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新日本無(wú)線(xiàn)推出電子音量控制器MUSES72320

  • 新日本無(wú)線(xiàn)推出的MUSES系列，有運算放大器MUSES01/02及MUSES8820，其已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)、銷(xiāo)售，受到了從高檔音響設備廠(chǎng)商到自制音響的音響發(fā)燒友們的高度好評。作為元器件廠(chǎng)商，想向更多的音響發(fā)燒友們提供高音質(zhì)解決方案，在沿襲以往的開(kāi)發(fā)理念的基礎之上，又重新推出了一款MUSES新系列，MUSES電子音量控制器MUSES72320。
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IC和蓄電技術(shù)相結合的光電轉換器件

  • 以照明的光線(xiàn)作為遙控器和鐘表的電源，無(wú)需布線(xiàn)即可使傳感器網(wǎng)絡(luò )遍布家中——羅姆正在開(kāi)發(fā)為這種環(huán)境實(shí)現的太陽(yáng)能發(fā)電面板。那就是色素增感型光電轉換元件（Dye Sensitized Solar Cell，以下DSC）?！　‰m
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技術(shù)深入了解：電源管理——原理、問(wèn)題和器件

  • 電源設計工程師通常采用靈活的電源監控、時(shí)序控制和調節電路對系統進(jìn)行管理。本文主要討論電源管理的原理和...
  • 關(guān)鍵字： 電源管理  原理、問(wèn)題、器件  

DDS器件AD9858實(shí)現復雜雷達信號源

  • 摘 要：本文簡(jiǎn)要介紹DDS器件AD9858的系統結構和基本原理,以及使用AD9858實(shí)現復雜雷達信號源的原理和方法,并以AD9858產(chǎn)生二相碼為例,說(shuō)明了AD9858的基本特點(diǎn)和使用中應該注意的一些問(wèn)題?！　￡P(guān)鍵詞：復雜雷達信號源;
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應用于負電源的電平位移電路及器件設計

  • 摘要：本文設計了一種應用于負電源的電平位移電路。實(shí)現從0～8V低壓邏輯輸入到8～-100V高壓驅動(dòng)輸出的轉換。分析了該電路的結構和工作原理?；诖穗娐方Y構設計了滿(mǎn)足應用要求的高壓薄膜SOI LDMOS器件。分析了器件的
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常用進(jìn)口半導體器件型號命名

  • 常用進(jìn)口半導體器件型號命名表 2 進(jìn)口半導體器件命名 表 3 韓國三星電子三極管特性 ...
  • 關(guān)鍵字： 半導體  器件  

LED照明器件與系統設計因素

  • 一 前言　　設計者們給發(fā)光二極管—LED和陣列作光源設計的供電電源，稱(chēng)之為L(cháng)ED電子驅動(dòng)器。對于LED照明器件和系統而言，LED光源本身就是其電子封裝組成的一部分。這種給LED陣列提供能源并對其進(jìn)行控制的電子驅動(dòng)
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用非傳統MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

  • 我們發(fā)現日益改進(jìn)的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點(diǎn)，新型晶體管結構和材料拓展了性能?功耗設計空間，使之超躍了傳統的本體硅晶體管。最終，通過(guò)構成一個(gè)由多層系統-電路-器件電源管理生態(tài)系統構成的底層，晶體管的創(chuàng )新將會(huì )繼續在定義下一代提高功效的策略時(shí)發(fā)揮關(guān)鍵作用。

  • 關(guān)鍵字： CMOS  器件  功效  功率  提高  MOSFET  方案  非傳統  

完全自保護MOSFET功率器件分析

  • 為了提高系統可靠性并降低保修成本，設計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統造成高代價(jià)的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來(lái)實(shí)現，但是在更多情況下，設計人員使用完全
  • 關(guān)鍵字： 器件  分析  功率  MOSFET  保護  完全  

兼容性和可靠性是LED照明器件與系統設計的關(guān)鍵因素

  • 　一　引言　　隨著(zhù)人類(lèi)科技的不斷發(fā)展，我們星球的夜晚變得越來(lái)越明亮，越來(lái)越絢爛，在這些變化的背后，是不斷發(fā)展的照明技術(shù)。在照明技術(shù)的開(kāi)發(fā)及制造中使用的電子系統和元器件改變了照明設備及系統的未來(lái)?？v觀(guān)照
  • 關(guān)鍵字： 設計  關(guān)鍵  因素  系統  器件  可靠性  LED  照明  兼容性  

基于A(yíng)tlas的MFIS結構器件電學(xué)性能模擬

  • 摘要 利用Atlas器件模擬軟件，對MFIS結構器件的C—V特性及記憶窗口進(jìn)行模擬。討論了應用電壓、絕緣層厚度及絕緣層材料等因素，對MFIS結構器件記憶能力及穩定性的影響，為MFIS結構器件的設計和性能提高提供了參考
  • 關(guān)鍵字： 電學(xué)  性能  模擬  器件  結構  Atlas  MFIS  基于  

新型雷達設計:分立器件抑或集成

  • 雷達是一項極具發(fā)展前途的駕駛員輔助技術(shù)。雷達系統能夠大大降低事故的發(fā)生頻率和嚴重程度，特別是那些與駕駛員分心相關(guān)的事故。在許多國家，汽車(chē)安全立法促進(jìn)了行車(chē)安全，駕駛員死亡率降至歷史最低水平，同時(shí)推動(dòng)了
  • 關(guān)鍵字： 抑或  集成  器件  分立  雷達  設計  新型  

FPGA器件的在線(xiàn)配置方法

  • FPGA器件的在線(xiàn)配置方法,摘要：介紹基于SRAM LUT結構的FPGA器件的上電配置方式；著(zhù)重介紹采用計算機串口下載配置數據的方法和AT89C2051單片機、串行EEPROM組成的串行配置系統的設計方法及實(shí)現多任務(wù)電路結構中配置的方法，并從系統的復雜度、
  • 關(guān)鍵字： 方法  配置  在線(xiàn)  器件  FPGA  

數字接收機中高性能ADC和射頻器件的動(dòng)態(tài)性能要求

  • 摘要：基站系統(BTS)需要在符合各種不同標準的同時(shí)滿(mǎn)足信號鏈路的指標要求。本文介紹了一些信號鏈路器件，例如：高動(dòng)態(tài)性能ADC，可變增益放大器，混頻器和本振，詳細介紹了它們在典型的基站中的使用，能夠滿(mǎn)足基站對
  • 關(guān)鍵字： 器件  動(dòng)態(tài)  性能  要求  射頻  ADC  接收機  中高  高性  數字  

分析復雜器件內部的實(shí)時(shí)可視性的設計方法

  • 分析復雜器件內部的實(shí)時(shí)可視性的設計方法,　如果在一個(gè)系統中擁有幾個(gè)處理器和外設，要開(kāi)發(fā)具有成本效益、可靠的產(chǎn)品，尤其是在今天很短的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間的條件下，了解所有這些芯片的實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)特性將變得非常重要。實(shí)時(shí)嵌入式系統越來(lái)越多地在多內核ASIC或系統
  • 關(guān)鍵字： 可視性  設計  方法  實(shí)時(shí)  內部  復雜  器件  分析  
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器件介紹

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