東洋紡開(kāi)發(fā)出線(xiàn)膨脹系數與硅芯片相同薄膜

東洋紡在“JPCAShow2007”（2007年5月30日～6月1日，東京有明國際會(huì )展中心）上，展出了線(xiàn)膨脹系數與硅芯片相同的聚酰亞胺薄膜“Zenomax”。  

原來(lái)的聚酰亞胺薄膜的線(xiàn)膨脹系數為20～30ppm/℃，而新開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品則與硅片相同，僅為3ppm/℃。因此，由溫度變化導致的硅芯片與聚酰亞胺之間的剝離就不易產(chǎn)生，東洋紡認為可將聚酰亞胺作為封裝底板使用。  

Zenomax還具有高耐熱性特點(diǎn)。原來(lái)的聚酰亞胺的耐熱溫度為350℃，而此次開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品為500℃。 

該薄膜是通過(guò)將該公司的核心技術(shù)——耐熱聚合物合成技術(shù)與薄膜制膜技術(shù)的相互融合實(shí)現的。為了實(shí)現與硅芯片相同的線(xiàn)膨脹系數，通過(guò)對單體材料實(shí)施某種特殊處理進(jìn)行了聚合?？芍圃斓谋∧ず穸仍?μm以上。 

開(kāi)發(fā)產(chǎn)品的目標是替代積層多層板、新一代半導體封裝的絕緣材料，乃至陶瓷底板。另外，東洋紡認為，此次的薄膜還可應用于配備有加熱器的底板等在高溫下使用的底板。該公司打算在1～2年內向市場(chǎng)投放產(chǎn)品。