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借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積
- 近日在中國深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂(lè )系統制造商任職的設計師。“您碰巧在設計中用過(guò)60V的負載開(kāi)關(guān)嗎?”我問(wèn)。他說(shuō)用過(guò)，并告訴我他的電路板包含了大約10個(gè)30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，您有遇到過(guò)空間受限的問(wèn)題嗎?”我問(wèn)。他確實(shí)碰到過(guò)，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息，RDS(ON)不到60m&Omeg
- 關(guān)鍵字： SOT-23 MOSFET
英飛凌新型SOT-223封裝滿(mǎn)足低成本需求
- 英飛凌科技(InfineonTechnologies)擴展采用SOT-223封裝的CoolMOSCE產(chǎn)品組合。采用此封裝的英飛凌CoolMOS，可在DPAK之外提供另一項具成本效益的選擇，也能在部份設計中節省空間，并降低功耗。SOT-223封裝不含中間針腳，完全相容于一般DPAK封裝，可直接取代DPAK。此全新封裝專(zhuān)為L(cháng)ED照明及行動(dòng)充電器應用所設計。 新型SOT-223封裝能夠滿(mǎn)足成本縮減的需求，是價(jià)格敏感應用的理想選擇。封裝尺寸縮小后，不僅降低了成本，同時(shí)維持與既有DPAK封裝的相容性。采用
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SOT-223
以經(jīng)濟合算的方式采用SOT-223封裝的CoolMOS CE直接替換DPAK器件
- 英飛凌科技股份公司采用SOT-223封裝進(jìn)一步擴充CoolMOS? CE產(chǎn)品系列的陣容。對于英飛凌CoolMOS而言，該封裝是針對DPAK的一種經(jīng)濟性備選方案，同時(shí)能在某些耗散功率較低的設計中節省空間。去除了中間引腳的SOT-223封裝完全兼容典型的DPAK封裝，可被用于直接替換DPAK。該新封裝瞄準的是客戶(hù)在LED照明和手機充電器等應用的設計?！ ⊥ㄟ^(guò)簡(jiǎn)便易行的引腳對引腳替換實(shí)現低成本 全新SOT-223封裝能滿(mǎn)足價(jià)格敏感型應用對于降低成本的需求。這可以通過(guò)縮小封裝尺寸，同時(shí)保持封裝與原
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SOT-223
以經(jīng)濟合算的方式采用SOT-223封裝的CoolMOS CE直接替換DPAK器件
- 英飛凌科技股份公司采用SOT-223封裝進(jìn)一步擴充CoolMOS? CE產(chǎn)品系列的陣容。對于英飛凌CoolMOS而言，該封裝是針對DPAK的一種經(jīng)濟性備選方案，同時(shí)能在某些耗散功率較低的設計中節省空間。去除了中間引腳的SOT-223封裝完全兼容典型的DPAK封裝，可被用于直接替換DPAK。該新封裝瞄準的是客戶(hù)在LED照明和手機充電器等應用的設計?！ ⊥ㄟ^(guò)簡(jiǎn)便易行的引腳對引腳替換實(shí)現低成本 全新SOT-223封裝能滿(mǎn)足價(jià)格敏感型應用對于降低成本的需求。這可以通過(guò)縮小封裝尺寸，同時(shí)保持封裝與原
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SOT-223
采用 SOT-23 封裝的微功率 80V 輸入LDO，現可提供 55oC 至 +125oC 軍用 MP 級版本
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LT3014B 的軍用 MP 級版本，該高電壓、微功率、低壓差穩壓器能夠提供 20mA 輸出電流。LT3014B 可在 3V 至 80V 的連續輸入電壓范圍內工作，并產(chǎn)生 1.22V至 60V 的輸出電壓和一個(gè) 350mV 的低壓差，非常適用于汽車(chē)、48V 電信備份電源和工業(yè)控制等應用。該器件具有非常低的靜態(tài)電流，工作時(shí)為 7µA，而停機時(shí)為 1µA，這使其成為電池供電型存儲器的“保
- 關(guān)鍵字： 凌力爾特 SOT-23 LT3014B
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