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結構
結構 文章 進(jìn)入結構技術(shù)社區
基于領(lǐng)帶結Sierpinski分形結構的RFID標簽天線(xiàn)
- 1 引 言射頻識別(Radio Frequency Identification，RFID)技術(shù)是興起于上世紀90年代的一項自動(dòng)識別技術(shù)。該技術(shù)利用無(wú)線(xiàn)射頻方式進(jìn)行雙向通信，并在一定工作距離內達到識別目標與數據交換的目的。同其他的磁卡、IC卡等
- 關(guān)鍵字： RFID 標簽 天線(xiàn) 結構 分形 領(lǐng)帶 Sierpinski 基于 分形結構，RFID，標簽天線(xiàn)
詳細講解MOSFET管驅動(dòng)電路
- 在使用MOS管設計開(kāi)關(guān)電源或者馬達驅動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì )考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很...
- 關(guān)鍵字： MOSFET 結構 開(kāi)關(guān) 驅動(dòng)電路
基于MOSFET內部結構設計優(yōu)化驅動(dòng)電路
- 功率MOSFET具有開(kāi)關(guān)速度快，導通電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此在開(kāi)關(guān)電源，馬達控制等電子系統中的應用越來(lái)越廣。通常在實(shí)際...
- 關(guān)鍵字： MOSFET 結構 開(kāi)關(guān) 馬達 驅動(dòng)電路
閃耀光柵數字微鏡的結構設計與驅動(dòng)仿真
- 基于MEMS的閃耀光柵數字微鏡顯示技術(shù)是一種全新的顯示技術(shù), 它的基本工作原理為：平行的復合白色光線(xiàn)以固定的入射角照射在閃耀光柵微鏡陣列上，驅動(dòng)電路驅動(dòng)每個(gè)像素單元的閃耀光柵微鏡偏轉不同角度，在特定的衍射方向上得到的R、G、B以及不可見(jiàn)波長(cháng)的光線(xiàn)經(jīng)過(guò)成像鏡頭后形成彩色畫(huà)面。 微鏡結構設計的基本要求 閃耀光柵數字微鏡顯示技術(shù)的核心部件是閃耀光柵數字微鏡。要達到便攜應用和投影應用的目的，閃耀光柵數字微鏡結構設計需滿(mǎn)足以下基本要求。 盡可能減小顯示單元的尺寸 為了得到準確的基色，要求
- 關(guān)鍵字： MEMS 閃耀光柵數字微鏡 結構 驅動(dòng)
ARM體系結構的發(fā)展
- 處理器的體系結構定義了指令集（ISA）和基于這一體系結構下處理器的程序員模型。盡管每個(gè)處理器性能不同，所面向的應用不同，每個(gè)處理器的實(shí)現都要遵循這一體系結構。ARM體系結構為嵌入系統發(fā)展商提供很高的系統性能，同時(shí)保持優(yōu)異的功耗和面積效率。 ARM體系結構的發(fā)展 ARM體系結構為滿(mǎn)足ARM合作者以及設計領(lǐng)域的一般需求正穩步發(fā)展。每一次ARM體系結構的重大修改，都會(huì )添加極為關(guān)鍵的技術(shù)。在體系結構作重大修改的期間，會(huì )添加新的性能作為體系結構的變體。下面的名字表明了系統結構上的提升，后面附加的關(guān)鍵
- 關(guān)鍵字： ARM 體系 結構 發(fā)展
多核DSP結構與超核DSP結構
- Internet爆炸性的增長(cháng)，線(xiàn)路網(wǎng)絡(luò )與分組網(wǎng)絡(luò )的加速融合，對通信設備和應用提出了一系列新的要求。目前的線(xiàn)路交換技術(shù)是在Internet時(shí)代之前很久設計的，由于它們只對通話(huà)業(yè)務(wù)進(jìn)行優(yōu)化，已不能支持當今成指數增長(cháng)的數據業(yè)務(wù)。為此，服務(wù)提供商正在部署分組網(wǎng)絡(luò )（Internet協(xié)議）和信元網(wǎng)絡(luò )（ATM），并從老式設備轉向以分組交換為中心的軟交換技術(shù)和媒介網(wǎng)關(guān)。? ??本文旨在幫助那些正在構建分組交換技術(shù)的公司解決在設計新型網(wǎng)絡(luò )時(shí)遇到的眾多難題中的一個(gè)問(wèn)題：如何管理好有關(guān)語(yǔ)音
- 關(guān)鍵字： 多核 DSP 超核 結構
LED的多種形式封裝結構及技術(shù)
- LED是一類(lèi)可直接將電能轉化為可見(jiàn)光和輻射能的發(fā)光器件，具有工作電壓低，耗電量小，發(fā)光效率高，發(fā)光響應時(shí)間極短，光色純，結構牢固，抗沖擊，耐振動(dòng)，性能穩定可靠，重量輕，體積小，成本低等一系列特性，發(fā)展突飛猛進(jìn)，現已能批量生產(chǎn)整個(gè)可見(jiàn)光譜段各種顏色的高亮度、高性能產(chǎn)品。國產(chǎn)紅、綠、橙、黃的LED產(chǎn)量約占世界總量的12％，“十五”期間的產(chǎn)業(yè)目標是達到年產(chǎn)300億只的能力，實(shí)現超高亮度AiGslnP的LED外延片和芯片的大生產(chǎn)，年產(chǎn)10億只以上紅、橙、黃超高亮度LED管芯，突破GaN材料的關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現藍、綠、
- 關(guān)鍵字： LED 封裝 結構 發(fā)光二極管 LED
基礎知識：幾種常用電容器的結構和特點(diǎn)
- 電容器是電子設備中常用的電子元件，下面對幾種常用電容器的結構和特點(diǎn)作以簡(jiǎn)要介紹，以供大家參考。 1．鋁電解電容器：它是由鋁圓筒做負極、里面裝有液體電解質(zhì)，插人一片彎曲的鋁帶做正極制成。還需經(jīng)直流電壓處理，做正極的片上形成一層氧化膜做介質(zhì)。其特點(diǎn)是容量大、但是漏電大、穩定性差、有正負極性，適于電源濾波或低頻電路中，使用時(shí)，正、負極不要接反。 2．鉭鈮電解電容器：它用金屬鉭或者鈮做正極，用稀硫酸等配液做負極，用鉭或鈮表面生成的氧化膜做介質(zhì)制成。其特點(diǎn)是：體積
- 關(guān)鍵字： 電容器 結構 特點(diǎn) 電容器
結構介紹
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