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場(chǎng)效應晶體管
場(chǎng)效應晶體管 文章 進(jìn)入場(chǎng)效應晶體管技術(shù)社區
EPC新推最小型化的40V、1.1m?場(chǎng)效應晶體管,可實(shí)現最高功率密度
- 宜普電源轉換公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場(chǎng)效應晶體管（EPC2066），為設計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應用。全球行業(yè)領(lǐng)先供應商宜普電源轉換公司 為業(yè)界提供增強型氮化鎵（eGaN?）功率場(chǎng)效應晶體管和集成電路，新推40 V、典型值為0.8 mΩ的EPC2066氮化鎵場(chǎng)效應晶體管，為客戶(hù)提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。EPC2066的低損耗和小尺寸使其成為用于最新服務(wù)器和人工智能的高功率密度、40 V~60 V/12 V DC/
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用場(chǎng)效應管做有膽味的功率放大器
- 摘要：用場(chǎng)效應晶體管設計出有膽味的音頻功率放大器。前級采用單管、甲類(lèi)，后級采用甲乙類(lèi)推挽放大技術(shù)。實(shí)驗證明差分放大器使用的對管的一致性與整機的失真程度密切相關(guān)。從聽(tīng)音效果來(lái)看，末級電流200mA是理想值。前
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場(chǎng)效應晶體管的幾點(diǎn)使用知識！
- 我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來(lái)說(shuō)對晶體場(chǎng)效應管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應管有其獨特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩定性好等，在我們的使用中也是屢見(jiàn)不鮮。我們知道場(chǎng)效應晶體管的種類(lèi)很多，根據結構不同分為結型場(chǎng)效應管和絕緣柵型場(chǎng)效應管;絕緣柵型場(chǎng)效應管又稱(chēng)為金屬氧化物導體場(chǎng)效應管，或簡(jiǎn)稱(chēng)MOS場(chǎng)效應管. 1、如何防止絕緣柵型場(chǎng)效應管擊穿 由于絕緣柵場(chǎng)效應管的輸入阻抗非常高，這本來(lái)是它的優(yōu)點(diǎn)，但在使用上卻帶來(lái)新的問(wèn)題.由于輸入阻抗高，當帶電荷物體一旦靠近柵極時(shí)，在柵極感
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場(chǎng)效應晶體管的幾點(diǎn)使用技巧
- 我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來(lái)說(shuō)對晶體場(chǎng)效應管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應管有其獨特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩定性好等，在我們的使用中也是屢見(jiàn)不鮮。我們知道場(chǎng)效應晶體管的種類(lèi)很多，根據結構不同分為結型場(chǎng)效應管和絕緣柵型場(chǎng)效應管;絕緣柵型場(chǎng)效應管又稱(chēng)為金屬氧化物導體場(chǎng)效應管，或簡(jiǎn)稱(chēng)MOS場(chǎng)效應管. 1、如何防止絕緣柵型場(chǎng)效應管擊穿 由于絕緣柵場(chǎng)效應管的輸入阻抗非常高，這本來(lái)是它的優(yōu)點(diǎn)，但在使用上卻帶來(lái)新的問(wèn)題.由于輸入阻抗高，當帶電荷物體一旦靠近柵極時(shí)，在柵極感
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場(chǎng)效應晶體管的幾點(diǎn)使用知識
- 我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來(lái)說(shuō)對晶體場(chǎng)效應管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應管有其獨特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩定性好等，在我們的使用中也是屢見(jiàn)不鮮。我們知道場(chǎng)效應晶體管的種類(lèi)很多，根據結構不同分為結型場(chǎng)效應管和絕緣柵型場(chǎng)效應管;絕緣柵型場(chǎng)效應管又稱(chēng)為金屬氧化物導體場(chǎng)效應管，或簡(jiǎn)稱(chēng)MOS場(chǎng)效應管. 1、如何防止絕緣柵型場(chǎng)效應管擊穿 由于絕緣柵場(chǎng)效應管的輸入阻抗非常高，這本來(lái)是它的優(yōu)點(diǎn)，但在使用上卻帶來(lái)新的問(wèn)題.由于輸入阻抗高，當帶電荷物體一旦靠近柵極時(shí)，在柵極感應出來(lái)的
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波音和通用實(shí)驗室研發(fā)出GaN CMOS場(chǎng)效應晶體管
- 由美國波音公司和通用汽車(chē)公司擁有的研發(fā)實(shí)驗室-HRL實(shí)驗室已經(jīng)宣布其實(shí)現互補金屬氧化物半導體(CMOS)FET技術(shù)的首次展示。該研究結果發(fā)表于2016年1月6日的inieee電子器件快報上。 在此過(guò)程中，該實(shí)驗室已經(jīng)確定半導體的卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用。這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉換電路的備選技術(shù)鋪平了道路。 氮化鎵晶體管在電源開(kāi)關(guān)和微波/毫米波應用中有出色的表現，但該潛力還未用于集成功率轉換。“除非快速切換GaN功率晶體管在電源電路中故意放緩，否
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場(chǎng)效應晶體管的幾點(diǎn)使用知識！
- 簡(jiǎn)介：我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來(lái)說(shuō)對晶體場(chǎng)效應管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應管有其獨特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩定性好等，在我們的使用中也是屢見(jiàn)不鮮。我們知道場(chǎng)效應晶體管的種類(lèi)很多，根據結構不同分為結型場(chǎng)效應管和絕緣柵型場(chǎng)效應管;絕緣柵型場(chǎng)效應管又稱(chēng)為金屬氧化物導體場(chǎng)效應管，或簡(jiǎn)稱(chēng)MOS場(chǎng)效應管. 1、如何防止絕緣柵型場(chǎng)效應管擊穿 由于絕緣柵場(chǎng)效應管的輸入阻抗非常高，這本來(lái)是它的優(yōu)點(diǎn)，但在使用上卻帶來(lái)新的問(wèn)題.由于輸入阻抗高，當帶電荷物體一旦靠近柵極時(shí)，在
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美科學(xué)家解開(kāi)有機半導體性能之謎
- 據科學(xué)日報報道，有機半導體因發(fā)光二極管(LED)、場(chǎng)效應晶體管(FETs)和光伏電池而獲獎，由于它們可以通過(guò)溶液打印，它們提供了相對基于硅設備的高度可伸縮、成本效益較高的替代方案。然而，性能表現參差不齊有機半導體是一直存在的問(wèn)題?？茖W(xué)家們知道性能問(wèn)題源于有機半導體薄膜內部的界面，但卻一直不清楚背后的原因，這一謎題直到近期才被解決。 混雜的隨機排列的納米微晶，后者在溶液澆鑄時(shí)會(huì )被動(dòng)力學(xué)圍困 美國能源部(DOE)勞倫斯伯克利國家實(shí)驗室的科學(xué)家、美國加州大學(xué)伯克利分校的娜奧美·金斯
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宜普電源轉換公司（EPC）推出專(zhuān)為電信、工業(yè)及醫療應用的降壓轉換器演示板
- 宜普電源轉換公司推出全功能降壓型功率轉換演示電路 -- EPC9118演示板，可支持30 V至60 V輸入電壓并轉至5 V、 具20 A最高輸出電流及400 kHz頻率的降壓轉換器。它采用EPC2001 及EPC2015增強型氮化鎵(eGaN?)場(chǎng)效應晶體管(FET)及LTC3891降壓控制器。這個(gè)降壓轉換器設計是電信、工業(yè)及醫療應用所需的配電解決方案的理想設計。 EPC9118演示板在小型版圖上(1” x 1.3”)包含全功率級(包括氮化鎵場(chǎng)效應晶體管、驅動(dòng)器、
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東芝推出雙單極步進(jìn)電機驅動(dòng)器IC
- 采用80V(絕對最大額定值)高電壓工藝實(shí)現小型封裝東京—東芝公司今天宣布推出適用于步進(jìn)電機的一款雙單極電機驅動(dòng)器芯片(IC)TB67S158。樣品出貨即日啟動(dòng)，而批量生產(chǎn)計劃于10月啟動(dòng)。 娛樂(lè )游戲機、家用電器和工業(yè)設備等產(chǎn)品所需的電機和驅動(dòng)器IC數量正在日益增加。除此以外，制造商也正被要求縮小其設備尺寸，以節省空間，降低能耗。因此，人們日益期望驅動(dòng)器IC能夠在驅動(dòng)電機中扮演多重角色。 ? 東芝目前的驅動(dòng)器IC“TB67S149”只能控制一個(gè)
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宜普電源轉換公司推出符合A4WP規格的高效無(wú)線(xiàn)電源傳送演示套件
- 由于氮化鎵場(chǎng)效應晶體管(eGaN® FET)具備卓越性能例如具低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及小尺寸，它是高度諧振并符合Rezence無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟(A4WP)規格的無(wú)線(xiàn)電源傳送系統的理想器件，可提高系統的效率。 宜普電源轉換公司宣布推出無(wú)線(xiàn)電源轉換演示套件。該套件備有40 V(EPC9111)及100 V(EPC9112)器件并包含以下三個(gè)組件： 發(fā)射板(或放大器) 符合A4WP等級3規格的發(fā)射線(xiàn)圈 符合A4WP類(lèi)別3規格、包含線(xiàn)圈的接收板 該系統可傳送達35
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葡萄牙成功研制全球首個(gè)紙質(zhì)晶體管
- 葡萄牙新里斯本大學(xué)（New University of Lisbon）的研究人員于日前成功研制了全球首款用紙層制成的晶體管，這種晶體管比采用氧化物半導體制成的普通薄膜晶體管（TFT）更具競爭力。 據負責此項研究的Elvira Fortunato和Rodrigo Martins透露，這種新型晶體管具備與采用氧化物半導體制成的薄膜晶體管一樣的性能，紙質(zhì)晶體管可以用在紙質(zhì)顯示屏、智能標簽、生物程序和RFID（無(wú)線(xiàn)射頻識別）電子標簽等新型電子設備中。雖然目前業(yè)界十分看重采用生物高聚物的低成本電子產(chǎn)品
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電源應用中場(chǎng)效應晶體管的崩潰效應
- 前言： 在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 轉換器設計中 , 使用場(chǎng)效應晶體管當作切換開(kāi)關(guān)已經(jīng)越來(lái)越普遍。在設計中為了減少尺寸大小和提升電源密度 , 其電源操作工作頻率也要求越來(lái)越高。如此會(huì )造成較高的 di/dt 產(chǎn)生使得雜散電感效應加諸于場(chǎng)效應晶體管兩端 (Drain & Source) 的瞬間電壓會(huì )更加明顯。尤其在電源開(kāi)機的霎那間 , 此瞬間電壓會(huì )達到最大值。這是由于變壓器一次側電感值相當于漏電感 ( 最小電感值 ) 而且輸出電容
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用于有源電力濾波器的IGBT驅動(dòng)及保護研究
- l 前言 絕緣柵場(chǎng)效應晶體管(IGBT)作為一種復合型器件，集成了MOSFET的電壓驅動(dòng)和高開(kāi)關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點(diǎn)，在電機控制、開(kāi)關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領(lǐng)域中有著(zhù)廣泛的應用。本文對應用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專(zhuān)有EXB84l型驅動(dòng)器的設計進(jìn)行討論，并提出一種具有完善保護功能的驅動(dòng)電路。 有源電力濾波器設計中應用4個(gè)IGBT作為開(kāi)關(guān)，并用4個(gè)EXB84l組成驅動(dòng)電路，其原理如圖l所示。在實(shí)驗中，根據補償電流與指令電流的關(guān)系，用數字信號處理器(DSP
- 關(guān)鍵字： IGBT MOSFET 場(chǎng)效應晶體管 電源
東芝發(fā)布最高Ku波段輸出功率的氮化鎵功率場(chǎng)效應晶體管
- 東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布其已開(kāi)發(fā)了用于Ku波段(12GHz到18GHz)頻率范圍的氮化鎵(GaN)功率場(chǎng)效應晶體管(FET)，使該頻率范圍在14.5GHz上實(shí)現了65.4瓦的輸出功率，這也是迄今為止該頻率范圍所能支持的最高性能水平。該新型晶體管主要應用于衛星微波通信基站，用以傳輸包括高清晰廣播在內的大容量信號。東芝公司計劃于2007年底供應該新型功率場(chǎng)效應晶體管的樣品，并于2008年3月底進(jìn)行大規模生產(chǎn)。 Ku波
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 東芝 場(chǎng)效應晶體管 MCU和嵌入式微處理器
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場(chǎng)效應晶體管介紹
場(chǎng)效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應管。由多數載流子參與導電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優(yōu)點(diǎn)，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
場(chǎng)效應管-基本特點(diǎn)
方型場(chǎng)效應管
場(chǎng)效應管屬于電壓控制元 [ 查看詳細 ]
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