- 交叉 級 聯(lián) 正激式變換器，電路組成稍微復雜，但能平坦分配各級損耗達到整體功耗最小，從而可在更高的環(huán)境溫度下工作。較低的功耗，意味著(zhù)更高的效率;工作環(huán)境溫度高，意味著(zhù)散熱處理能力強和輸出電流大。而可用輸出電流成本的降低，預示著(zhù)系統長(cháng)期可靠性會(huì )更好。我們的實(shí)踐表明交叉級聯(lián)正激式同步整流拓樸確實(shí)是一種非常有前景的功率變換結構。各項指標優(yōu)于相同的單級變換器。
- 關(guān)鍵字：
結構 整流 同步 實(shí)現 如何
- 超高亮度紅A1GaAsled與GaAsPGaPLED相比，具有更高的發(fā)光效率，透明襯（TS）A1GaAsLED（640nm）的流明效率已接近10lm/W...
- 關(guān)鍵字：
超高亮度 LED 結構 性能
- NAND Flash嵌入式存儲系統結構分析, 本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲芯片，設計了一種在NFTL上實(shí)現壞塊管理并且實(shí)現連續數據讀取的方法。
- 關(guān)鍵字：
結構 分析 系統 存儲 Flash 嵌入式 NAND
- Diameter協(xié)議介紹 ● 簡(jiǎn)介 Diameter系列協(xié)議是IETF開(kāi)發(fā)的新一代AAA協(xié)議。AAA即Authentication(認證)、Authorization(授權)、Accounting(計費)。Authentication(認證)用以對用戶(hù)身份進(jìn)行確認;Authorization(授權
- 關(guān)鍵字：
研究 特點(diǎn) 結構 協(xié)議 Diameter
- 雙管形式——達林頓管。電流倍數：100-1000。飽和壓降大，速度慢。下圖虛線(xiàn)部分即是達林頓管。圖1-1：達林頓管應用
實(shí)際比較常用的是達林頓模塊，它把GTR、續流二極管、輔助電路做到一個(gè)模塊內。在較早期
- 關(guān)鍵字：
典型 結構 電路 模塊 應用 林頓 林頓管
- 摘要：采用高度集成的低功耗、雙極型放大器和連續波多普勒(CWD)混頻器/波束成型電路能夠使下一代結構緊湊的超聲設備達到“高端”CWD的指標。
超聲系統中要求最苛刻的臨床診斷工具是連續波多普勒(CWD)接
- 關(guān)鍵字：
多普勒 CWD 設計 連續 系統 緊湊 超聲 成像 結構
- RS422A是工業(yè)界廣泛使用的雙向、差動(dòng)平衡驅動(dòng)和接收傳輸線(xiàn)標準接口 ,它以全雙工方式通信 ,支持多點(diǎn)連接 ,允許創(chuàng )建多達 32個(gè)節點(diǎn)的網(wǎng)絡(luò ),具有傳輸距離遠 （最大傳輸距離為 1200m） ,傳輸速率快 （ 1200m時(shí)為 100kbit/s
- 關(guān)鍵字：
控制系統 結構 分析 網(wǎng)絡(luò ) 溫控 RS422A 現場(chǎng) 總線(xiàn) 采用
- 混頻器作為收發(fā)機中的關(guān)鍵模塊之一，對通信設備的上述性能產(chǎn)生直接的影響。隨著(zhù)微電子工藝的發(fā)展， CMOS器件的柵長(cháng)進(jìn)一步縮小，MOS器件的過(guò)驅動(dòng)電壓也進(jìn)一步降低，這就為設計低壓低功耗的射頻電路提供了可能，但是依
- 關(guān)鍵字：
設計 結構 折疊 線(xiàn)性 新型
- 0 引言 隨著(zhù)國民經(jīng)濟的發(fā)展和用電設備的不斷增加，對UPS容量的要求越來(lái)越大。大容量的UPS有兩種構成方式：一種是采用單臺大容量UPS；另一種是在UPS單機內部采用功率模塊N＋m冗余并聯(lián)結構。前者的缺點(diǎn)是成本高
- 關(guān)鍵字：
余并聯(lián) 結構 Nm 模塊 逆變 UPS
- 0 引言 多電平變換器的概念自從A.Nabael在1980年的IAS年會(huì )上提出以后，以其獨特的優(yōu)點(diǎn)受到廣泛的關(guān)注和研究。首先，對于n電平的變換器，每個(gè)功率器件承受的電壓僅為母線(xiàn)電壓的1/（n－1），這就使得能夠用低壓
- 關(guān)鍵字：
控制 策略 結構 拓撲 變換器 電平
- 現場(chǎng)可編程門(mén)陣列的結構與設計,摘要：現場(chǎng)可編程門(mén)陣列（FPGA——Field Programmable Gate Array)是上世紀80年代末發(fā)展起來(lái)的新型大規模集成邏輯器件。它采用高級計算機輔助設計技術(shù)進(jìn)行器件的開(kāi)發(fā)與設計,其優(yōu)越性大大超過(guò)普通TTL集成門(mén)
- 關(guān)鍵字：
設計 結構 陣列 可編程 現場(chǎng)
- 摘要：通過(guò)對電力半導體模塊結構的介紹，以及對其主要原材料性能的分析，進(jìn)一步闡述了各主要結構材料對電力半導體模塊性能的影響。 關(guān)鍵詞：電力半導體；模塊；質(zhì)量差異 1 引言 電力半導體模塊是分立半導體
- 關(guān)鍵字：
設計 要求 特殊 特點(diǎn) 模塊 結構 半導體
- 摘要：首先闡述了三電平DC/DC變換器拓撲的推導過(guò)程，給出了6種非隔離三電平DC/DC變換器和5種隔離三電平DC/DC變換器拓撲結構；分析了三電平DC/DC變換器中，如何設計濾波電路的參數以提高其動(dòng)態(tài)品質(zhì)；最后以Buck三電平
- 關(guān)鍵字：
滑模 控制 方法 及其 結構 DC/DC 變換器 拓撲 電平
- 摘要：多電平變換器作為一種應用于高壓大功率變換場(chǎng)合的新型變換器，其電路拓撲結構和PWM控制方法是當前的一個(gè)研究熱點(diǎn)?；陔娖襟槲环绞綄Χ嚯娖阶儞Q電路進(jìn)行了分類(lèi)，比較了“二極管或電容箝位”和ldqu
- 關(guān)鍵字：
控制 方法研究 結構 拓撲 變換器 電平
結構介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條結構!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對結構的理解，并與今后在此搜索結構的朋友們分享。
創(chuàng )建詞條
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473