韓國開(kāi)發(fā)出新技術(shù) 芯片工藝有望達到5納米

　  9月4日消息，韓國一個(gè)科學(xué)家小組最近表示，他們開(kāi)發(fā)出了一種新技術(shù)，為替代目前以硅為基礎的半導體產(chǎn)品開(kāi)辟了道路。 

　　據法新社報道，該小組已表示成功制造出了所謂的“Mott Insulator”(莫特絕緣體)，小組由電子與通信研究院(ETRI)的Kim Hyun-Tak牽頭。新材料是以獲得1977年諾貝爾物理獎的英國科學(xué)家Nevill Mott的名字命名的，盡管Mott insulators也屬于金屬，但它不能導電。然而，在高電壓狀態(tài)下，Mott insulators在相對較低的67攝氏度(華氏152.6度)下具有導電性能。 

　　ETRI院長(cháng)Lim Joo-Hwan表示，“硅物質(zhì)導電發(fā)熱的物理性質(zhì)使得芯片上無(wú)法建立超薄集成電路，然而Mott metals卻不會(huì )發(fā)熱?！?nbsp;

　　Kim Hyun-Tak表示，“20世紀在電子界風(fēng)靡一時(shí)的半導體最終將給Mott insulators讓路”。 

　　他表示，Mott insulators材料可開(kāi)創(chuàng )一下每年達1000億美元銷(xiāo)售額的全球市場(chǎng)，包括顯示器與大量新設備都可放棄硅半導體而選擇Mott insulators。 

　　他表示，使用Mott金屬絕緣體之后，芯片的工藝可能達到5納米制程，而目前的半導體芯片的制程理論可達到40納米，但當前市場(chǎng)上最領(lǐng)先的產(chǎn)品也使用90納米制造工藝。三星電子公司去年展示了全球最為先進(jìn)的閃存芯片技術(shù)，該芯片采用的是60納米工藝。

　　專(zhuān)家們提示，60納米很可能代表了硅元素半導體芯片的工藝極限。