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宜特 文章 進(jìn)入宜特技術(shù)社區
宜特獲USB-IF授權 成為USB PD認證測試實(shí)驗室
- 宜特宣布，正式取得 USB-IF 協(xié)會(huì )的授權，成為 USB Power Delivery（PD）認證測試實(shí)驗室， 將可協(xié)助客戶(hù)驗證產(chǎn)品是否能夠正確的傳輸和接收電力，確保產(chǎn)品符合USB-IF 最新的Power Delivery 3.1技術(shù)標準和規范，并核發(fā)Logo標章。歐盟預計於 2024 年底宣布，針對包括手機、平板、手提電腦、數位相機、耳機及耳機充電盒、手持游戲機、可攜式揚聲器、電子閱讀器、鍵盤(pán)、滑鼠、可攜式導航設備以及可穿戴裝置在內的13類(lèi)電子產(chǎn)品，規定必須采用 USB Type-C 作為統一充電接囗
- 關(guān)鍵字： USB PD 宜特
宜特登上車(chē)電最高殿堂，獲認可為AEC亞洲唯一實(shí)驗室
- 電子產(chǎn)品驗證服務(wù)龍頭——iST宜特科技今宣布，經(jīng)過(guò)層層審核，全球汽車(chē)電子最高殿堂-汽車(chē)電子協(xié)會(huì )(Automotive Electronics Council，簡(jiǎn)稱(chēng)AEC)于近期正式認可宜特成為AEC協(xié)會(huì )會(huì )員，是亞洲唯一獲認可實(shí)驗室。全球會(huì )員只有93家公司，臺灣地區僅9家成為協(xié)會(huì )一員，其中包括晶圓代工大廠(chǎng)臺積電(TSMC)；臺達電(Delta)等。 圖說(shuō):宜特科技非常榮幸于今年成為AEC協(xié)會(huì )成員，是亞洲唯一第三方公正驗證分析實(shí)驗室。AEC是于1990年由克萊思勒、福特汽車(chē)、通用汽車(chē)組成的組織，目的
- 關(guān)鍵字： 宜特 AEC 實(shí)驗室
宜特晶圓減薄能力達1.5mil
- 隨5G、物聯(lián)網(wǎng)、電動(dòng)車(chē)蓬勃發(fā)展，對于低功耗要求越來(lái)越高，功率半導體成為這些產(chǎn)業(yè)勢不可擋的必備組件。宜特(TWSE: 3289)晶圓后端工藝廠(chǎng)的晶圓減薄能力也隨之精進(jìn)。宜特今(1/6)宣布，晶圓后端工藝廠(chǎng)（竹科二廠(chǎng)），通過(guò)客戶(hù)肯定，成功開(kāi)發(fā)晶圓減薄達1.5mil(38um)技術(shù)，技術(shù)門(mén)坎大突破。同時(shí)，為更專(zhuān)注服務(wù)國際客戶(hù)，即日起成立宜錦股份有限公司(Prosperity Power Technology Inc)。 使用控片測得2mil、1.5 mil、1.5 mil優(yōu)化條件后的損壞層厚度及TEM分析宜
- 關(guān)鍵字： 宜特 晶圓減薄
宜特晶背FIB電路修補能力突破7奈米工藝
- 隨半導體產(chǎn)業(yè)朝更先進(jìn)工藝 發(fā)展之際，宜特電路修補技術(shù)(IC Circuit Edit)檢測技術(shù)再突破!宜特今(3/15)宣布，宜特通過(guò)先進(jìn)工藝 客戶(hù)肯定，IC芯片背面(Backside，簡(jiǎn)稱(chēng)晶背)FIB電路修補技術(shù)達7奈米(nm)工藝 ?！ ∫颂蒯槍C設計業(yè)者為何須進(jìn)行電路修補進(jìn)行說(shuō)明。由于即使電路仿真軟件不斷地提升演進(jìn)，仍難以100%來(lái)確保芯片的設計及布局正確性，一旦發(fā)現電路瑕疵只能再次進(jìn)行光罩改版;然而光罩價(jià)格不斐，且重新下光罩后，等待修補過(guò)后的芯片時(shí)間通常超過(guò)一個(gè)月。因此，多數IC設計業(yè)者
- 關(guān)鍵字： 宜特 晶背電路
宜特FSM化學(xué)鍍服務(wù)本月上線(xiàn)，無(wú)縫接軌BGBM晶圓減薄工藝
- 隨電源管理零組件MOSFET在汽車(chē)智能化崛起后供不應求，為填補供應鏈中此一環(huán)節的不足，在半導體驗證分析領(lǐng)域深耕多年的宜特科技，近期正式跨攻「MOSFET晶圓后端工藝整合服務(wù)」，其中晶圓減薄-背面研磨/背面金屬化(簡(jiǎn)稱(chēng)BGBM，Backside Grinding/ Backside Metallization)工藝，在本月已有數家客戶(hù)穩定投片進(jìn)行量產(chǎn)，在線(xiàn)生產(chǎn)良率連續兩月高于99.5%?！ ⊥瑫r(shí)為了協(xié)助客戶(hù)一站式接軌BGBM工藝，在前端的正面金屬化工藝(簡(jiǎn)稱(chēng)FSM)上，除了提供濺射沉積(Sputteri
- 關(guān)鍵字： 宜特 MOSFET
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