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安世半導體
安世半導體 文章 進(jìn)入安世半導體技術(shù)社區
最大程度提高對汽車(chē)以太網(wǎng)應用的ESD保護
- 數十年來(lái)，以太網(wǎng)廣泛應用于工業(yè)和計算網(wǎng)絡(luò )，但如今，越來(lái)越多地部署到汽車(chē)應用，取代了控制器局域網(wǎng)絡(luò )(CAN)等傳統網(wǎng)絡(luò )。汽車(chē)以太網(wǎng)提供拓撲靈活性、高帶寬和穩定的通信，能夠滿(mǎn)足原始設備制造商(OEM)從域向區域網(wǎng)絡(luò )架構過(guò)渡期間的車(chē)內數據通信需求。本文首先討論各種汽車(chē)以太網(wǎng)標準，然后再考慮它們必須符合的嚴格靜電保護(ESD)和電磁兼容性(EMC)標準。最后介紹 Nexperia（安世半導體）的一系列元件，汽車(chē) OEM 可利用這些元件確保車(chē)輛網(wǎng)絡(luò )在發(fā)生 ESD 事件時(shí)得到全面保護。汽車(chē)以太網(wǎng)標準2016 年，開(kāi)放
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迎接汽車(chē)電動(dòng)化時(shí)代的來(lái)臨，安世半導體引領(lǐng)MOSFET技術(shù)革命
- 近年來(lái)，汽車(chē)行業(yè)正迅速邁入智能化和電動(dòng)化的新紀元。新能源汽車(chē)的銷(xiāo)量與市場(chǎng)滲透率持續攀升。據彭博社預測，2023年，全球新能源汽車(chē)的銷(xiāo)量將達到1,410萬(wàn)輛，其中中國市場(chǎng)將占據大約60%的份額。在汽車(chē)向電動(dòng)化的轉型過(guò)程中，盡管 SiC 和 GaN 等第三代半導體材料備受關(guān)注，但電動(dòng)汽車(chē)制造商仍對成本持保守態(tài)度。目前，成本效益高且性能穩定的硅基 MOSFET（金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管）繼續在車(chē)載電子、電驅動(dòng)以及電池管理系統中發(fā)揮核心作用。去年 MOSFET 的大量缺貨進(jìn)一步突顯了這一點(diǎn)。然而，要滿(mǎn)足日益增
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美國芯片公司Vishay將收購安世半導體紐波特晶圓廠(chǎng)
- 11月8日，美國芯片公司Vishay Intertechnology和安世半導體（Nexperia）宣布，雙方已經(jīng)達成協(xié)議，Vishay將以1.77億美元現金收購Nexperia位于英國南威爾士紐波特的晶圓制造廠(chǎng)和相關(guān)業(yè)務(wù)。紐波特晶圓廠(chǎng)交易需接受英國政府審查，并符合第三方購買(mǎi)權和慣例成交條件，預計將于2024年第一季度完成。資料顯示，紐波特晶圓廠(chǎng)是一家200mm半導體晶圓廠(chǎng)，經(jīng)過(guò)汽車(chē)認證，主要供應汽車(chē)市場(chǎng)。占地28英畝，是英國規模最大的半導體制造廠(chǎng)。Vishay總裁兼首席執行官Joel Smejkal表示
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1.77億美元，安世半導體脫手英國最大晶圓廠(chǎng)
- 在英國晶圓廠(chǎng) Newport Wafer Fab（NWF）收購案按下回退鍵一年后，聞泰科技被迫出售了 NWF 母公司 NEPTUNE 6 LIMITED100% 股權。11 月 8 日晚間，聞泰科技公告，全資子公司 Nexperia B.V.（下稱(chēng)「安世半導體」）擬轉讓 NEPTUNE 6 LIMITED 的 100% 股權，受讓方為紐交所上市公司 Vishay 的全資子公司 Siliconix，交易金額基礎值為 1.77 億美元（含安世半導體對標的公司的債權）。聞泰科技稱(chēng)，向 Siliconix 出售
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SiC和GaN的應用優(yōu)勢與技術(shù)挑戰
- 1? ?SiC和GaN應用及優(yōu)勢我們對汽車(chē)、工業(yè)、數據中心和可再生能源等廣泛市場(chǎng)中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應用感興趣。一些具體的例子包括：●? ?電動(dòng)汽車(chē)（EV）：SiC和GaN 可用于電動(dòng)汽車(chē)，以提高效率、續航里程和整車(chē)性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車(chē)載充電，以減少功率損耗并提高效率?！? ?數據中心：SiC 和GaN 可用于數據中心電源，以提高效率并降低運營(yíng)成本?！? ?可再生能
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如何選擇符合應用散熱要求的半導體封裝
- 為了滿(mǎn)足應用的散熱要求，設計人員需要比較不同半導體封裝類(lèi)型的熱特性。在本博客中， Nexperia（安世半導體）討論了其焊線(xiàn)封裝和夾片粘合封裝的散熱通道，以便設計人員選擇更合適的封裝。焊線(xiàn)器件中的熱傳導如何實(shí)現焊線(xiàn)封裝器件中的主要散熱通道是從結參考點(diǎn)到印刷電路板（PCB）上的焊點(diǎn)，如圖1所示。按照一階近似的簡(jiǎn)單算法，次要功耗通道的影響（如圖所示）在熱阻計算中可以忽略不計。焊線(xiàn)器件中的散熱通道夾片粘合器件中的雙熱傳導通道夾片粘合封裝在散熱上與焊線(xiàn)封裝的區別在于，器件結的熱量可以沿兩條不同的通道耗散出去，即通
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AN90039用于汽車(chē)以太網(wǎng)應用的ESD保護器件（100Base-T1、1000Base-T1）（下）
- 本應用筆記介紹適用于 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 的現代半導體 ESD 保護器件的特性。ESD 保護器件的作用是實(shí)現穩健的系統，使系統能夠承受破壞性的 ESD 事件并提供更高的EMC性能。本文提供了使用共模扼流圈（CMC）來(lái)增強這種耐受性的建議。04 ESD保護器件的SI和影響4.1. PCB 層疊汽車(chē)應用最常用的是四層或更多層的印刷電路板（PCB）。大規模生產(chǎn)中的大多數應用通?；跇藴实?FR4 PCB 技術(shù)。典型 PCB 層疊及尺寸如圖 11 所示。需要注意的是，這種層疊只是一個(gè)
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用于汽車(chē)以太網(wǎng)應用的ESD保護器件（100Base-T1、1000Base-T1）（上）
- 本應用筆記介紹適用于 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 的現代半導體 ESD 保護器件的特性。ESD 保護器件的作用是實(shí)現穩健的系統，使系統能夠承受破壞性的 ESD 事件并提供更高的EMC性能。本文提供了使用共模扼流圈（CMC）來(lái)增強這種耐受性的建議。本應用筆記分為（上）（下）兩部分，您現在看到的是（上）。01 引言目前有幾種以太網(wǎng)解決方案在工業(yè)和商業(yè)應用中非常流行，但幾十年來(lái)，并沒(méi)有在汽車(chē)領(lǐng)域得到廣泛采用。到 2016 年，汽車(chē)行業(yè)中共推出了 100BASE-T1 和 1000BASE-
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安世半導體致力于為中國汽車(chē)半導體保駕護航
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家，安世半導體今日宣布將再次亮相于2021年11月5日至10日在上海舉辦的第四屆中國國際進(jìn)口博覽會(huì )，介紹安世半導體如何運用邏輯電路、分立器件和MOSFET方面的最新進(jìn)步推動(dòng)全世界電子設計的發(fā)展。 安世半導體首席執行官張學(xué)政表示：“我們非常高興繼2020年首次成功參加第三屆中國國際進(jìn)口博覽會(huì )之后，連續第二年參加此屆盛會(huì )。我們將為與會(huì )領(lǐng)導和來(lái)賓展示安世半導體是如何通過(guò)增加產(chǎn)能、創(chuàng )新和運用氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）和IGBT等新技術(shù)，推動(dòng)中國汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，讓世界變得更美
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安世半導體亮相唯樣直播間
- 2020年8月6日晚21：00，伴隨著(zhù)一聲“謝謝觀(guān)看，我們下期再見(jiàn)”，宣告了本次 唯樣聯(lián)合功率半導體巨頭Nexperia 舉辦的直播活動(dòng)圓滿(mǎn)落幕！繼2020年6月，唯樣商城聯(lián)合Nexperia（安世半導體）舉辦 “超級品牌周” 活動(dòng)之后，雙方再度攜手，共同啟動(dòng)了一場(chǎng) 電子人都聽(tīng)得懂的功率半導體巨頭“直播秀” ！直播以 《首度公開(kāi)：全球半導體基礎元器件高產(chǎn)能巨無(wú)霸養成記》 為主題，從全球半導體巨無(wú)霸Nexperia的前世今生，講到當下備受矚目的 “新基建”的超全市場(chǎng)覆蓋、新一代GaN (氮化鎵) FET解決
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助力新基建，安世半導體升級GaN產(chǎn)品線(xiàn)
- 近日，安世半導體宣布推出新一代H2技術(shù)的全新650V GaN（氮化鎵） FET。重點(diǎn)應用場(chǎng)合包括電動(dòng)汽車(chē)的車(chē)載充電器、高壓DC-DC直流轉換器和發(fā)動(dòng)機牽引逆變器; 1.5~5kW鈦金級工業(yè)電源，用于機架裝配的電信設備、5G設備和數據中心相關(guān)設備。 日前，安世半導體MOS業(yè)務(wù)集團大中華區總監李東岳詳細解析了安世半導體的GaN FET藍圖以及新一代GaN FET的特性。 新一代GaN產(chǎn)品升級 2019年，安世半導體正式推出650V GaN MOSFET，采用級聯(lián)技術(shù)，利用高壓GaN配合低壓
- 關(guān)鍵字： 安世半導體 GaN
安世半導體推出采用LFPAK56封裝的0.57m?產(chǎn)品
- 奈梅亨，2020年2月19日：安世半導體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專(zhuān)家，今日宣布推出有史以來(lái)最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內公認的低壓、低RDS(on)的領(lǐng)先器件，它樹(shù)立了25 V、0.57 m?的新標準。該市場(chǎng)領(lǐng)先的性能利用安世半導體獨特的NextPowerS3技術(shù)實(shí)現，并不影響最大漏極電流(ID(max))、安全工作區(SOA)或柵極電荷QG等其他重要參數。?很多應用均需要超低RDS(on)器件，例如OR
- 關(guān)鍵字： 安世半導體 MOSFET RDS(on)
恒流LED驅動(dòng)器：經(jīng)濟高效、可靠、使用方便
- LEDs are widely used across all market segments. Although high power LEDs need complex driver schemes, the vast majority of applications use LEDs with currents below 500 mA and can be driven by linear constant-current LED drivers. These are easy-to-use, r
- 關(guān)鍵字： 恒流LED驅動(dòng)器 安世半導體
安世半導體介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條安世半導體!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對安世半導體的理解，并與今后在此搜索安世半導體的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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