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ADC實(shí)現測量數字化的必經(jīng)之路

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作者: 時(shí)間:2005-10-25 來(lái)源: 收藏
高速和低分辨率經(jīng)歷二十年才實(shí)現取樣率從1GS/S到20GS/S的進(jìn)步,但缺少通用芯片可供使用,最近幾年情況有很大改善。溫故而知新,通過(guò)下文的回顧,可以預期高速和較高分辨率的將有更多突破,出現更多的應用。
專(zhuān)用遙遙領(lǐng)先
推動(dòng)ADC取得優(yōu)異成果的主要力量來(lái)自電子測量?jì)x器業(yè)界,為了保持與時(shí)俱進(jìn)的高速信號的測試和分析,自從1960年代開(kāi)始,安捷倫科技和泰克兩家公司,一直不懈努力研發(fā)電子示波器、頻譜分析儀、邏輯分析儀、任意波形發(fā)生器所需的專(zhuān)用集成電路,以期達到測量?jì)x器領(lǐng)先于尖端信號測試的需求。安捷倫和泰克都擁有自己專(zhuān)用集成電路設計和制造部門(mén),目的是保持測量?jì)x器的超性能,在各種儀器專(zhuān)用器件中對ADC投入的力量最強,因為“模擬輸入、數字處理”是現代測量?jì)x器的結構基礎,而溝通模擬和數字的橋梁則非ADC莫屬。對此安捷倫和泰克兩公司為測量業(yè)界創(chuàng )造了奇跡,從新千禧年的2000年開(kāi)始至2005年中期,依靠ADC性能的不斷提升,從取樣率2GS/S和分辨率8位起步,躍進(jìn)到現在的取樣率20GS/S和分辯率8位的最高水平,使數字示波器順利地越過(guò)實(shí)時(shí)帶寬1GHz的難關(guān)走向16GHz,同時(shí)對實(shí)現頻譜分析儀推進(jìn)到6GHz,以及測試有關(guān)2G、2.5G和3G移動(dòng)通信指標的無(wú)線(xiàn)測量系統,高清晰度數字電視測量系統。
我們先回顧泰克研發(fā)GS/S級ADC的專(zhuān)用集成電路的歷程,泰克原來(lái)是一個(gè)全能的示波器供應商,后來(lái)精簡(jiǎn)機構把半導體部門(mén)剝離,但留下一百多名工程師的集成電路開(kāi)發(fā)和支持隊伍,在高速器件方面與IBM微電子部密切合作。兩公司取得成功的關(guān)鍵是采用SiGe材料制作高速ADC等數字示波器前端集成電路,當時(shí)其它競爭對手仍然著(zhù)意開(kāi)發(fā)Si的CMOS集成電路。IBM掌握SiGe的BiCMOS工藝,既可制成雙極模擬電路,亦可生產(chǎn)高速數字電路和混合電路,比Si工藝更適合高性能測量?jì)x器的要求。在1990年后期開(kāi)始取得突破,SiGe的BiCMOS集成電路的晶體管振蕩速度達到60GHz,當時(shí)Si的雙極晶體管振速度只有25GHz?,F在SiGe工藝又有改進(jìn),晶體管振蕩速度超過(guò)120GHz,單個(gè)樣管更高至200GHz,SiGe的BiCMOS的發(fā)展趨勢如圖1所示。
根據泰克的生產(chǎn)經(jīng)驗,10GHz測量系統的速度與單元晶體管速度之比約為10:1。預計Si的雙極和CMOS工藝已無(wú)希望,而轉為SiGe工藝尚待實(shí)踐,放棄熟悉的SiCMOS工藝,再投入可觀(guān)的研發(fā)經(jīng)費,需要科學(xué)的論證。終于,泰克方面邁開(kāi)重要的一步,放棄Si材料而使用SiGe,IC設計人員從頭學(xué)起,IBM方面對數字電路熟悉但缺乏雙極電路經(jīng)驗,而且泰克是第一家SiGe用戶(hù),合作只許成功不能失敗。IBM發(fā)揮SiGe優(yōu)勢,改進(jìn)工藝至綜合雙極和CMOS兼容,泰克發(fā)揮儀器電路的經(jīng)驗,改進(jìn)設計。雙方合作從1996年開(kāi)始,1997年進(jìn)入攻堅階段,2000年在IBM代號為“5HP”的制程基礎上獲得一批數字示波器前端高速I(mǎi)C,包括ADC為核心的輸入寬帶放大器、取樣保持電路、精確時(shí)鐘電路、波形處理用的DSP、高速存儲器、開(kāi)關(guān)陣列等關(guān)鍵器件。泰克公司在這些SiGe集成電路基礎上推出著(zhù)名的TDS7000系列數字熒光示波器,早期產(chǎn)品的ADC取樣率是1GS/S和分辨率8位,兩塊1GS/S利用時(shí)鐘移相T/2的插值法擴展成為取樣率2GS/S。
引用SiGe芯片,泰克“五年不鳴,一鳴警人”,一直保持數字示波器的領(lǐng)先地位,并且占有高檔數字示波器市場(chǎng)的50%以上的份額。IBM由于合作成功,繼續推廣SiGe工藝至其它RF器件并向第三方轉讓技術(shù)專(zhuān)利,使SiGe工藝更為成熟,運用它的第三代技術(shù)的“7HP”制程,為泰克制成取樣率8GS/S、10GS/S和20GS/S的分辨率8位ADC,以及10GHz以上寬帶探頭用放大器芯片?,F在測量?jì)x器業(yè)界公認SiGe制程是解決高速數字儀器前端ADC的優(yōu)選工藝,將會(huì )出現取樣率更高的ADC芯片。
安捷倫作為測量?jì)x器業(yè)巨頭,擁有自己的研發(fā)實(shí)驗室和獨立的半導體制造部門(mén),比泰克條件更優(yōu)越,但是產(chǎn)品也多種多樣,1998年脫離惠普公司獨立經(jīng)營(yíng)不久,儀器市場(chǎng)大起大落,高速數字示波器進(jìn)展緩慢,當泰克宣布推出TDS7000系列高檔數字示波器和SiGe高速ADC之后,安捷倫加緊開(kāi)發(fā)具有自身特點(diǎn)的相應產(chǎn)品。它的數字示波器前端模/數電路,由安捷倫實(shí)驗室設計和直屬半導體廠(chǎng)制造,綜合最擅長(cháng)的微波技術(shù)和高頻半導體技術(shù),分別發(fā)揮GaAs、SiGe、Si材料和CMOS、BiCMOS工藝的作用,制成混合集成電路模塊,密封在金屬法拉弟噪聲屏敝封裝內。模塊內安排有SiGe工藝的前端放大器,GaAs雙極觸發(fā)電路,GaAs步進(jìn)衰減器和限幅器,模塊核心電路由20個(gè)250MG/S的8位分辨率ADC塊組成5GS/S的ADC。由于250MG/S的ADC塊很容易用CMOS工藝實(shí)現,可以達到較高精度和較低噪聲,ADC前端的緩沖級采用SiGe工藝,并裝有2


關(guān)鍵詞: ADC 測試測量

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