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循環(huán)
循環(huán) 文章 進(jìn)入循環(huán)技術(shù)社區
基于位線(xiàn)循環(huán)充電SRAM模式的自定時(shí)電路設計
- 隨著(zhù)集成電路的密度和工作頻率按照摩爾定律所描述的那樣持續增長(cháng),使得高性能和低功耗設計已成為芯片設計的主流。在微處理器和SoC中,存儲器占據了大部分的芯片面積,而且還有持續增加的趨勢。這使存儲器中的字線(xiàn)長(cháng)度和位線(xiàn)長(cháng)度不斷增加,增加了延時(shí)和功耗。因此,研究高速低功耗存儲器的設計技術(shù)對集成電路的發(fā)展具有重要意義。對SRAM存儲器的低功耗設計技術(shù)進(jìn)行研究,在多級位線(xiàn)位SRAM結構及工作原理基礎上,以改善SRAM速度和功耗特性為目的,設計了基于位線(xiàn)循環(huán)充電結構的雙模式自定時(shí)SRAM,其容量為8K×32 b。
- 關(guān)鍵字: 定時(shí) 電路設計 模式 SRAM 循環(huán) 充電 基于
基于CPLD的時(shí)間控制器設計
- 本文介紹一種以CPLD[1]為核心、以VHDL[2]為開(kāi)發(fā)工具的時(shí)間控制器,該控制器不僅具有時(shí)間功能,而且具有定時(shí)器功...
- 關(guān)鍵字: 比較 模塊 動(dòng)態(tài) 循環(huán)
循環(huán)介紹
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