飛兆針對電磁加熱提供抗雪崩能力

FGA25N120ANTD提供開(kāi)關(guān)和導通損耗之間最佳的性能權衡，并降低IH (電磁加熱)應用的工作溫度

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 的FGA25N120ANTD 1200V NPT溝道 IGBT結合業(yè)界最佳的抗雪崩能力和經(jīng)優(yōu)化的開(kāi)關(guān)和導通損耗性能權衡，能為電磁加熱 (IH) 應用提高系統可靠性和效率。FGA25N120ANTD 專(zhuān)為微波爐、IH電飯煲和其它IH炊具而設計，與上一代器件相比，它的工作溫度可降低達10℃，因而能夠延長(cháng)系統壽命。NPT溝道IGBT采用飛兆半導體的專(zhuān)利溝道技術(shù)和非穿通型 (NPT) 技術(shù)。這種優(yōu)化的單元設計和薄型晶圓制造工藝使得FGA25N120ANTD能夠耐受最大450mJ的雪崩能量，確保在異常的雪崩模式情況下仍能進(jìn)行無(wú)故障運作。

飛兆半導體功能功率部副總裁Taehoon Kim稱(chēng)：“在電磁加熱設備中，不穩定的功率、AC線(xiàn)路浪涌和系統故障會(huì )引起雪崩模式情況，導致機器瞬間失效。為了解決IH應用中的這些可靠性問(wèn)題，我們的新型1200V NPT溝道IGBT提供業(yè)界最佳的抗雪崩能力，還同時(shí)優(yōu)化性能方面的權衡，以降低工作溫度及提升總體系統效率?！?

FGA25N120ANTD的其它特性和系統優(yōu)勢包括：
?    低飽和電壓 (VCE(sat), typ = 2.0V @ IC = 25A 和 TC = 25