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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
飛兆推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力，有助于提高系統可靠性、減小線(xiàn)路板空間及降低系統總體成本。FDD8424H專(zhuān)為半橋和全橋逆變器設計而優(yōu)化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機驅動(dòng)和電燈驅動(dòng)的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，FDD8424H在
- 關(guān)鍵字： MOSFET 單片機 飛兆半導體 嵌入式系統
Fairchild推出互補型40V MOSFET改進(jìn)LCD設計
- 飛兆半導體推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力，有助于提高系統可靠性、減小線(xiàn)路板空間及降低系統總體成本。FDD8424H專(zhuān)為半橋和全橋逆變器設計而優(yōu)化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機驅動(dòng)和電燈驅動(dòng)的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，FDD8424H在單一封裝中集
- 關(guān)鍵字： Fairchild LCD設計 MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 液晶顯示 LCD
Vishayn通道MOSFET驅動(dòng)IC可提供2A峰值匯
- Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值匯和源柵極驅動(dòng)電流的高頻75V半橋式n通道MOSFET驅動(dòng)IC。這款新型SiP41111適用于通常需要40V或60V電壓的汽車(chē)應用。該75VMOSFET驅動(dòng)器可用于汽車(chē)中的高強度放電管，以及各種終端產(chǎn)品中的高壓降壓轉換器、推拉式轉換器、全橋與半橋式轉換器、有源鉗位正向轉換器、電源、電機控制及D類(lèi)音頻系統。 該款SiP41111具有75V的最大自舉電源電壓，可適應9V～13.2V的寬泛電源電壓范圍，能夠以10ns的典型升降時(shí)間驅動(dòng)1,000pF的負載。
- 關(guān)鍵字： IC MOSFET Vishayn 電源技術(shù) 模擬技術(shù)
ROHM株式會(huì )社小型大功率封裝MOSFET MPT6
- 4月20日訊,半導體制造商ROHM株式會(huì )社（總社設在京都市）最近開(kāi)發(fā)出適合汽車(chē)駕駛導向系統、便攜式DVD機、筆記本電腦、游戲機等小型、薄型機器的電源開(kāi)關(guān)和電動(dòng)機驅動(dòng)器使用的MPT6 雙元件系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨創(chuàng )的小型大功率封裝，是低導通電阻的元器件。這種產(chǎn)品從2007年4月開(kāi)始逐步供應樣品；預定從2007年8月開(kāi)始以月產(chǎn)300萬(wàn)個(gè)的規模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過(guò)程的芯片工序在ROHM筑波株式會(huì )社（茨城縣）進(jìn)行；包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) CO., LTD. （
- 關(guān)鍵字： MOSFET MPT6 ROHM 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 封裝
ROHM開(kāi)發(fā)小型大功率封裝MOSFET產(chǎn)品系列
- ROHM株式會(huì )社最近開(kāi)發(fā)出適合汽車(chē)駕駛導向系統、便攜式DVD機、筆記本電腦、游戲機等小型、薄型機器的電源開(kāi)關(guān)和電動(dòng)機驅動(dòng)器使用的「MPT6 Dual（2元件）」型系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨創(chuàng )的小型大功率封裝，低導通電阻的元器件。 這種產(chǎn)品從2007年4月開(kāi)始逐步供應樣品；預定從2007年8月開(kāi)始以月產(chǎn)300萬(wàn)個(gè)的規模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過(guò)程的芯片工序在ROHM筑波株式會(huì )社（茨城縣）進(jìn)行；包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND)
- 關(guān)鍵字： MOSFET ROHM 消費電子 封裝 消費電子
帶有集成MOSFET的6A雙同步降壓穩壓器
- Intersil公司的ISL65426是一款高效率雙輸出單向同步降壓穩壓器，輸入電壓范圍為2.375V至5.5V。該單芯片電源解決方案提供2個(gè)輸出電壓，可以在1V至電壓電源的80%的范圍內進(jìn)行選擇或者進(jìn)行外部調節，并且總輸出電流高達6A。2個(gè)PWM是180o異相同步的，降低了EMI和有效值輸入電流與紋波電壓。 ISL65426的獨特電源模塊架構允許對6個(gè)電流高達1A的模塊進(jìn)行分配，以便支持4個(gè)輸出配置選項之一。一個(gè)主電源模塊與各個(gè)同步轉換器通道相關(guān)聯(lián)。4個(gè)浮動(dòng)從電源模塊允許用戶(hù)將其分配給任一條通
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 雙同步降壓穩壓器
ZETEX推出帶診斷功能的自保護MOSFET ZXMS6002/3
- ZXMS6002/3是采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET，它可通過(guò)獨立狀態(tài)引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車(chē)和工業(yè)性高壓系統的可靠性。 最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員，均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件，特別適用于高浪涌電流的開(kāi)關(guān)負載，如電燈、電機及電磁鐵。 ZXMS6002G具有針對過(guò)熱、過(guò)流和過(guò)壓故障的保護功能，可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模式的模擬指示，無(wú)需外部元件。這種診斷功能有助于實(shí)現智能的
- 關(guān)鍵字： MOSFET ZXMS6002/3 工業(yè)控制 工業(yè)控制
Zetex推出首款采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET
- Zetex Semiconductors (捷特科) 公司推出首款采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET，它可通過(guò)獨立狀態(tài)引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車(chē)和工業(yè)性高壓系統的可靠性。 最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員，均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件，特別適用于高浪涌電流的開(kāi)關(guān)負載，如電燈、電機及電磁鐵。 ZXMS6002G具有針對過(guò)熱、過(guò)流和過(guò)壓故障的保護功能，可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模
- 關(guān)鍵字： MOSFET Zetex 單片機 嵌入式系統 封裝
飛兆推出 200V/250V的PowerTrench工藝MOSFET
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N溝道MOSFET，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專(zhuān)門(mén)設計，可為等離子體顯示板 (PDP) 應用提供業(yè)界領(lǐng)先的系統效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導體專(zhuān)利的PowerTrench® 工藝技術(shù)，這些MOSFET比較市場(chǎng)上同類(lèi)型器件提供最低的導通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值為22.9毫歐；FDB2710的典型值為36.3 毫歐)。超低的RDS(on) 加上極低
- 關(guān)鍵字： MOSFET 單片機 飛兆 嵌入式系統
RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開(kāi)發(fā)
- 摘 要：本文簡(jiǎn)述了RF 功率 MOSFET器件的應用，分析了以L(fǎng)DMOSFET工藝為基礎的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結構和制造工藝特點(diǎn)。文中結合6寸芯片生產(chǎn)線(xiàn)，設計了產(chǎn)品的制造工藝流程，分析了制造工藝的難點(diǎn)，并提出了解決方案。關(guān)鍵詞：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件結構；制造工藝 引言RF 功率 MOSFET的最大應用是無(wú)線(xiàn)通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
- 關(guān)鍵字： LDMOSFET MOSFET RF RF專(zhuān)題 電源技術(shù) 功率 模擬技術(shù) 器件結構 制造工藝
Zetex新型MOSFET適用于超低柵極驅動(dòng)操作
- 模擬信號處理及功率管理解決方案供應商 Zetex Semiconductors 近日推出三款為有限驅動(dòng)電壓應用設計的N 溝道增強模式 MOSFET。 這三款新產(chǎn)品分別為 20V 的ZXMN2B03E6 （SOT236封裝）、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F（兩者均為SOT23封裝）。這些器件均具有1.8VGS條件下的低損耗開(kāi)關(guān)功能，可以使用兩個(gè)1.2V 電池或一個(gè)鋰離子電池驅動(dòng)。其超低柵極驅動(dòng)意味著(zhù)可
- 關(guān)鍵字： MOSFET Zetex 超低柵極驅動(dòng) 電源技術(shù) 模擬技術(shù)
飛兆半導體推出光隔離 MOSFET 柵極驅動(dòng)器
- 能夠驅動(dòng)工業(yè)應用中高達 30A/1200V 的 MOSFET FOD3180/FOD3181與飛兆半導體領(lǐng)先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列相輔相成， 為設計人員提供由毫瓦至千瓦的完整功率解決方案 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 領(lǐng)先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列又添新成員，宣布推出高頻光隔離MOSFET柵極驅動(dòng)器系列的全新產(chǎn)品，能夠在工業(yè)應用中驅動(dòng)高達30A/1200V的MOSFET。FOD3180 (2A) 和F
- 關(guān)鍵字： MOSFET 單片機 飛兆半導體 光隔離 嵌入式系統 柵極驅動(dòng)器
常用MOSFET技術(shù)參數
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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