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肖特基二極管
肖特基二極管 文章 進(jìn)入肖特基二極管技術(shù)社區
電路的均方根輸出在寬范圍內與溫度呈線(xiàn)性比例關(guān)系
- 眾所周知，p-n結二極管是最高約200℃的低溫精密溫度計的基礎。流經(jīng)二極管的電流保持恒定，二極管上的電壓則提供...
- 關(guān)鍵字： 肖特基二極管 恒流源 555非穩態(tài)時(shí)鐘
Diodes芯片尺寸封裝的肖特基二極管實(shí)現雙倍功率密度
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圓級芯心尺寸封裝的肖特基(Schottky) 二極管，為智能手機及平板電腦的設計提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇。新器件能夠以同樣的電路板占位面積，實(shí)現雙倍功率密度。
- 關(guān)鍵字： Diodes SDM0230CSP 肖特基二極管
肖特基二極管簡(jiǎn)介
- 肖特基二極管分為有引線(xiàn)和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。 肖特基二極管在結構原理上與PN結二極管有很大區別，它的內部是由陽(yáng)極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場(chǎng)消除材料、N-外延層（砷材
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英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無(wú)需使用隔離套管和隔離膜，使安裝更加簡(jiǎn)易、可靠。 獨具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的內部結到散熱器的熱阻與標準非隔離TO-220器件類(lèi)似。這要歸功于英飛凌已獲得專(zhuān)利的擴散焊接工藝，該技術(shù)大大降低了內部芯片到管腳的熱阻，有效地彌補了FullPAK內部隔離層的散
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安森美推出帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET
- 應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N(xiāo)溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產(chǎn)品。 NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時(shí)分別擁有2 毫歐(m?)、3 m?及5 m?的最大導通阻抗(RDS(on))值，針對降壓轉換器應用中的同步端而優(yōu)化，達致更高電源能效。典型門(mén)電荷(在4.5 V門(mén)極-源極電壓(Vgs)時(shí))規格分別為39.6納庫侖(nC)、25.6 nC及1
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英飛凌推出性能改進(jìn)的第三代碳化硅肖特基二極管thinQ
- 英飛凌科技股份有限公司近日在應用電源電子大會(huì )暨展覽會(huì )（APEC）上推出第三代thinQ!™ SiC肖特基二極管。全新thinQ!二極管在任何額定電流條件下都具備業(yè)界最低的器件電容，可在高開(kāi)關(guān)頻率和輕負載條件下提升整個(gè)系統的效率，從而幫助降低電源轉換系統成本。此外，英飛凌推出的第三代SiC肖特基二極管是業(yè)界種類(lèi)最為齊全的碳化硅肖特基二極管系列，不僅包括TO-220封裝（真正的雙管腳版本）產(chǎn)品，還包括面向高功率密度表面貼裝設計的DPAK封裝產(chǎn)品。 SiC肖特基
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肖特基二極管介紹
目錄
簡(jiǎn)介
原理
優(yōu)點(diǎn)
結構
特點(diǎn)
應用
其它
簡(jiǎn)介
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱(chēng)。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱(chēng)為金屬－半導 [ 查看詳細 ]
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