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長(cháng)江存儲
長(cháng)江存儲 文章 進(jìn)入長(cháng)江存儲技術(shù)社區
高啟全：長(cháng)江存儲自主3D NAND、DRAM研發(fā)歡迎美光一起加入
- 臺灣DRAM教父高啟全轉戰大陸紫光集團操盤(pán)存儲器大計劃超過(guò)1年，日前晉升長(cháng)江存儲的執行董事、代行董事長(cháng)，接受DIGITIMES獨家專(zhuān)訪(fǎng)公開(kāi)未來(lái)規劃;他指出，已齊聚500名研發(fā)人員在武漢投入3D NAND開(kāi)發(fā)，也考慮研發(fā)20/18納米DRAM，會(huì )在技術(shù)開(kāi)發(fā)具競爭力后才開(kāi)始投產(chǎn)，歡迎美光(Micron)加入合作，雙方合則兩利，且時(shí)間會(huì )對長(cháng)江存儲有利! 長(cháng)江存儲計劃存儲器的研發(fā)，制造基地在武漢、南京兩地，紫光2017年1月底資金到位，現階段長(cháng)江存儲的股權結構是大基金占25%、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和
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長(cháng)江存儲3D閃存各項指標已達預期 2019年全速量產(chǎn)
- NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數公司壟斷，中國公司在此領(lǐng)域毫無(wú)話(huà)語(yǔ)權，甚至連收購、合作外資公司都沒(méi)可能，想獲得突破還得靠國產(chǎn)公司自立。紫光公司主導的長(cháng)江存儲科技在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠(chǎng)的安裝設備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預計2020年會(huì )在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。 長(cháng)江存儲科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，隨后
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楊士寧：為何長(cháng)江存儲決定跨入存儲領(lǐng)域？
- 長(cháng)江存儲執行長(cháng)楊士寧點(diǎn)出，為何長(cháng)江決定跨入存儲領(lǐng)域?他表示，半導體組件可分為四大塊領(lǐng)域：首要運算CPU、存儲、通訊及第四部分涵蓋了物聯(lián)網(wǎng)(IoT)感測器、模擬IC等較為分散的領(lǐng)域。然CPU領(lǐng)域行業(yè)生態(tài)較為復雜、通訊芯片領(lǐng)域也已經(jīng)形成fabless+foundry穩固態(tài)勢，大舉跨入存儲這一領(lǐng)域仍是大有可為的。楊士寧精準點(diǎn)出了大陸發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的戰略思考。分析指出，大陸當下大力發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)是正確的。 楊士寧分析，從半導體存儲器技術(shù)分類(lèi)來(lái)看，目前DRAM和NAND閃存儲存的總產(chǎn)值占全球存儲器產(chǎn)業(yè)的95%
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長(cháng)江存儲在3D NAND存儲器研發(fā)領(lǐng)域取得標志性進(jìn)展
- 近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長(cháng)江存儲科技有限責任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(cháng)江存儲”)與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進(jìn)展。據長(cháng)江存儲CEO楊士寧在IC咖啡首屆國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會(huì )(ICTech Summit 2017)上介紹，32層3D NAND芯片順利通過(guò)電學(xué)特性等各項指標測試，達到預期要求。該款存儲器芯片由長(cháng)江存儲與微電子所三維存儲器研發(fā)中心聯(lián)合開(kāi)發(fā)，在微電子所三維存儲器研發(fā)中心主任、長(cháng)江存儲NAND技術(shù)研發(fā)部項目資深技術(shù)總監霍宗亮的帶領(lǐng)下
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傳紫光挖Mstar創(chuàng )始人楊偉毅任長(cháng)江存儲CTO
- 據臺灣媒體報道，近年來(lái)在半導體產(chǎn)業(yè)動(dòng)作頻頻的大陸紫光集團宣布，總投資300億美元的南京半導體產(chǎn)業(yè)基地已于本月12日開(kāi)工。 據了解，紫光集團已網(wǎng)羅前晨星創(chuàng )辦人楊偉毅出任紫光旗下長(cháng)江存儲公司CTO，帶領(lǐng)紫光突破各國技術(shù)防衛戰。 大陸媒體報導，紫光南京廠(chǎng)的技術(shù)很有可能部分來(lái)自于臺灣。 據消息來(lái)源透露，這個(gè)重要人物正是楊偉毅，將讓紫光朝自主研發(fā)3D NAND Flash等先進(jìn)內存發(fā)展。 但未獲本人證實(shí)。 根據紫光集團官網(wǎng)上消息，紫光集團上個(gè)月18日與南京簽約，將投資300億美元成立南京半導體產(chǎn)業(yè)基
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盤(pán)點(diǎn)+點(diǎn)評：2016中國半導體行業(yè)十大事件
- 2016年全球半導體行業(yè)繼續上演深度調整與整合，超大規模的并購持續，市場(chǎng)經(jīng)歷小幅的衰退，企業(yè)苦苦尋找新的增長(cháng)點(diǎn)。相對而言，中國半導體產(chǎn)業(yè)受?chē)依谜叩闹С钟兄?zhù)更好的表現，中國半導體產(chǎn)業(yè)正在加速追趕。
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正式開(kāi)工 長(cháng)江存儲帶頭中國存儲產(chǎn)業(yè)啟航
- 今日，由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資240億美元建設的國家存儲器基地項目正式動(dòng)工，預計 2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個(gè)項目，初期計劃以先進(jìn)的3D NAND為策略產(chǎn)品。 據悉，此次動(dòng)工建設的存儲器基地位于武漢東湖高新區的武漢未來(lái)科技城，規劃建設3座3D NAND 生產(chǎn)工廠(chǎng)，1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套設施，總占地面積1968畝，預計到2020年可形成月產(chǎn)能30萬(wàn)片的規模，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元，到2030年可提升到每月100萬(wàn)
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紫光國芯:未來(lái)有權對長(cháng)江存儲進(jìn)行整合
- 紫光國芯12月21日晚間發(fā)布公告稱(chēng)，公司的間接控股股東紫光集團擬通過(guò)其下屬控股子公司紫光控股，與長(cháng)江存儲現有股東共同出資設立長(cháng)江控股，以實(shí)現對長(cháng)江存儲的控制。其中紫光控股出資197億元，占長(cháng)江控股注冊資本的51.04%;大基金、湖北國芯投資和湖北省科投以其持有的經(jīng)評估的長(cháng)江存儲全部股東權益加貨幣出資，合計占長(cháng)江控股注冊資本的48.96%。 公告顯示，長(cháng)江控股設立以后，長(cháng)江存儲將成為長(cháng)江控股全資子公司，紫光控股持有長(cháng)江控股 51.04%的股權，從而對長(cháng)江存儲形成控制。 公告稱(chēng)，本次由紫光控股
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老杳:長(cháng)江存儲否認與美光進(jìn)行技術(shù)授權談判
- 早上剛上班就接到朋友微信詢(xún)問(wèn)長(cháng)江存儲與紫光進(jìn)行授權談判的消息準確與否，雖然對內情有些許了解覺(jué)得不太可能，不過(guò)因為新聞起源來(lái)自知名日本媒體nikkei(日本經(jīng)濟新聞)，而且該報道有根有據的說(shuō)明了新聞來(lái)源是對長(cháng)江存儲副董事長(cháng)丁文武的采訪(fǎng)，也就沒(méi)有與長(cháng)江存儲及丁文武確認就第一時(shí)間安排小編進(jìn)行了轉載及新聞發(fā)布。 剛剛接到消息，長(cháng)江存儲正式發(fā)表聲明： 近日有媒體發(fā)布有關(guān)長(cháng)江存儲科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“本公司”)與美國美光科技公司進(jìn)行有關(guān)技術(shù)授權及合作的談判等消息。對此本公司鄭
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長(cháng)江存儲和美光科技展開(kāi)合作談判 涉及到閃存以及內存技術(shù)授權
- 中國半導體廠(chǎng)商近來(lái)加大了海外收購、合作的力度。早前行業(yè)內曾經(jīng)傳言，中國紫光集團可能會(huì )收購美國閃存、內存制造巨頭美光科技公司，但是傳言并未有下文。日前，紫光旗下公司證實(shí)，正在和美光進(jìn)行有關(guān)技術(shù)授權、成立合資公司的談判。 據報道，作出上述表態(tài)的是中國長(cháng)江存儲公司的副董事長(cháng)丁文武。長(cháng)江存儲是紫光集團旗下設立在武漢的企業(yè)，董事長(cháng)正是紫光集團掌門(mén)人趙偉國。 日前在合肥的一次會(huì )議上，丁文物對于記者表示，目前長(cháng)江存儲公司正在和美光科技公司進(jìn)行談判，涉及到閃存以及內存技術(shù)的授權，但是還沒(méi)有達成協(xié)議。這位高
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中國存儲三大勢力成形 各自進(jìn)擊
- 早前報導，中國存儲三大勢力成形，目前長(cháng)江存儲、晉華集成已積極展開(kāi)建廠(chǎng)、布建產(chǎn)能，就差合肥團隊還未有相關(guān)消息，現在相關(guān)招募信息與環(huán)評結果曝光，也透露更多發(fā)展信息。 中國發(fā)展存儲成三路進(jìn)擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長(cháng)江存儲、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢力在兆易創(chuàng )新與前中芯CEO王寧國主導的合肥長(cháng)鑫合作下也蠢蠢欲動(dòng)，現在從兆易創(chuàng )新的招募消息與合肥長(cháng)鑫的環(huán)評公告，也可一窺其在合肥的布局。 合肥將發(fā)展存儲的消息已不是新聞，但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達前社長(cháng)坂本幸雄，目前得到消息已淡出合
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DRAM戰國時(shí)代 長(cháng)江存儲、聯(lián)電、合肥長(cháng)芯三大勢力將對決
- 近期大陸三股勢力正如火如荼點(diǎn)燃DRAM主導權大戰，長(cháng)江存儲傳已評估到南京設立12寸廠(chǎng)，聯(lián)電大陸DRAM廠(chǎng)福建晉華計劃2018年量產(chǎn)，并在南科廠(chǎng)同步研發(fā)25、30nm制程，至于合肥市與北京兆易創(chuàng )新(GigaDevice)合作的合肥長(cháng)芯，由前中芯國際執行長(cháng)王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰2018年，搶當大陸DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭。 盡管大陸布局自制3D NAND Flash雛形漸現，長(cháng)江存儲將與已并購飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作，切入32層和64層3D NAND技術(shù)，由
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楊士寧辭去武漢新芯CEO職務(wù)，全心投入長(cháng)江存儲
- 武漢新芯集成電路制造有限公司(下稱(chēng)“武漢新芯”)董事會(huì )及全體董事保證本公告內容不存在任何虛假記載、誤導性陳述或者重大遺漏，并對其內容的真實(shí)性、準確性和完整性承擔個(gè)別及連帶責任。 楊士寧博士，新任長(cháng)江存儲科技有限責任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(cháng)江存儲”)CEO，因工作需要，提出辭去武漢新芯CEO職務(wù)。 武漢新芯董事會(huì )在10月25日召開(kāi)的第二屆董事會(huì )第一次會(huì )議上，接受了楊士寧博士的辭呈，并對公司管理工作作如下安排： 從楊士寧博士辭去武漢新芯CEO之日
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長(cháng)江存儲推動(dòng)國家存儲器戰略落地，魏少軍：三年后最難
- 針對近期關(guān)于“紫光收購武漢新芯”的市場(chǎng)傳聞，《第一財經(jīng)日報》記者采訪(fǎng)武漢新芯獲悉，3月28日國家存儲器基地在武漢啟動(dòng)的四個(gè)月后，今年7月26日，長(cháng)江存儲科技有限責任公司(下稱(chēng)“長(cháng)江存儲”)正式成立，武漢新芯將成為長(cháng)江存儲的全資子公司，而紫光集團則是參與長(cháng)江存儲的二期出資。 專(zhuān)家觀(guān)點(diǎn) 為做大做強中國存儲器產(chǎn)業(yè)開(kāi)了好頭 “長(cháng)江存儲的股權安排從根本上避免了有限資源的分散和潛在的惡性競爭，對于不同存儲器產(chǎn)品的規劃和發(fā)展也更易于實(shí)現優(yōu)
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長(cháng)江存儲介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條長(cháng)江存儲!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對長(cháng)江存儲的理解，并與今后在此搜索長(cháng)江存儲的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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