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運算放大器電路固有噪聲的分析與測量 第八部分:爆米花噪聲(一)

作者:Art Kay,德州儀器 (TI) 高級應用工程師 www.ti.com.cn 時(shí)間:2008-05-15 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  本文將討論如何測量并辨別;以及相對于1/f 及寬帶噪聲的幅度;還有對特別敏感的諸多應用。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/82606.htm

  1/f 和寬帶噪聲的回顧

  討論以前,對時(shí)域和寬帶及1/f噪聲的統計表示法進(jìn)行回顧是非常有幫助的。1/f 和寬帶噪聲均具有高斯分布的特點(diǎn)。此外,在一個(gè)特定設計中,這些噪聲類(lèi)型都是一貫的并且是可以預見(jiàn)的。到目前為止,我們已經(jīng)從本文中了解了如何通過(guò)計算和仿真(圖 1-2)來(lái)預測噪聲級別。但是,這些方法均不能用于測量爆米花噪聲。

       

  圖 8.1 寬帶噪聲——時(shí)域及柱狀圖
 

        
        圖 8.2 1/f 噪聲——時(shí)域及柱狀圖

  何謂爆米花噪聲

  爆米花噪聲是一種在雙極晶體管基極電流中的突然階躍或跳躍,或 FET 晶體管閾值電壓中的一種階躍。之所以將其稱(chēng)為爆米花噪聲,是因為當通過(guò)揚聲器播放出來(lái)時(shí)其聽(tīng)起來(lái)類(lèi)似爆米花的聲音。這種噪聲也被稱(chēng)為猝發(fā)噪聲和隨機電報信號 (RTS)。爆米花噪聲出現在低頻率(通常為 f < 1kHz)下。每秒鐘可以發(fā)生數次猝發(fā),在極少數情況下,可能數分鐘才發(fā)生。

  圖 8.3 顯示了時(shí)域中的爆米花噪聲及其相關(guān)的統計分布情況。需要注意的是,噪聲級別的不同跳躍與分布峰值相對應。很明顯,該分布情況與非高斯爆米花噪聲相關(guān)。實(shí)際上,本例中顯示的分布情況為三條放置于彼此頂部的高斯曲線(xiàn)(三模分布)。出現這種情況的原因是,本例中的爆米花噪聲具有三個(gè)離散電平。各猝發(fā)間的噪聲為寬帶和 1/f 噪聲的組合。因此,該噪聲由三個(gè)不同的 1/f 及寬帶噪聲高斯分布組成,而 1/f 及寬帶噪聲又被爆米花噪聲轉換為不同的電平。


        
  圖 8.3爆米花噪聲時(shí)域及柱狀圖

  爆米花噪聲的起因

  人們認為,爆米花噪聲是由電荷陷阱或半導體材料中的微小缺陷引起的。我們已經(jīng)知道重金屬原子污染是引起爆米花噪聲的原因。在失效分析時(shí),專(zhuān)家通常會(huì )對具有較多爆米花噪聲的器件進(jìn)行仔細的檢查。失效分析將查找會(huì )引起爆米花噪聲的微小缺陷。圖 8.4 顯示了如何將一個(gè)正常晶體管與一個(gè)帶有晶體缺陷的晶體管進(jìn)行對比。

        

  圖 8.4 正常晶體管與帶有晶體缺陷的晶體管的比較

  這種問(wèn)題的普遍程度如何?

  爆米花噪聲與那些在半導體制造期間出現的問(wèn)題有關(guān)系。對許多現代工藝而言,爆米花噪聲的出現相對要少一些。一般而言,爆米花噪聲取決于不同的“批次”,即一些批次沒(méi)有爆米花噪聲,而其他批次可能會(huì )有一點(diǎn)。一批特別差的半導體可能會(huì )有百分之五的器件具有爆米花噪聲。在許多情況下,我們都可以找出引起爆米花噪聲的制造技術(shù)問(wèn)題。

  爆米花噪聲——究竟是電流噪聲還是電壓噪聲?

  在雙極晶體管中,爆米花噪聲以基極電流的一個(gè)階躍變化形式出現。因此,雙極運算爆米花噪聲通常表現為偏置電流噪聲。由于這一原因,雙極中的爆米花噪聲可能僅在高源阻抗應用中出現。

  在具有 JFET 輸入的雙極運算放大器中,偏置電流噪聲通常不是個(gè)問(wèn)題。在一些情況下,一個(gè)內部級雙極晶體管將會(huì )產(chǎn)生爆米花噪聲。這種爆米花噪聲表現為電壓噪聲。

  一般而言,MOSFET 放大器往往不總是產(chǎn)生爆米花噪聲。MOSFET 晶體管中的爆米花噪聲表現為閾值電壓的一個(gè)階躍。在運算放大器中,其將表現為電壓噪聲。

  電壓爆米花噪聲的試驗臺測試及生產(chǎn)測試

  在本文中,我們將討論如何實(shí)施爆米花噪聲的試驗臺測試和生產(chǎn)測試。試驗臺測試是小批量樣片器件測試工程實(shí)驗室中的一種測試方法。生產(chǎn)測試是使用自動(dòng)化測試設備對大批量器件進(jìn)行測試的一種測試方法。這兩種測試方法之間的主要不同之處在于生產(chǎn)測試需要的測試時(shí)間較短(通常為 t ≤ 1 秒)。生產(chǎn)測試時(shí)間需要較短的時(shí)間是因為生產(chǎn)測試時(shí)間成本非常高昂。在許多情況下,測試成本與半導體裸片的成本相當。

  圖 8.5 顯示了測量一款運算放大器 (U1) 電壓爆米花噪聲的試驗臺設置。需要注意的是,該放大器的非反相輸入被接地,因此該放大器的噪聲及 DC 輸出為增益乘以偏移,該噪聲進(jìn)而被 U2 放大。請注意,U1 和 U2 的增益均被設定為 100,即總增益為 100x100 = 10,000。這是一個(gè)典型的爆米花噪聲測量增益設置;但是,您可能會(huì )需要對這一設置進(jìn)行調整,以適用于您的應用。

  U2 輸出端的低通濾波器將帶寬限制在 100Hz。該濾波器消除了較高頻率噪聲,并顯示出爆米花噪聲(如果沒(méi)有出現爆米花噪聲則為 1/f 噪聲)。根據具體應用,可以在 10Hz 到 1000Hz 的范圍內,對這種濾波器進(jìn)行調節。一個(gè) 10Hz 低通濾波器具有一些衰減 60Hz 拾取的優(yōu)點(diǎn)。但是,其也有模糊一些高頻率猝發(fā)的缺點(diǎn)。一個(gè) 1000Hz 低通濾波器將捕獲高頻率猝發(fā),但同時(shí)也開(kāi)始含有極大的寬帶噪聲。100Hz 濾波器是一款介于 10Hz 和 1000Hz 濾波器的折中方案。但是,您可能想通過(guò)做實(shí)驗來(lái)觀(guān)察使用哪一種可以獲得測量的最佳結果。

       

  圖 8.5 測量運算放大器電壓爆米花噪聲的試驗臺測試

  U2 之后是一個(gè) 0.003Hz 的 HPF。該濾波器是使用一個(gè)陶瓷電容器和示波器輸入阻抗構建而成的。需要注意的是,并聯(lián)的數個(gè)小陶瓷電容器可用于構建大陶瓷電容器(例如:4 x 5uF)。該高通濾波器用于消除 DC 偏移,這種偏移將可能會(huì )比測量出的噪聲大得多。使用這種濾波器將允許使用最佳示波器范圍測量出噪聲信號。在本例中,DC 輸出偏移大約為 2V,該噪聲擁有一個(gè) 340mVpp 的幅度。0.003Hz HPF 不但去除了 2V DC 組件,而且還允許您在 200mV 示波器刻度上觀(guān)察 340mVpp 信號。

  利用輸入偏移并將其與總增益相乘,您就可以輕松地估計出可能的輸出偏移。圖 8.6 顯示了這種計算方法。需要注意的是,該輸出偏移沒(méi)有將運算放大器驅動(dòng)至電源軌(本例為 +/-15V)。如果輸出偏移接近電源軌,那么您將有必要減少增益或 U1 和 U2 之間的 AC 耦合。還需要注意的是,當該電路首次被上電時(shí),將需要對濾波器電容 C2 充電至輸出偏移電壓,這樣將需要大量的時(shí)間(大約為 5 分鐘)。圖 8.6 還給出了充電時(shí)間的計算方法。
 

       
  圖 8.6 運算放大器電壓爆米花噪聲試驗臺測試的相關(guān)計算

  圖 8.7 顯示了測量運算放大器 (U1) 電壓爆米花噪聲的生產(chǎn)設置。試驗臺測試設置和生產(chǎn)測試設置之間的主要區別在于生產(chǎn)測試中采用了數字濾波器。數字濾波器使用數學(xué)方法來(lái)過(guò)濾數字化數據。因此,這些數字濾波器不具備模擬濾波器的長(cháng)充電時(shí)間。這樣就保持了較短的測試時(shí)間(也即低了成本)。在本例中,該測試設備使用一個(gè)可編程增益放大器 (PGA) 來(lái)將噪聲放大到一個(gè)容易測量的級別?;?DAC 可以被用于消除輸出偏移。該最終測試方法是許多生產(chǎn)測試系統的典型方法。但是,這些方法將隨系統的不同而各異。

       

  圖 8.7 測量電壓爆米花噪聲的生產(chǎn)設置



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