宏力半導體發(fā)布先進(jìn)的0.13微米嵌入式閃存制程

　　上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體)，專(zhuān)注于差異化技術(shù)的半導體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，發(fā)布其先進(jìn)的0.13微米嵌入式閃存制程。

　　宏力半導體的新0.13微米嵌入式閃存制程結合了其已經(jīng)量產(chǎn)的自對準分柵閃存技術(shù)和自身的0.13微米邏輯技術(shù)。該授權閃存技術(shù)具有單元尺寸小，編程效率高和無(wú)過(guò)度擦除的優(yōu)點(diǎn)，顯著(zhù)減少了嵌入式閃存模塊的面積，在市場(chǎng)上極具競爭力。與此同時(shí)，此新技術(shù)具有極高的耐擦寫(xiě)能力和數據保持特性，可重復擦寫(xiě)10萬(wàn)次，數據可保留100年。

　　該新制程兼容了宏力半導體0.13微米所有的通用和低功耗邏輯制程，易于技術(shù)遷移。此兼容特性可確保讓客戶(hù)購買(mǎi)的標準單元庫和IP效益最大化，從而降低成本。

　　另外，宏力半導體針對SIM card特別提供了低成本高效益的dual-gate解決方案。該方案在0.13微米的低功耗邏輯制程中省去了3.3V器件，因此可以節省光罩層數。

　　“宏力正在進(jìn)行獨立閃存芯片的大批量運行生產(chǎn)，這使我們具有明顯的優(yōu)勢來(lái)確保穩定可靠的嵌入式閃存良率。”宏力半導體市場(chǎng)服務(wù)單位副總裁衛彼得博士表示，“該新技術(shù)可廣泛應用于MCU、USB 密鑰、智能卡、汽車(chē)電子等領(lǐng)域，并為我們的客戶(hù)提供了頗具吸引力的低功率、低成本高效益的平臺。”