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晶圓級
晶圓級 文章 進(jìn)入晶圓級技術(shù)社區
Nexperia發(fā)布具備市場(chǎng)領(lǐng)先效率的晶圓級12和30V MOSFET
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場(chǎng)領(lǐng)先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續航運行至關(guān)重要的情況下，可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽(tīng)器和耳機等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿(mǎn)足了增加系統功耗的需求。 RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負載開(kāi)關(guān)
- 關(guān)鍵字： Nexperia 晶圓級 MOSFET
史密斯英特康推出晶圓級封裝測試頭Volta 200 系列
- 便攜式及手持智能電子設備的小型化對芯片功能集成的要求日益復雜,芯片的微型化及引腳間距越來(lái)越小給產(chǎn)品的最終測試帶來(lái)了技術(shù)挑戰和成本壓力,也讓越來(lái)越多的客戶(hù)采用晶圓級封裝測試和晶圓級芯片封裝測試的方案。史密斯英特康推出的Volta系列測試頭適用于200μm間距及以上晶圓級封裝測試,為高可靠性WLP(晶圓級封裝)、WLCSP(晶圓級芯片封裝)和KGD(已確認的好的裸片)測試提供更多優(yōu)勢,可滿(mǎn)足客戶(hù)對更高引腳數、更小間距尺寸、更高頻率和更高并行度測試的要求。Volta獨特的設計具有極短的信號路徑,低接觸電阻,可實(shí)
- 關(guān)鍵字： 晶圓級 封裝測試頭 Volta 200 系列
晶圓級可靠性測試:器件開(kāi)發(fā)的關(guān)鍵步驟（二）
- 可靠性測試儀器的發(fā)展趨勢 就像前文所指出的那樣，可靠性測試需要與新器件的設計和新材料的使用密切關(guān)聯(lián) ...
- 關(guān)鍵字： 晶圓級 可靠性測試 器件開(kāi)發(fā)
一種創(chuàng )新的晶圓級熱載子并行測試方法
- 引言
隨著(zhù)VLSI集成度的日益提高，MOS器件尺寸不斷縮小至亞微米乃至深亞微米，熱載子效應已成為最嚴重的可靠性問(wèn)題之一?，F今,為了降低成本,減少周期,不斷的提高工藝,晶圓級的器件可靠性測試愈來(lái)愈被廣泛的應用?？v觀(guān) - 關(guān)鍵字： 創(chuàng )新 并行測試 晶圓級 方法
用于通用X射線(xiàn)應用的晶圓級有源像素CMOS圖像傳感器
- 摘要: 本文以使用標準CMOS技術(shù)和有源像素架構的CMOS有源像素傳感器為研究對象。該傳感器專(zhuān)為X射線(xiàn)成像系統而設計，具有噪聲低和感光度高等特點(diǎn)。這種傳感器已使用標準0.35μm技術(shù)和8″晶圓得到生產(chǎn)。傳感器分辨率為每40 x 40μm2 面積3360 x 3348像素。其對角長(cháng)度略大于190mm。本文對傳感器的圖紙設計、拼接圖和已得到開(kāi)發(fā)的電子光學(xué)性能進(jìn)行了論述。 &nbs
- 關(guān)鍵字： CMOS X射線(xiàn) 電源技術(shù) 晶圓級 模擬技術(shù) 圖像傳感器 有源像素 其他IC 制程 設備診斷類(lèi)
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晶圓級介紹
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