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IDT公司推出業(yè)界首款低功率內存緩沖芯片
- 擁有模擬和數字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出業(yè)界首款低功率DDR3 內存緩沖芯片，可在高達 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運行。通過(guò)提升 DDR3 減少負載雙列直插內存模塊 (LRDIMM) 的最高數據傳輸速率，并使系統制造商獲益于更高速度的內存容量，新器件彰顯了IDT在內存接口解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導者地位。IDT 的內存緩沖芯片是用
- 關(guān)鍵字： IDT DDR3 模擬芯片
RapidIO的應用與未來(lái)
- 在嵌入式設計中，RapidIO是一個(gè)重要的、并得到廣泛應用的接口標準。帶著(zhù)對RapidIO的技術(shù)本身及其未來(lái)前景的疑問(wèn)，筆者借RTA年會(huì )的機會(huì )專(zhuān)訪(fǎng)了據RapidIO行業(yè)協(xié)會(huì )創(chuàng )始人兼執行董事Sam Fuller先生。 RapidIO行業(yè)協(xié)會(huì )創(chuàng )始人兼執行董事Sam Fuller先生 RapidIO行業(yè)協(xié)會(huì )誕生于2000年，其主要目標是為嵌入式系統開(kāi)發(fā)可靠的、 高性能、 基于包交換的互連技術(shù)，2001年正式發(fā)表了第一代RapidIO基本規范，到現在已發(fā)布RapidIO 2.2正式規范，第三的規范
- 關(guān)鍵字： RapidIO IDT PCIe
IDT與英特爾合作開(kāi)發(fā)無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)集成硅解決方案
- 擁有模擬和數字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 日前宣布，英特爾公司已選擇IDT開(kāi)發(fā)一款基于共振技術(shù)的集成發(fā)送器和接收器芯片組，用于英特爾的無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)。
- 關(guān)鍵字： IDT 無(wú)線(xiàn)充電
IDT推出NVM Express企業(yè)級閃存控制器
- IDT?公司(IntegratedDeviceTechnology,Inc.)宣布，已推出業(yè)界首款對PCIe?Gen3提供內部支持的NVM...
- 關(guān)鍵字： IDT
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