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ASM太平洋料半導體行業(yè)已見(jiàn)底
- ASM太平洋行政總裁李偉光表示，公司訂單表現反映半導體行業(yè)周期，已于去年第四季已經(jīng)見(jiàn)底，客戶(hù)亦恢復信心，相信未來(lái)會(huì )維持平穩增長(cháng)，但與去年強勁增速情況不同。他預期，隨著(zhù)新訂單于首季反彈，整體營(yíng)業(yè)額及訂單于第二季有改善，未來(lái)毛利率亦會(huì )大幅提升。 他又指，大股東ASM國際減持公司股份，并不代表對公司失去信心，只是因為ASM國際股值嚴重被低估，與公司的市值有10億美元差距，因此大股東計劃透過(guò)分拆旗下業(yè)務(wù)上市，以及減持ASM太平洋股份套現，以收窄兩公司市值的差距。他相信，ASM國際短期內不會(huì )再減持，持股比
- 關(guān)鍵字： ASM 半導體
ASM啟用功新的PowerFill外延技術(shù)的電源設備
- ASM International內華達州，今天推出了其PowerFillTM的外延硅(Epi Si)溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無(wú)縫隙填充。 PowerFill是一個(gè)精湛的工藝技術(shù)，因為它是同類(lèi)流程速度的3倍，降低制造成本，創(chuàng )造了為電源設備設計在設計程度上新的級別。 Fairchild半導體公司是第一家客戶(hù)，以處理其先進(jìn)電源管理器件，已完成其在韓國工廠(chǎng)的核實(shí)。對于這種應用，ASM的PowerFill的處理可以實(shí)現電源管理器件和電路的占用空間，從而減少損耗和生產(chǎn)成本。 &
- 關(guān)鍵字： ASM 電源設備 PowerFill
ASM 啟用功新的 PowerFill 外延技術(shù)的電源設備
- ASM今天推出了其PowerFill(TM)的外延硅(Epi Si)溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無(wú)縫隙填充。 PowerFill是一個(gè)精湛的工藝技術(shù)，因為它是同類(lèi)流程速度的3倍，降低制造成本，創(chuàng )造了為電源設備設計在設計程度上新的級別。 Fairchild半導體公司是第一家客戶(hù)，以處理其先進(jìn)電源管理器件，已完成其在韓國工廠(chǎng)的核實(shí)。對于這種應用，ASM的PowerFill的處理可以實(shí)現電源管理器件和電路的占用空間，從而減少損耗和生產(chǎn)成本。 “對于離散式功率的要求M
- 關(guān)鍵字： ASM 電源管理 PowerFill
ASMI將加速推進(jìn)成本削減計劃
- 荷蘭半導體設備制造商ASM International NV周一稱(chēng)，將加快實(shí)施重組計劃，爭取實(shí)現2010年上半年前削減至少40%的成本。 ASMI并稱(chēng)，這個(gè)新的前端業(yè)務(wù)節流目標比原先預期的更大，且時(shí)間加快了六個(gè)月。 該公司稱(chēng)，計劃在2010年結束前將其全部的全球前端制造業(yè)務(wù)整合到新加坡，會(huì )因此裁減“很多”員工。ASMI預計將裁員約400人，其中包括之前已經(jīng)宣布的200人。 該公司預計需提列6000萬(wàn)-7000萬(wàn)歐元(8500-9900萬(wàn)美元)的重組費用，大部分
- 關(guān)鍵字： ASM 芯片 半導體設備
英特爾投資斥資2730萬(wàn)美元買(mǎi)入ASM 4%股份
- 英特爾旗下風(fēng)險投資部門(mén)英特爾投資(Intel Capital)已經(jīng)買(mǎi)入荷蘭芯片設備制造商ASM International NV 4%的股份。 英特爾投資表示，該公司是在公開(kāi)市場(chǎng)上買(mǎi)入上述股份的。ASM周一收于12.42美元，根據該價(jià)格進(jìn)行計算，英特爾投資買(mǎi)入的220萬(wàn)股ASM股票價(jià)值約為2730萬(wàn)美元。 英特爾投資總裁蘇愛(ài)文(Arvind Sodhani)表示：“設備和材料創(chuàng )新對半導體設備新功能而言至關(guān)重要。我們對ASM的投資是英特爾資本促進(jìn)創(chuàng )新策略的一部分，與英特爾制造技術(shù)
- 關(guān)鍵字： ASM 芯片
臺灣晶圓廠(chǎng)選擇 ASM 提供 High-k ALD工具
- ASM International N.V. 宣布一家臺灣晶圓廠(chǎng)為其28 納米節點(diǎn)high-k 閘極介電層量產(chǎn)制程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(shù)(ALD)工具。 除此之外，此家晶圓廠(chǎng)也將與ASM針對最新世代的high-k閘極技術(shù)進(jìn)行制程開(kāi)發(fā)活動(dòng)。 ASM 在2009年第2季將針對進(jìn)階節點(diǎn)開(kāi)發(fā)計劃提供額外的 Pulsar 制程模塊。該晶圓廠(chǎng)在過(guò)去4年也使用ASM的ALD high-K和金屬閘極設備來(lái)開(kāi)發(fā)其以鉿基材料為基礎的high-k 閘極制程。 納米節點(diǎn)上實(shí)現成功的high-K制程
- 關(guān)鍵字： ASM high-k 晶圓
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