安森美推出用于VR11管理控制器

安森美半導體推出業(yè)內首個(gè)異步雙緣(dual-edge)脈沖寬度調制(PWM)控制器NCP5381。這全新控制器適用于快速瞬流響應和先進(jìn)電源管理極為關(guān)鍵的應用，如奔騰4處理器主板、VRM模塊和圖形卡。

安森美半導體模擬計算產(chǎn)品總監施寶(Michael Stapleton)表示：“通過(guò)使用工作個(gè)人電腦主板，安森美半導體推出了符合VR10和VR11性能的雙緣NCP5381 PWM控制器?？催^(guò)現場(chǎng)展示的客戶(hù)對控制器的印象十分深刻，因為其性能優(yōu)異，可以方便地集成到現有的主板設計中，且最終可以幫助降低其Vcore核心電壓電源管理子系統的總體成本?！?

電平增高和電流轉換更快是長(cháng)期發(fā)展趨勢，故CPU電源設計人員面臨的主要挑戰之一在于特定主板上的CPU電壓必須保持穩定，而有源功率要求有波動(dòng)。NCP5381的設計使電源管理子系統響應用戶(hù)激活高性能計算功能，對負載瞬流的響應明顯比現有業(yè)內單緣、鎖存、時(shí)鐘或同步調制產(chǎn)品更快。這讓子系統的工作頻率更低，而且與現有調制方法相比，保持電容更少、更小。其結果是得到更加緊湊的解決方法，需要更少外部元件，因此比現有解決方法的性?xún)r(jià)比更高。

產(chǎn)品特性
? 雙緣PWM對瞬變負載快速初始響應
? 正在申請專(zhuān)利的動(dòng)態(tài)參考注入(Dynamic Reference Injection)
? +0.5%系統電壓精確度
? 符合VR11的遠程溫度檢測
? 與VR10逆向兼容
? “無(wú)損”差分電感電流檢測

安森美半導體高級副總裁兼模擬產(chǎn)品部總經(jīng)理施禮賢 (Larry Sims) 說(shuō)：“業(yè)內已廣泛認為CPU功率控制--特別是Vcore核心電壓功率控制--的下一步，將需要昂貴的數字控制系統以克服今天同步控制器架構的性能限制。安森美半導體的PWM控制器成功推出后，我們已證明這創(chuàng )新的雙緣架構，能夠為先進(jìn)CPU功率控制提供高性能的解決方案，性?xún)r(jià)比遠高于數字或其他模擬平臺?！?

完整的解決方案 
除NCP5381外，安森美半導體的CPU功率控制4相解決方案還包括四個(gè)獨立12伏 (V) NCP3418B MOSFET門(mén)極驅動(dòng)器，用于同步降壓。這些產(chǎn)品采用SOIC-8和DFN-10無(wú)鉛封裝。八個(gè)25 V、單N-溝道MOSFET也是雙緣Vcore核心電壓子系統解決方案的一部分，包括四個(gè)45安培(A)的NTD50N03R MOSFET和四個(gè)65 A的NTD65N03R MOSFET。這些器件的RDS(ON)門(mén)極電荷以及逆向恢復電荷較小，而且使用無(wú)鉛DPAK封裝。一個(gè)驅動(dòng)器和兩個(gè)MOSFET用于驅動(dòng)NCP5381的四個(gè)輸出相位。

供貨日期
NCP5381MNR2G采用40引腳無(wú)鉛QFN封裝?，F備樣品供索，計劃于2006年第一季度投入生產(chǎn)。更多信息，請發(fā)送郵件至Michael.Stapleton@onsemi.com或致電1-602-244-5027與Mike Stapleton聯(lián)系。

NCP5381拓展了安森美半導體現有計算應用中的DDR控制器、通用控制器、MOSFET和分立產(chǎn)品的產(chǎn)品系列。