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硅芯片
硅芯片 文章 進(jìn)入硅芯片技術(shù)社區
歐美科學(xué)家聯(lián)手取得硅芯片光通訊技術(shù)突破
- 一個(gè)由歐、美兩地研究人員所組成的團隊，讓達到100Gbps的硅芯片上傳輸速度成為可能;該技術(shù)將特別有益于電信產(chǎn)業(yè)，并為全球不斷增加的網(wǎng)絡(luò )信息流量獲得緩解之道。 該研究團隊成員分別來(lái)自瑞士ETH大學(xué)、比利時(shí)研究機構IMEC、美國Lehigh大學(xué)，以及德國Karlsruhe大學(xué);他們成功制造出一種具備高度非線(xiàn)性特征、超高速的光波導(opticalwaveguide)架構。 由于在這類(lèi)組件中，光子信號不必再轉換成電子信號，因此被視為是達成全光學(xué)信號傳輸的關(guān)鍵組件。為了達成這個(gè)目標，研究人員采用S
- 關(guān)鍵字： 硅芯片 CMOS
東洋紡開(kāi)發(fā)出線(xiàn)膨脹系數與硅芯片相同薄膜
- 東洋紡在“JPCAShow2007”（2007年5月30日～6月1日，東京有明國際會(huì )展中心）上，展出了線(xiàn)膨脹系數與硅芯片相同的聚酰亞胺薄膜“Zenomax”。 原來(lái)的聚酰亞胺薄膜的線(xiàn)膨脹系數為20～30ppm/℃，而新開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品則與硅片相同，僅為3ppm/℃。因此，由溫度變化導致的硅芯片與聚酰亞胺之間的剝離就不易產(chǎn)生，東洋紡認為可將聚酰亞胺作為封裝底板使用。 Zenomax還具有高耐熱性特點(diǎn)。原來(lái)的聚酰亞胺的耐熱溫度為350℃，而此次開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品為500℃。&nb
- 關(guān)鍵字： 東洋紡 硅芯片 聚酰亞胺薄膜
硅芯片介紹
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