TD-SCDMA射頻功率放大器研究
TD-SCDMA(時(shí)分同步碼分多址接入)是第三代移動(dòng)通信三大主流標準之一,是我國具有自主知識產(chǎn)權的通信標準,它標志著(zhù)中國在移動(dòng)通信領(lǐng)域已經(jīng)進(jìn)入世界先進(jìn)行列,目前,TD-SCDMA的商用化進(jìn)程正在順利地進(jìn)行之中[1]。TD-SCDMA系統采用的是QPSK/8PSK調制,在高速的數據傳輸應用中,更是采用了如16QAM這樣的調制方式。這些調制方式都屬于非恒包絡(luò )調制。由于調制信號在幅度和相位上都存在誤差,用單純的相位誤差和頻率誤差已不足以反映信號的調制精度,于是引入了誤差矢量幅度(EVM)指標來(lái)衡量傳輸信號的質(zhì)量。在現代移動(dòng)通信系統中,EVM是衡量射頻功率放大器性能的重要指標之一[2-3]。在頻分雙工模式的移動(dòng)通信系統中,由于收發(fā)信的頻率是不同的,因此射頻功率放大器與接收機同時(shí)處于工作狀態(tài),影響射頻功率放大器EVM性能的主要因素是功率放大器的非線(xiàn)性特性以及傳輸信號的峰均比等。而在TD-SCDMA移動(dòng)通信系統中,由于采用時(shí)分雙工模式,收發(fā)信機不能同時(shí)工作,即用于發(fā)射信號的射頻功率放大器根據系統要求分時(shí)工作[4]。除上述因素會(huì )影響射頻功率放大器的EVM指標,本文通過(guò)對基于 Freescale 生產(chǎn)的LDMOS 晶體管MW6IC2240構成的射頻功率放大器研究,以及建立相應的電路模型,主要研究了射頻功率放大器的瞬態(tài)響應上升時(shí)間對其EVM性能的影響,根據仿真和測試結果,得到在TDD模式下影響射頻功率放大器EVM性能的電路參數,提出了改進(jìn)的TD-SCDMA射頻功率放大器電路系統設計,其EVM性能接近頻分雙工模式下的性能。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/84257.htmTD-SCDMA射頻功率放大器
TD-SCDMA不同于WCDMA、CDMA2000等第三代移動(dòng)通信體制,它采用了TDD模式,它的接收和發(fā)射是在同一個(gè)頻率下分時(shí)進(jìn)行的,這就需要用開(kāi)關(guān)來(lái)保證通信系統收發(fā)信號的正常切換。因此,時(shí)分雙工模式下的TD-SCDMA射頻功率放大器也不同于WCDMA和CDMA2000系統中的射頻功率放大器的工作狀態(tài),而是工作在時(shí)分雙工模式下,即只在系統發(fā)射信號的時(shí)隙內工作,在其他時(shí)隙內必須關(guān)閉,以避免系統自激。這不僅保證了系統的有序運行,也提高了系統效率和頻譜利用率。
射頻功率放大器的工作狀態(tài)是由其偏置來(lái)決定的。如果給功率放大器加一個(gè)固定的偏置電壓,則其一直處于導通狀態(tài),這里定義為常開(kāi)模式;而要使功率放大器工作在時(shí)分雙工模式下,可以通過(guò)控制功率放大器柵極偏置電壓來(lái)實(shí)現,該控制信號根據TD-SCDMA的物理信道信號特點(diǎn)來(lái)產(chǎn)生。
這里用Freescale的LDMOS功率放大晶體管MW6IC2240設計了一個(gè)輸出功率為2W的三載波TD-SCDMA功率放大器。MW6IC2240的功能框圖如圖1所示,它包含了兩級放大,其飽和輸出功率大于40W。
圖1中的VDS1和VDS2是功率放大器的漏極供電,這里加28V的固定電壓;VGS1和VGS2則是功率放大器柵極供電端,分別給其加上固定電壓和受系統控制的偏置電壓就能使其分別工作于常開(kāi)模式和時(shí)分雙工模式。通過(guò)實(shí)際測試,其常開(kāi)模式和時(shí)分雙工模式下的EVM指標如圖2所示。
從圖2中可以看出,隨著(zhù)輸出功率的增大,EVM指標不斷惡化,這是由于隨著(zhù)輸出功率接近功率放大器的1dB壓縮點(diǎn),非線(xiàn)性失真開(kāi)始明顯增大,非線(xiàn)性失真則會(huì )嚴重地影響EVM指標,這在其他許多文章中都有報道;這里主要研究功率放大器在時(shí)分雙工模式下(即正常工作模式)的EVM值總是比常開(kāi)狀態(tài)下的EVM值大,即功率放大器在時(shí)分雙工模式下工作對信號有所惡化,由圖2可以看出,功率放大器處于時(shí)分雙工模式下的EVM值比常開(kāi)模式時(shí)高大約0.5%(此時(shí)時(shí)分雙工方式下功率放大器的瞬態(tài)響應上升時(shí)間為1.5us)。下面主要分析產(chǎn)生這種差異的原因。
功率放大器的瞬態(tài)響應對EVM影響分析
功率放大器在時(shí)分雙工模式下與TD-SCDMA信號幀特點(diǎn)密切相關(guān)。TD-SCDMA的一個(gè)子幀的長(cháng)度為5ms,由7個(gè)常規時(shí)隙和3個(gè)特殊時(shí)隙組成,如圖3所示。這里主要考慮常規時(shí)隙:在TDMA信道上一個(gè)時(shí)隙中的信息格式稱(chēng)為突發(fā),TD- SCDMA系統采用的突發(fā)結構如圖3所示,突發(fā)由兩個(gè)長(cháng)度分別為352chip的數據塊、一個(gè)長(cháng)度為144chip的中間碼和一個(gè)長(cháng)度為16chip的保護時(shí)隙(GP)組成[5]。
由圖3可知,TD-SCDMA的常規時(shí)隙的最前面就是一個(gè)352chip的數據塊,其中包括了許多TD-SCDMA信號的系統信息。而射頻功率放大器對柵極輸入的脈沖偏置方波電壓總有一個(gè)瞬態(tài)響應,特別是上升時(shí)間的影響。于是產(chǎn)生了對TD-SCDMA信號削波的現象,會(huì )造成部分數據符號丟失,因此造成對 TD-SCDMA傳輸信號EVM指標的惡化。如圖2中的時(shí)分雙工模式下EVM指標就是在偏置電壓上升時(shí)間為1.5us情況下的測試數據。
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