三維電子晶體制造新工藝問(wèn)世

　　日本京都大學(xué)大學(xué)院工學(xué)研究科的一個(gè)研究小組發(fā)布消息稱(chēng),他們開(kāi)發(fā)出一種能夠大大縮短三維電子晶體制造時(shí)間的新工藝.三維電子晶體是一種能自由操縱光的新 型材料,可用來(lái)高速處理光信號以及制造超小型光集成電路片,在下一代量子計算機的開(kāi)發(fā)、新型人造衛星和飛機制造等方面有著(zhù)廣闊的應用前景.

　　據介紹,三維電子晶體的構造是將微小的硅反射板立體的、整齊的排列在一起,具有可自由反射光并實(shí)時(shí)調節發(fā)光強弱的特性.不過(guò)這種新型材料以往制造起來(lái)十分麻煩,必須要使用特制的半導體制造儀器,并通過(guò)顯微鏡進(jìn)行人工精密制造.而以往要制造一個(gè)8層結晶、1厘米見(jiàn)方、2微米厚的晶體大約需要1個(gè)月左右的時(shí)間.

　　日本的研究小組使用了在原料硅板上放置金屬板,再用等離子依據金屬板上排列整齊的傾斜狀孔洞進(jìn)行挖掘的方法,大大節省了三維電子晶體的制造時(shí)間.利用這種新方法,制造一塊8層1厘米見(jiàn)方的晶體只需要4天至5天時(shí)間.研究人員稱(chēng),這種新工藝也將會(huì )大大促進(jìn)超小型光集成電路片等技術(shù)的進(jìn)步.