高性能的便攜應用ESD保護方案

　　安森美半導體還規劃提供尺寸小至0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm的0201 CSP封裝的ESD器件，保護單條線(xiàn)路，每條線(xiàn)路所占平面面積僅為0.18 mm2。

　　采用安森美半導體半導體保護元件的USB 2.0高速應用保護示例

　　USB 2.0接口在便攜設備中的應用范圍非常普及，在用戶(hù)的日常使用中也有著(zhù)極高的使用頻率，故需要為高速的USB接口提供可靠的ESD保護。圖2顯示的是速度達480 Mbps的USB 2.0高速應用在帶識別(ID)線(xiàn)路及不帶ID線(xiàn)路兩種情況下的簡(jiǎn)明結構示意圖。

　　圖2：USB 2.0高速(480 Mbps)應用結構示意圖。

　　以帶ID線(xiàn)路的圖2 a)為例，應用中需要以電容小于1 pF、小封裝的器件保護3條極高速數據線(xiàn)路(D+、D-和ID)及1條大功率線(xiàn)路(Vbus)。針對這樣的保護需求，既可以采用分立保護方案，如使用3顆ESD9L加1顆ESD9X，也可以采用集成保護方案，如1顆NUP3115UP或NUP4114UP(有1條線(xiàn)路未連接)。

　　而在圖2 b)的應用中，需要以電容小于1 pF、小封裝的器件保護2條極高速數據線(xiàn)路及1條大功率線(xiàn)路(Vbus)。針對這樣的保護需求，同樣既可以采用分立保護方案，如使用2顆ESD9L加1顆ESD9X、1顆ESD7L加1顆ESD9X或1顆ESD11L加1顆ESD9X，也可以使用集成保護方案，如1顆NUP2114UP或1顆NUP4114UP(保護2個(gè)USB端口)。

　　總結：

　　手機、數碼相機等便攜產(chǎn)品中的眾多位置可能遭受ESD脈沖的影響并損壞其中特征尺寸越來(lái)越小、越來(lái)越敏感的集成電路，進(jìn)而影響系統的可靠性。最有效的ESD保護方法是在便攜設備的連接器或端口處放置外部保護元件。測試表明，硅TVS二極管比聚合物和壓敏電阻等無(wú)源元件的鉗位性能更優(yōu)異，而安森美半導體的硅保護元件更是優(yōu)于性能最接近的競爭器件。安森美半導體身為全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應商，為便攜設備的大功率、高速和極高速應用領(lǐng)域提供豐富的高性能硅保護元件系列，其中不少都是當今業(yè)界的領(lǐng)先產(chǎn)品。這些領(lǐng)先產(chǎn)品以極小的封裝提供極低的電容和極低鉗位電壓，非常適合保護USB 2.0高速及HDMI等極高速應用。同時(shí)，客戶(hù)得益于安森美半導體豐富的硅保護元件系列，能夠為其USB 2.0高速等應用靈活地選擇及搭配安森美半導體的硅保護元件，滿(mǎn)足他們的不同應用需求。