Microsemi宣布推出新的1.7KW RF發(fā)生器參考設計工具套件

　　Irvine, CA, 2008年5月6日(首要的新聞專(zhuān)線(xiàn)，通過(guò)COMTEX新聞網(wǎng)絡(luò ))-- Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC)，一個(gè)領(lǐng)先的、高性能模擬和混合信號集成電路和高可靠性半導體器件制造商，宣布推出一個(gè)新的1.7KW推挽D類(lèi)參考設計工具套件，該設計工具套件使得RF設計工程師能夠立即對一個(gè)高效率、大功率的D類(lèi)RF 放大器進(jìn)行評估。

　　基于Microsemi DRF1300 驅動(dòng)器/MOSFET混合集成電路之上，這個(gè)新的參考設計工具套件為開(kāi)發(fā)大功率、高電壓的RF 發(fā)生器以及優(yōu)化等離子體發(fā)生器、開(kāi)關(guān)模式功率放大器、脈沖發(fā)生器、超聲波轉換器驅動(dòng)器、聲光模塊的效率和功率密度提供了一個(gè)重要的工具?！?/p>

產(chǎn)品的主要特性：
• 輸出功率超過(guò)1700 W
• D類(lèi)運行的效率高于80%
• 開(kāi)關(guān)頻率：13.56 MHz
• 電源電壓高達 250V 
• 內部MOSFET 的BV(DSS)額定值：500V
• 低成本的系統設計
• 適合于從電子管放大器轉變?yōu)楣虘B(tài)放大器

　　D類(lèi)放大器能夠提供線(xiàn)性放大器所不能提供的高效率。然而，許多工程師或者回避D類(lèi)放大器復雜的設計，或者不得已花費數月來(lái)學(xué)習它的基本原理。使用Microsemi新的DRF1300/D類(lèi)參考設計工具套件，可使工程師迅速克服高電壓D 類(lèi)設計中的 困難，節約數月的設計時(shí)間，避免無(wú)數反復的設計。

　　該工具套件的電路板以Microsemi DRF1300 驅動(dòng)器/MOSFET混合集成電路為核心，能夠獲得以往固態(tài)D類(lèi)放大器不可能實(shí)現的性能。DRF1300混合集成電路將二個(gè)驅動(dòng)器、二個(gè)高電壓MOSFET和內部旁路電容組合為一個(gè)推挽電路拓撲，成為一個(gè)高效率、高電壓和高成本效益的解決方案。因為該驅動(dòng)器與位置被優(yōu)化的旁路電容相組合，所以能夠在高于30MHz的頻率下驅動(dòng)高電壓的MOSFET。500V的MOSFET使之能夠應用于高電壓，從而極大地簡(jiǎn)化輸出匹配，并降低輸出連接網(wǎng)絡(luò )的復雜性。

　　這套新的Microsemi D類(lèi)參考設計工具套件包括：提供給設計者的應用指南，用來(lái)說(shuō)明如何通過(guò)一系列的各種不同輸出電壓，來(lái)確定安全轉換最大功率1700W到50歐姆負載所必需的合適輸出波形。同時(shí)，它還演示了如何在較低的1KW輸出下，達到高于90%的效率。它示范了在大功率D類(lèi)功放的設計中, 對電源旁路電容和高功功率電感設計的要求.套件還提供裝配齊全的電路板，該電路板安裝在一個(gè)機械加工的散熱器之上。

　　該D類(lèi)參考設計工具套件是非常通用的設計工具。在評估了采用預負荷500V、30A的DRF1300混合集成電路的一個(gè)設計之后，能夠很容易地用1000V、15A 的DRF1301驅動(dòng)器/MOSFET混合集成電路來(lái)改造這個(gè)設計，使之適用于需要更高電壓的應用。

　　DRF1300混合集成電路的特點(diǎn)是采用空氣腔-無(wú)凸緣的封裝，這種封裝比常規的塑料封裝具有更高的可靠性。因為無(wú)凸緣封裝使用熱膨脹系數(CTE)接近匹配的材料，所以可以減輕在功率循環(huán)期間內元器件之間的應力，使系統的可靠性最大化。在超過(guò)一百萬(wàn)次的循環(huán)中，演示了典型應用，其功率密度為 700W/平方英寸。由于無(wú)凸緣封裝設計的采用，不再需要通常在大功率RF封裝中使用的昂貴的銅-鎢翼板，因此也降低了成本。

　　目前，DRF1300/D類(lèi)參考設計工具套件已可供貨，單價(jià)為 $1600。并可提供DRF1300和DRF1301驅動(dòng)器/MOSFET混合集成電路的樣品。另外，對于批量為100 的DRF1300混合集成電路的訂貨，單價(jià)為$225.00。所有的器件都通過(guò)工廠(chǎng)或經(jīng)授權的Microsem RF產(chǎn)品批發(fā)商供貨。