儀式，并分別代表中國科學(xué)院和上海市委、市
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韓國結束對閃存商反壟斷調查未發(fā)現違法行為

　　韓國公平交易委員會(huì )在一份聲明中表示尚未發(fā)現韓國或其他地區閃存廠(chǎng)商有操縱價(jià)格或其他壟斷行為的證據。　　該機構調查了四家NAND閃存制造商。在被調查的四家廠(chǎng)商中，兩家位于韓國，其他位于美國和日本。不過(guò)公平交易委員會(huì )沒(méi)有點(diǎn)出這些廠(chǎng)商的名字。NAND閃存適用于于各種手持設備，包括數字音樂(lè )播放器、數碼相機和手機。　　根據三星電子和東芝的說(shuō)法，今年8月，美國司法部也結束了這樣的調查。三星電子和東芝是全球前兩大NAND閃存芯片制造商。　　市場(chǎng)調查公司iSuppli的數據顯示第三季度三星在全球NAND閃存
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傳韓系三位元型MLC NAND芯片新品質(zhì)量存穩定性問(wèn)題

　　據業(yè)者透露，韓國廠(chǎng)商生產(chǎn)的三位元型MLC NAND閃存芯片新品在穩定性和耐用性方面不如現有兩位元型產(chǎn)品，不過(guò)消息來(lái)源不愿意透露這家韓國廠(chǎng)商的具體名稱(chēng)。據消息來(lái)源透露，這家韓國廠(chǎng)商首批推出的三位元MLC NAND閃存芯片只面向大陸以及美國地區的市場(chǎng)發(fā)售，不過(guò)目前部分銷(xiāo)往美國市場(chǎng)的產(chǎn)品已經(jīng)由于產(chǎn)品質(zhì)量不穩定而遭到客戶(hù)的退貨。　　據閃存控制芯片的廠(chǎng)商表示，三位元型MLC NAND閃存芯片技術(shù)目前還處在初級發(fā)展階段，由于可能存在一些兼容性等方面的問(wèn)題，因此需要3個(gè)月的時(shí)間對這種新產(chǎn)品進(jìn)行充分的測試。
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傳東芝投資22億美元擴大NAND閃存產(chǎn)能

　　據國外媒體報道，消息人士周一透露，東芝可能將投資2000億日元(約合22億美元)擴大NAND閃存芯片生產(chǎn)。到2010年4月底，東芝的閃存芯片生產(chǎn)規模將擴大40%。　　報道稱(chēng)，東芝當前還計劃在2012年3月之前，為半導體產(chǎn)業(yè)投資總計5000億日元。市場(chǎng)調研公司iSuppli上周發(fā)布研究數據顯示，今年第三季度全球NAND閃存市場(chǎng)業(yè)績(jì)強勁，東芝表現最為搶眼，營(yíng)收環(huán)比增長(cháng)近50%。　　iSuppli的報告稱(chēng)，全球NAND閃存市場(chǎng)第三季度的營(yíng)收較第二季度的31億美元，增長(cháng)了25.5%，達39.4億美元。
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旺宏電子與茂德科技洽談收購芯片廠(chǎng)事宜

　　臺灣閃存芯片生產(chǎn)商旺宏電子新聞發(fā)言人林云龍今日表示，公司正考慮收購茂德科技旗下一座12英寸芯片生產(chǎn)工廠(chǎng)，他稱(chēng)“希望在農歷新年前完成這樣一筆收購交易”，但拒絕透露其中細節。　　有臺灣媒體報道稱(chēng)，旺宏電子此舉為滿(mǎn)足市場(chǎng)對閃存芯片的強勁需求，同時(shí)旺宏電子將斥資50億元新臺幣收購該工廠(chǎng)，預計在明年第一季度完成交易。　　目前，茂德科技方面尚未就此事發(fā)表評論。
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SanDisk Q3意外由虧轉盈內存產(chǎn)業(yè)展望樂(lè )

　　美國內存大廠(chǎng)SanDisk近日公布第3季財報，意外由虧損轉為強勁獲利，主要由于銷(xiāo)售額優(yōu)于預期，以及先前減記的庫存收入回補加持。這也反映了內存制造商持續受惠于閃存芯片市場(chǎng)好轉趨勢。　　據國外媒體報道，SanDisk第3季由去年同期的虧損1.659億美元或每股74美分，改善為獲利2.313億美元或每股99美分。去除特殊項目后，每股獲利則為76美分，優(yōu)于分析師預期的每股26美分。　　該季營(yíng)收增長(cháng)14%至9.352億美元，遠優(yōu)于公司今年7月份預估的介于7.25-7.75億美元，以及分析師預期的7.87
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鎂光34nm企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存明年初量產(chǎn)

　　鎂光34nm制程企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存芯片已經(jīng)進(jìn)入試樣階段，MLC部分的存儲密度可達32Gb，寫(xiě)入壽命達3萬(wàn)次，是普通MLC產(chǎn)品的6倍;SLC部分存儲密度為16Gb，寫(xiě)入壽命同樣為3萬(wàn)次，是普通SLC產(chǎn)品的3倍. 　　鎂光這次開(kāi)發(fā)成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規范(Open NAND Flash Interface)，數據傳輸率最高可達200MB/S，而且可以采用閃存封裝內部集成多片閃存芯片的封裝方案。　　鎂光表示，明年初這兩種閃存芯片便可正式量產(chǎn)。
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晟碟推出新技術(shù)閃存芯片容量高達64GB

　　晟碟(SanDisk)今日推出了新的先進(jìn)閃存芯片生產(chǎn)技術(shù)，旨在進(jìn)一步幫助芯片生產(chǎn)商提高利潤。　　晟碟表示，已經(jīng)開(kāi)始向零售商供應采用這項名為X4的新技術(shù)的數據存儲卡，這種存儲卡包含容量為64G的閃存芯片，較當前市場(chǎng)上流通的芯片存儲能力高出一倍。　　晟碟稱(chēng)，X4技術(shù)將有助于降低閃存芯片的生產(chǎn)成本，從而提高該公司及其生產(chǎn)伙伴東芝的利潤率。　　晟碟總裁兼首席營(yíng)運長(cháng)Sanjay Mehrotra表示，該公司將采用了X4技術(shù)的芯片植入現有存儲卡內，但并未在產(chǎn)品標簽上作出區分，定價(jià)也沒(méi)有變化，從而實(shí)現了
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爾必達擬投資4.52億美元提高40納米芯片產(chǎn)量

　　日本最大閃存芯片制造商爾必達表示，可能投資至多400億日元(約合4.52億美元)提高40納米芯片的產(chǎn)量，達到公司芯片總產(chǎn)量的一半。　　爾必達發(fā)言人表示，公司計劃今年開(kāi)始大規模生產(chǎn)這一產(chǎn)品。他說(shuō)，為了反映市場(chǎng)狀況，爾必達決定加快投資步伐。　　爾必達、三星電子、海力士半導體等芯片制造商正在降低芯片尺寸，以增加一片晶圓所能切割出的芯片數量，以此降低成本，應對產(chǎn)品價(jià)格不斷下滑的局面。爾必達說(shuō)，從當前的50納米技術(shù)轉向較小的芯片尺寸，公司可以將每片晶圓的芯片產(chǎn)量提高44%。　　亞洲最大半導體現貨市場(chǎng)
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閃存芯片目錄閃存芯片簡(jiǎn)介閃存介紹閃存的分類(lèi) 閃存的速度其實(shí)很有限 NAND型閃存的技術(shù)特點(diǎn)擦除操作尋址決定NAND型閃存的因素1．頁(yè)數量 2．頁(yè)容量 3．塊容量 4．I/O位寬 5．頻率 6．制造工藝閃存芯片簡(jiǎn)介閃存介紹閃存的分類(lèi) 閃存的速度其實(shí)很有限 NAND型閃存的技術(shù)特點(diǎn) 擦除操作尋址決定NAND型閃存的因素 1．頁(yè)數量 2．頁(yè) [ 查看詳細 ]

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