肖特基二極管文章進(jìn)入肖特基二極管技術(shù)社區

英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列

英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不必要的死區損耗提高功率系統的性能，進(jìn)一步提升整體系統效率。此外，該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級設計，降低了用料成本。集成肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管在硬開(kāi)關(guān)應用中，由于GaN器件的有效體二極管電壓（VSD?）較大，基于GaN的拓撲結構可能產(chǎn)生較高的功率損耗。如果控制器的死區時(shí)間較長(cháng)，那么這種情況就會(huì )更加嚴重，導致效率低于目標值。目前功率器件設
關(guān)鍵字：英飛凌肖特基二極管工業(yè)用 GaN 晶體管

英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V的TO-247-2封裝，在提升效率的同時(shí)簡(jiǎn)化設計

目前，許多工業(yè)應用正朝著(zhù)更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發(fā)展，實(shí)現這一目標的方法之一是提高直流母線(xiàn)電壓。針對這一市場(chǎng)趨勢，全球功率系統和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于?2024年9月推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5產(chǎn)品系列，這是首款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅二極管分立器件。該產(chǎn)品系列目前擴展到TO-247-2封裝，其引腳可與現有的大多數TO-247-2封裝兼容。該產(chǎn)品系列非常適合最高直流母線(xiàn)電壓為15
關(guān)鍵字：英飛凌 CoolSiC 肖特基二極管

肖特基二極管4大特性，你都知道嗎？

前言肖特基二極管是重要的電子元器件，因為其承載著(zhù)保護電路的重要作用，所以顯得格外的不可或缺，我們都知道在選擇肖特基二極管時(shí)，主要看它的正向導通壓降、反向耐壓、反向漏電流等。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的，在電路設計中知道這些關(guān)系對選擇合適的肖特基二極管顯得極為重要，尤其是在功率電路中。知道其特性，對于我們的使用也更加得心應手，下面這篇文章將帶你一起去探索神秘的肖特基二極管特性。正向導通壓降與導通電流的關(guān)系在肖特基二極管兩端加正向偏置電壓時(shí)，其內部電場(chǎng)區域變窄，可以
關(guān)鍵字：肖特基二極管二極管無(wú)源器件

為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣

在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開(kāi)關(guān)性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體）如何將先進(jìn)的器件結構與創(chuàng )新工藝技術(shù)結合在一起，以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開(kāi)關(guān)性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體
關(guān)鍵字： SiC 肖特基二極管

中國科大在氧化鎵半導體器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

IT之家 12 月 12 日消息，據中國科大發(fā)布，第 68 屆 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM, 國際電子器件大會(huì )) 近期在美國舊金山召開(kāi)。IEEE IEDM 是年度微電子和納電子學(xué)術(shù)會(huì )議，是報告半導體和電子器件技術(shù)、設計、制造、物理和建模等領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)突破的世界頂級論壇，其與 ISSCC、VLSI 并稱(chēng)為集成電路和半導體領(lǐng)域的“奧林匹克盛會(huì )”。中國科大國家示范性微電子學(xué)院龍世兵教授課題組兩篇關(guān)于氧化鎵器件的研究論文（高功率氧
關(guān)鍵字：氧化鎵光電探測器肖特基二極管

羅姆發(fā)布肖特基二極管白皮書(shū)，助力汽車(chē)、工業(yè)和消費電子設備實(shí)現小型化和更低損耗！

1. 前言近年來(lái)，隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)的加速以及物聯(lián)網(wǎng)在工業(yè)設備、消費電子設備領(lǐng)域的普及，應用產(chǎn)品中搭載的半導體數量也與日俱增。其中，中等耐壓的二極管因其能有效整流和保護電路，而被廣泛應用在從手機到電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成系統等各種電路和領(lǐng)域中，半導體廠(chǎng)商羅姆在這些領(lǐng)域中已經(jīng)擁有驕人業(yè)績(jì)（圖1）。 &
關(guān)鍵字：羅姆肖特基二極管

Littelfuse將于2019年APEC大會(huì )上推出650V碳化硅肖特基二極管，該二極管提供新的封裝尺寸以及6A至40A的額定電流

　　Littelfuse, Inc.今日宣布推出兩款二極管，進(jìn)一步擴大了其二代650V、符合AEC-Q101標準的碳化硅肖特基二極管系列。相比傳統的硅基器件，兩個(gè)系列均為電力電子系統設計人員提供多種優(yōu)勢，包括可忽略不計的反向恢復電流、高浪涌保護能力以及175°C最高運行結溫，因此是需要增強效率、可靠性與熱管理的應用的理想選擇。這些產(chǎn)品將在加州安海姆舉辦的應用電力電子會(huì )議(APEC 2019)上亮相。Littelfuse展位號：253?！　SIC2SD065DxxA/LSIC2SD065Exx
關(guān)鍵字： Littelfuse 肖特基二極管

Littelfuse新推經(jīng)過(guò)擴展的碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品系列，可降低開(kāi)關(guān)損耗，提高效率和耐用性

　　Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布新推出了四個(gè)隸屬于其第2代產(chǎn)品家族的1200V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品家族最初于2017年5月發(fā)布?！　〉?代1200V碳化硅肖特基二極管　　LSIC2SD120A08系列、LSIC2SD120A15系列和LSIC2SD120A20系列的額定電流分別為8A、15A、20A，并采用主流的TO-220-2L封裝。此外，LSIC2SD120C08系列的額定電流為8A，采用TO-252-2L封裝
關(guān)鍵字： Littelfuse 肖特基二極管

英飛凌推出可提高開(kāi)關(guān)速度的第六代650 V CoolSiC肖特基二極管

　　英飛凌科技股份公司推出第六代650 V CoolSiC?肖特基二極管，是CoolSiC二極管產(chǎn)品系列的最新成員。它立足于第五代產(chǎn)品與眾不同的特性，能確?？煽啃?、質(zhì)量并提高效率。CoolSiC G6二極管是對600 V和650 V CoolMOS? 7產(chǎn)品系列的完美補充。它們面向當前和未來(lái)的服務(wù)器和PC電源、電信設備電源和光伏逆變器應用?！　〉诹?50 V CoolSiC肖特基二極管采用全新布局以及全新專(zhuān)有肖特基
關(guān)鍵字：英飛凌肖特基二極管

碳化硅肖特基二極管在電源中的應用

功率因數校正（PFC）市場(chǎng)主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場(chǎng)的基本規定之一，在英國、日本和中國也存在類(lèi)似的標準。EN61000-3-2規定了所有功耗超過(guò)75W的離線(xiàn)設備的諧波標準。由于北美沒(méi)有管理PFC的規定，能源節省和空間/成本的考慮成為在消費類(lèi)產(chǎn)品、計算機和通信領(lǐng)域中必須使用PFC的
關(guān)鍵字：碳化硅肖特基二極管電源 DCM PFC

Littelfuse 新推新平臺開(kāi)發(fā)的首批產(chǎn)品1200V碳化硅肖特基二極管，具有更低的開(kāi)關(guān)損耗與更高的效率

　　-Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅(SiC)肖特基二極管，以配合2017年歐洲電力轉換與智能運動(dòng)(PCIM)展的開(kāi)幕。這種碳化硅二極管是通過(guò)Littelfuse與Monolith Semiconductor合作技術(shù)平臺開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品系列中的首批產(chǎn)品。其他基于該技術(shù)平臺的碳化硅產(chǎn)品(包括1200V碳化硅金氧半場(chǎng)效晶體管)正在籌備中，預計于不遠的將來(lái)推出?！　EN2系列碳化硅肖特基二極管
關(guān)鍵字： Littelfuse 肖特基二極管

肖特基二極管的目前趨勢

　　引言　　雖然肖特基二極管已經(jīng)上市有幾十年了，新的發(fā)展和產(chǎn)品卻不斷增強了它的特性并擴展了應用的可能性。除了太陽(yáng)能電池板和汽車(chē)，它們現在也被用于筆記本電腦、智能手機和平板電腦的電池充電器?！　≡缭?938年，德國物理學(xué)家Walter?Schottky開(kāi)發(fā)了金屬-半導體接觸的模型。與半導體-半導體接觸相反，肖特基二極管由于材料組成的選擇方式在半導體的界面上形成了一個(gè)耗盡區而因此具有勢壘。這防止了低于特定功率閾值的電功率在金屬和半導體之間流通。肖特基二極管因此比其他金屬-半導體二極管(例如：表現出歐
關(guān)鍵字：肖特基二極管

根據雪崩性能選擇肖特基二極管

汽車(chē)電子模塊要求采取反向電池保護措施，以避免不良電池操作可能導致的損壞風(fēng)險。肖特基二極管是這種應用的首選器件，因為它們具有很低的前向
關(guān)鍵字：肖特基二極管雪崩

深度挖掘肖特基二極管應用要點(diǎn)

　　肖特基二極管廣泛應用于開(kāi)關(guān)電源中，每一個(gè)從事電子行業(yè)的人都有聽(tīng)過(guò)肖特基，但我們是否真正了解,肖特基內部結構、應用范圍以及為什么肖特基廣泛應用于高頻開(kāi)關(guān)電源中?那么下面就讓我們一起走進(jìn)肖特基的世界尋找我們想要的答案。　　二極管有多種類(lèi)型：按材料分為鍺二極管、硅二極管、砷化鎵二極管等;按管芯結構可分為面接觸二極管和點(diǎn)接觸二極管;按用途不同又可分為整流二極管、檢波二極管、穩壓二極管、變容二極管、光電二極管、發(fā)光二極管、開(kāi)關(guān)二極管、快速恢復二極管等;按照結類(lèi)型又可分為半導體結型二極管和金屬半導體結型二極管
關(guān)鍵字：肖特基二極管

日益壯大的ROHM最新功率元器件產(chǎn)品陣容

　　前言　　全球知名半導體制造商ROHM利用多年來(lái)在消費電子領(lǐng)域積累的技術(shù)優(yōu)勢，正在積極推進(jìn)面向工業(yè)設備領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容擴充。在支撐“節能、創(chuàng )能、蓄能”技術(shù)的半導體功率元器件領(lǐng)域，ROHM實(shí)現了具有硅半導體無(wú)法得到的突破性特性的碳化硅半導體(SiC半導體)的量產(chǎn)。另外，在傳統的硅半導體功率元器件領(lǐng)域，實(shí)現了從分立式半導體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實(shí)力的復合型產(chǎn)品群。下面介紹這些產(chǎn)品中的一部分。　　已逐步滲透到生活中的SiC功率元器件　　SiC功率元器件是以碳和硅組成
關(guān)鍵字： ROHM 功率元器件肖特基二極管

共37條 1/3 1 2 3 »

肖特基二極管介紹

目錄簡(jiǎn)介原理優(yōu)點(diǎn) 結構特點(diǎn) 應用其它簡(jiǎn)介　　肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱(chēng)。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱(chēng)為金屬－半導 [ 查看詳細 ]