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?202310 文章 進(jìn)入?202310技術(shù)社區
通過(guò)碳化硅(SiC)增強電池儲能系統
- 電池可以用來(lái)儲存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統 (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案，改善 BESS 的性能。BESS的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學(xué)儲能、化學(xué)儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶(hù)曉的電化學(xué)儲能系統，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)。此外，鋰離子電池技術(shù)成熟，因
- 關(guān)鍵字： 202310 碳化硅 SiC 電池儲能系統
如何設計容器來(lái)實(shí)踐AI模型的PnP
- 1 前言在本專(zhuān)欄的前面文章《從隱空間看AIGC 的未來(lái)發(fā)展》里，曾經(jīng)提到了，今天全球AIGC 產(chǎn)業(yè)即將進(jìn)入產(chǎn)業(yè)的革命性的轉折點(diǎn)，也逐漸浮現AI 模型容器( 集裝箱) 的身影。而AI 集裝箱將帶給碼頭( 隱空間) 一項美好的次序。一旦我們致力于制定AI 容器的規格，就會(huì )擁有主導未來(lái)AIGC 產(chǎn)業(yè)發(fā)展的話(huà)語(yǔ)權。于是，在本篇文章里，將繼續以實(shí)例詳細說(shuō)明AI容器的設計和實(shí)踐技術(shù)。2 以Stable Diffusion為例首先觀(guān)察SD (Stable Diffusion) 的基本架構，如圖1。
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GPU市場(chǎng)分析:全球視野下的競爭格局與未來(lái)發(fā)展
- 前言談到計算機與GPU 的關(guān)系，就不得不提到IBM 公司在1981 年發(fā)布的世界上第一臺個(gè)人電腦IBM5150，該電腦配備了黑白顯示適配器和彩色圖形適配器，這是最早的圖形顯示控制器。在20 世紀80 年代初期，以GE 芯片為代表的圖形處理器開(kāi)始出現，它具備四位向量的浮點(diǎn)運算功能，可以完成圖形渲染過(guò)程中的矩陣、裁剪、投影等運算，標志著(zhù)計算機圖形學(xué)進(jìn)入以圖形處理器為主導的階段。隨著(zhù)GE 等圖形處理器功能的不斷完善，圖形處理功能也逐漸從CPU 向GPU（前身）轉移。隨著(zhù)時(shí)間進(jìn)入上世紀90 年代，如今GPU 的王
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DPU市場(chǎng)分析
- DPU（數據處理器，Data Processing Unit），是繼CPU和GPU之后的，數據中心第三顆主力芯片。DPU首次由美國公司Fungible 提出，DPU行業(yè)（數據處理單元）是指用于數據處理的各種芯片和處理器。其主要目標是優(yōu)化和提升數據中心效能。DPU是由基礎網(wǎng)卡進(jìn)化而來(lái)，是智能網(wǎng)卡發(fā)展的下一形態(tài)，DPU上游涉及如EDA設計軟件、IP 核、封裝測試、代工等環(huán)節，下游則主要對應數據中心/ 云計算、智能駕駛、數據通信、網(wǎng)絡(luò )安全等領(lǐng)域需求。由于算力提升與數據增幅呈現剪刀差，DPU可有效減少算力損耗。在
- 關(guān)鍵字： 202310 DPU市場(chǎng) DPU
芯耀輝:賦能數字時(shí)代,煥發(fā)中國芯片的耀眼光輝
- 在半導體設計鏈中，IP 授權是其中重要一環(huán)，能夠大幅幫助芯片企業(yè)提升設計能力并縮短設計時(shí)間。芯片設計公司的不斷增加擴大了芯片IP 授權市場(chǎng)的規模和多樣性，為IP 供應商帶來(lái)了更多的增長(cháng)機會(huì )，隨著(zhù)越來(lái)越多的IC 設計公司涉足不同領(lǐng)域，如人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子等，對各種類(lèi)型的芯片IP 的需求也在不斷增加。半導體是唯一一個(gè)將IP 授權發(fā)展成一個(gè)細分行業(yè)的工業(yè)領(lǐng)域，根據IPnest 在2023 年4 月最新發(fā)布的“設計IP 報告”，2022 年全球設計IP 市場(chǎng)收入達到了66.7 億美元，高于2021 年的5
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羅姆GaN器件帶來(lái)顛覆性革命：體積減少99%,損耗降低55%
- 引言如今，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為了實(shí)現無(wú)碳社會(huì )，如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì )問(wèn)題。而功率器件是提高其效率的關(guān)鍵，SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。周勁(羅姆半導體(上海)有限公司技術(shù)中心副總經(jīng)理)1 GaN HEMT的突破在功率器件中，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實(shí)現器件小型化的器件備受期待。ROHM 于2022 年將柵極耐壓高達8 V 的150 V 耐壓GaN HEMT 投入量產(chǎn)；2023 年3月，又確
- 關(guān)鍵字： 202310 羅姆 GaN
SuperGaN使氮化鎵產(chǎn)品更高效
- 1 專(zhuān)注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導體領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)，致力于設計和制造用于新世代電力系統的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前處于開(kāi)發(fā)階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項專(zhuān)利，氮化鎵器件為單一業(yè)務(wù)。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業(yè)模式運營(yíng)的上市公司，這意味著(zhù)在器件開(kāi)發(fā)的每個(gè)關(guān)鍵階段，我們均能做到自主可控和創(chuàng )新——包括GaN HEMT 器件設計、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場(chǎng)效應晶體管芯片。
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SiC和GaN的應用優(yōu)勢與技術(shù)挑戰
- 1? ?SiC和GaN應用及優(yōu)勢我們對汽車(chē)、工業(yè)、數據中心和可再生能源等廣泛市場(chǎng)中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應用感興趣。一些具體的例子包括：●? ?電動(dòng)汽車(chē)（EV）：SiC和GaN 可用于電動(dòng)汽車(chē)，以提高效率、續航里程和整車(chē)性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車(chē)載充電，以減少功率損耗并提高效率?！? ?數據中心：SiC 和GaN 可用于數據中心電源，以提高效率并降低運營(yíng)成本?！? ?可再生能
- 關(guān)鍵字： 202310 SiC GaN 安世半導體
SiC和GaN的技術(shù)應用挑戰
- 1 SiC和GaN的優(yōu)勢相比傳統MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅動(dòng)損耗和更高的開(kāi)關(guān)速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車(chē)牽引逆變器、車(chē)載充電器和直流/ 直流轉換器、大功率太陽(yáng)能發(fā)電站和大型三相電網(wǎng)變流器等應用。SiC 進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間略長(cháng)，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導通電阻。
- 關(guān)鍵字： 202310 納芯微 SiC GaN
東芝在SiC和GaN的技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng )新
- 1 SiC、GaN相比傳統方案的優(yōu)勢雖然硅功率器件目前占據主導地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿(mǎn)足要求高效率和小尺寸的千瓦級應用。最為重要的一點(diǎn)，SiC 的擊穿場(chǎng)是硅的10 倍。由于這種性質(zhì)，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開(kāi)關(guān)器件。此外，SiC 的導熱系數大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
- 關(guān)鍵字： 202310 東芝 SiC GaN
ST在SiC和GaN的發(fā)展簡(jiǎn)況
- ST（ 意法半導體） 關(guān)注電動(dòng)汽車(chē)、充電基礎設施、可再生能源和工業(yè)應用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應用領(lǐng)域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業(yè)界最低的通態(tài)電阻，可以實(shí)現能效和功率密度更高的產(chǎn)品設計。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強型HEMT 開(kāi)關(guān)管用于開(kāi)發(fā)超快速充電和高頻功率轉換應用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統變得尺寸更小，重量更輕，開(kāi)關(guān)和導通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
- 關(guān)鍵字： 202310 意法半導體 SiC GaN
攻克SiC的發(fā)展瓶頸,推進(jìn)在汽車(chē)和工業(yè)中的應用
- 1 SiC的應用優(yōu)勢Bryan Lu：碳化硅（SiC）是新一代寬禁帶（WBG）半導體材料，具有出色的RDS(ON)*Qg品質(zhì)因數（FoM）和低反向恢復電荷（Qrr），特別適用于具有挑戰性的應用，尤其是高壓大電流等應用場(chǎng)景，主驅逆變器采用SiC，可提升系統的效率，進(jìn)而使得在相同的電池容量下里程數得以提升。OBC（車(chē)載充電機）采用SiC，可實(shí)現更高的能效和功率密度。隨著(zhù)汽車(chē)市場(chǎng)向800 V 高壓系統發(fā)展，SiC 在高壓下的低阻抗、高速等優(yōu)勢將更能體現。Mrinal K.Das博士(安森美電源方案事業(yè)群先進(jìn)電源
- 關(guān)鍵字： 202310 SiC 安森美
比起智能大腦，也許讓汽車(chē)擁有“本能”控制更重要
- 說(shuō)起自動(dòng)駕駛想必各位讀者都不陌生，大家是不是習慣性理解為“大腦+電機”就能組成一臺自動(dòng)駕駛汽車(chē)呢？就在前兩天，恩智浦2023首席技術(shù)官媒體交流會(huì )上，恩智浦半導體執行副總裁兼首席技術(shù)官Lars Reger先生針對這一概念，向我們拋出一個(gè)問(wèn)題：“如果你認為自動(dòng)駕駛就是讓一臺普通汽車(chē)擁有大腦，那么你愿意讓ChatGPT幫你開(kāi)車(chē)嗎？”很顯然，我們在座各位都不會(huì )同意這一方案，畢竟誰(shuí)能放心完全把自己的性命交給人工智能手里呢？于是，Lars Reger向我們介紹了恩智浦對于自動(dòng)駕駛領(lǐng)域的獨特見(jiàn)解，以及他們正在幫助世界實(shí)
- 關(guān)鍵字： 202310 恩智浦 自動(dòng)駕駛 智能汽車(chē) 車(chē)身控制
?202310介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條?202310!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對?202310的理解，并與今后在此搜索?202310的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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