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AM-OLED顯示器件制程解析

  • OLED顯示技術(shù)被稱(chēng)為是第三代顯示技術(shù)，正是基于這種說(shuō)法，中國大陸的OLED產(chǎn)業(yè)才得以蓬勃發(fā)展，不少公司都在爭先恐后的投入巨資建設OLED顯示器件生產(chǎn)線(xiàn)，原因很簡(jiǎn)單，那就是我們在CRT和LCD時(shí)代均落后于人，希望能在OL
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新型DDS器件產(chǎn)生正弦波信號和各種調制信號的設

  • 1 引言　　為了精確地輸出正弦波、調幅波、調頻波、PSK及ASK等信號，并依據直接數字頻率合成(Direct Digital ...
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運用PSD系列器件進(jìn)行單片機外圍電路擴展

  • 1　引言典型的微控制器（MCS51系列，MCS98系列，M68000系列，PIC系列等）片的內部都集成了少量的RAM、ROM及計數器，具有有限的 I／O能力，這在構成一般小型應用系統時(shí)，或許可以滿(mǎn)足開(kāi)發(fā)者的需求。但對于大型的單片機
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信號完整性和器件的特性阻抗

  • 在您努力想要穩定板上的各種信號時(shí)，信號完整性問(wèn)題會(huì )帶來(lái)一些麻煩。IBIS 模型是解決這些問(wèn)題的一種簡(jiǎn)單方法。您可以利用 IBIS 模型提取出一些重要的變量，用于進(jìn)行信號完整性計算和尋找 PCB 設計的解決方案。您從 I
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常用過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)溫保護器件之選型技巧

  • 中心議題： 過(guò)壓保護器件的選型要點(diǎn) 過(guò)流保護器件的選型技巧 過(guò)溫保護器件的選型考慮
    隨著(zhù)電子系統的復雜性和集成度越來(lái)越高，而工作電壓越來(lái)越低，電子系統對可靠性、穩定性和安全性的要求也越來(lái)越高，電
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PPTC器件保護汽車(chē)電子設備免受電源極性反接的損害

  • 中心議題： 汽車(chē)電子設備電源極性接反的傳統二極管保護方式 汽車(chē)電子設備電源極性接反的聚合物正溫度系數保護方式解決方案： 大功率MOSFET電路的保護 電機保護
    汽車(chē)電子設備必須具備應對電源極性接反故
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新型DDS器件產(chǎn)生正弦波信號和各種調制信號的設計

  • 1 引言
    為了精確地輸出正弦波、調幅波、調頻波、PSK及ASK等信號，并依據直接數字頻率合成(Direct Digital FrequencySvnthesizer，簡(jiǎn)稱(chēng)DDFS)技術(shù)及各種調制信號相關(guān)原理，設計了一種采用新型DDS器件產(chǎn)生正弦波信
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賽靈思演示ships Zynq-7000器件

  • 　　近日在A(yíng)ETC(歐洲的ARM技術(shù)會(huì )議)，賽靈思公司宣布，該公司現已開(kāi)始發(fā)售其Zynq-7000 EPP(擴展式處理平臺)設備，并運行一個(gè)基于Linux的應用程序的設備，提供了第一個(gè)公開(kāi)演示。 　　Zynq-7020 EPP最初的樣品目前正在出貨為早期試用計劃的參與者，跟蹤生產(chǎn)合格的零件使其走向正規，在2012年下半年開(kāi)始出貨。 　　“自從我們在2010年4月首次推出的可擴展處理平臺程序以來(lái)，我們很高興的看到早期客戶(hù)充分利用他們所完成并運用他們的系統對這些設備”Lawrenc
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多個(gè)AD9779TxDAC器件的同步

  • 簡(jiǎn)介

    　　AD9779 TxDAC的DAC輸出采樣速率最高可達1 GSPS.在某些應用中，例如需要波束導引的應用，用戶(hù)可以同步多個(gè)AD9779.因此，當AD9779以接近最高速度工作時(shí)，TxDAC時(shí)序特性變得至關(guān)重要。

    　　本應用筆記不
  • 關(guān)鍵字： TxDAC  9779  AD  器件    

2011年未來(lái)電子技術(shù)發(fā)展與專(zhuān)業(yè)人才培養高峰論壇

  • 　　作為一年一度大學(xué)生人才培養與創(chuàng )業(yè)指導的重要活動(dòng)，“2011年未來(lái)電子技術(shù)發(fā)展與專(zhuān)業(yè)人才培養高峰論壇”秉承前一屆的成功經(jīng)驗，于2011年12月9日在北京會(huì )議中心如期舉行。 　　本次論壇是由中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院主辦，由賽迪顧問(wèn)股份有限公司承辦，日本村田制作所贊助。以“成長(cháng)于信息時(shí)代 奮斗于電子夢(mèng)想”為主題，圍繞“電子技術(shù)發(fā)展現狀與趨勢展望”、“下一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)領(lǐng)域解析”與“大學(xué)生學(xué)習與
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功率器件IGBT在不間斷電源（UPS）中的應用

  • 1. 引言
    　　
    在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT 成為
  • 關(guān)鍵字： UPS  應用  電源  間斷  器件  IGBT  功率  

PLD器件的應用

  • 10.4 PLD器件的應用10.4.1 可編程器件的開(kāi)發(fā)系統10.4.2 ABEL硬件描述語(yǔ)言一、ABEL源文件的結構二、ABEL的基本語(yǔ)法10.4.3 應用舉例10.4 PLD器件的應用10.4.1 可編程器件的開(kāi)發(fā)系統10.4.2 ABEL硬件描述語(yǔ)言一、ABEL源文
  • 關(guān)鍵字： PLD  器件    

半導體制程簡(jiǎn)史

  • 當線(xiàn)寬遠高于10微米時(shí)，純凈度還不像今天的器件生產(chǎn)中那樣至關(guān)緊要。旦隨著(zhù)器件變得越來(lái)越集成， 超凈間也變得越來(lái)越干凈。今天，工廠(chǎng)內是加壓過(guò)濾空氣，來(lái)去除哪怕那些可能留在芯片上并形成缺陷的最小的粒子。半導體制造車(chē)間里的工人被要求著(zhù)超凈服來(lái)保護器件不被人類(lèi)污染。
  • 關(guān)鍵字： 半導體  器件  芯片  

基于IGBT器件的大功率DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)研究

  • 中心議題： 大功率直流電源的拓撲結構 大功率直流電源的控制方案 電源的數據傳輸拓撲結構
    本文基于IGBT器件，利用DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)設計大功率直流電源。該電源可用作EAST托卡馬克裝置中的大功率垂直位移快
  • 關(guān)鍵字： 電源  技術(shù)  研究  DC/DC  大功率  IGBT  器件  基于  

IGBT及其子器件的四種失效模式比較

  • 摘要：本文通過(guò)案例和實(shí)驗，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。

    關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

  • 關(guān)鍵字： 模式  比較  失效  器件  及其  IGBT  
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器件介紹

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