飛兆推出30V同步降壓芯片組

   提高電流密度和開(kāi)關(guān)性能

  飛兆半導體公司推出同步降壓轉換器芯片組，其設計特別利用最新的 IMVP (英特爾移動(dòng)電壓定位) 技術(shù)規范，在筆記本電腦中優(yōu)化效率和空間。通過(guò)飛兆半導體的PowerTrench? MOSFET技術(shù)，高端“控制”MOSFET (FDS6298) 和低端“同步”MOSFET (FDS6299S) 會(huì )構成一個(gè)芯片組，為同步降壓轉換器應用提供更大的電流密度和更高的效率。此外，FDS6299S器件的單片電路SyncFET? 技術(shù)毋須使用外部肖特基二極管，因此能節省電路板空間和裝配成本。 


　　飛兆半導體計算解決方案市務(wù)經(jīng)理David Grey稱(chēng)：“飛兆半導體PowerTrench技術(shù)支持的功能集能夠提高效率。在同步降壓轉換器應用中，性能通常由效率來(lái)衡量。更高的效率往往意味著(zhù)芯片的溫度較低、可靠性更高，以及是改善電磁兼容性或EMI的指標。我們的技術(shù)還減小了由直通引起的大電流尖峰的出現，故此減少了信號振蕩和電磁噪聲輻射

。此外，與需要外部肖特基二極管的解決方案相比，飛兆半導體的FDS6298/FDS6299S芯片組利用配對的集成式SyncFET?器件來(lái)減少組件數目?！?nbsp;

　　這種集成芯片組的米勒電荷 (Miller) Qgd極低，并具有快速的開(kāi)關(guān)速度和小于1的Qgd / Qgs比，以限制交叉導通 (Cross-conduction) 損耗的可能性。除了Vcore設計之外，快速開(kāi)關(guān)FDS6298和低導通阻抗RDS(on) FDS6299S提供了配對使用的好處，非常適合于高端通信設備等應用中的大電流負載點(diǎn) (POL) 轉換器。 

　　這些產(chǎn)品均采用無(wú)鉛SO-8封裝，能達到甚至超越IPC/JEDEC的 J-STD-020B標準要求，并符合現已生效的歐盟標準。 

(轉自www.ednchina.com)