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宏力半導體發(fā)布先進(jìn)的0.13微米嵌入式閃存制程

• 　　上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體)，專(zhuān)注于差異化技術(shù)的半導體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，發(fā)布其先進(jìn)的0.13微米嵌入式閃存制程。 　　宏力半導體的新0.13微米嵌入式閃存制程結合了其已經(jīng)量產(chǎn)的自對準分柵閃存技術(shù)和自身的0.13微米邏輯技術(shù)。該授權閃存技術(shù)具有單元尺寸小，編程效率高和無(wú)過(guò)度擦除的優(yōu)點(diǎn)，顯著(zhù)減少了嵌入式閃存模塊的面積，在市場(chǎng)上極具競爭力。與此同時(shí)，此新技術(shù)具有極高的耐擦寫(xiě)能力和數據保持特性，可重復擦寫(xiě)10萬(wàn)次，數據可保留100年。 　　該新制程兼容了宏力半導體0.13微米所有的通用和低
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