CoolMOS CS服務(wù)器高壓功率晶體管應用高端電源

CoolMOS CS服務(wù)器高壓功率晶體管應用高端電源

　CoolMOS CS服務(wù)器系列高性能功率晶體管是英飛凌科技公司（Infineon）專(zhuān)門(mén)為計算機服務(wù)器，以及通信設備、平板顯示器等其他高功率密度應用而設計的。
　　這種全新的CoolMOS CS服務(wù)器系列MOSFET（金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管）成功跨越了所謂的“硅限制”，當采用標準TO 220封裝時(shí)，導通電阻為99 mΩ（毫歐），采用標準TO 247封裝時(shí)，導通電阻為45 mΩ，均為業(yè)界最低值；英飛凌電源管理部和驅動(dòng)技術(shù)市場(chǎng)經(jīng)理Fanny Dahlquist博士介紹說(shuō)，理想的高壓開(kāi)關(guān)MOSFET在導通時(shí)的導通電阻應為零，相反，在截止狀態(tài)下，它則應阻斷無(wú)限高壓，防止任何電流通過(guò)。而實(shí)際上，這是不可能的。通常情況下，如果電壓隔離能力提高一倍，導通電阻就會(huì )增加四倍，這種物理規律通常被稱(chēng)作硅限制。而英飛凌的研發(fā)人員卻通過(guò)高壓CoolMOS開(kāi)關(guān)的巧妙設計，成功地克服了這一嚴重阻礙?！盀榱耸闺娮璞M量接近零，我們不斷增加器件的導電電荷，然后再用相同數量的反極性電荷平衡這些電荷。我們利用一種非常精確的技術(shù)使兩種不同電荷在器件中各居其位，最后就可以獲得一份具有精密溝槽的結構。溝槽越精密，導通電阻越低。我們每開(kāi)發(fā)一代CoolMOS新產(chǎn)品，都會(huì )提高溝槽的精密度，在不會(huì )降低耐壓能力的條件下使導通電阻更接近于零?！?Fanny Dahlquist博士說(shuō)。
　　Fanny Dahlquist博士說(shuō)，CoolMOS CS也是目前市場(chǎng)上速度最快的功率開(kāi)關(guān)，其開(kāi)關(guān)速度為每納秒150 V（伏特），耐壓能力為600 V。利用CS技術(shù)，英飛凌成功實(shí)現了多種商業(yè)和工業(yè)應用電源解決方案的瘦身、功率密度提升和成本削減。CoolMOS CS服務(wù)器系列高性能功率晶體管是目前市場(chǎng)上唯一一種可實(shí)現最低導通和開(kāi)關(guān)損耗的MOSFET。與先前的CoolMOS C3系列相比，CS服務(wù)器系列可使功率密度提高到25W/inch³以上，并可進(jìn)一步實(shí)現輕載和滿(mǎn)載。英飛凌新推出的高壓功率MOSFET將使AC/DC電源更高效、更緊湊，使用也更方便。在當今能源緊缺的大環(huán)境下，電源的智能高效使用是必須的。

　　不久前在上海舉辦的慕尼黑電子展上，本刊記者在英飛凌的展臺上，看到該公司展示的一種適用于服務(wù)器電源的1000 W參考設計，該設計僅采用了一個(gè)99 mΩ CoolMOS CS功率晶體管。與采用并聯(lián)兩個(gè)標準250mΩ MOSFET的類(lèi)似電源相比，其效率可高出1.5個(gè)百分點(diǎn)，從而使系統的每瓦特成本降低了10個(gè)百分點(diǎn)。采用這種設計，設計師們就可以實(shí)現系統的小型化了。此外，英飛凌還示范了1500 W的功率因數校正（PFC）設計，這種設計采用一個(gè)99 mΩ CoolMOS CS功率晶體管，效率高達99％。
　　據悉，雅達電源公司最近選定英飛凌的CoolMOS CS服務(wù)器系列高性能功率晶體管作為其高端服務(wù)器應用的電源系統解決方案。雅達電源是標準制定者、修訂者以及AC/DC和DC/DC電源領(lǐng)域的領(lǐng)先供應商，特別是英飛凌最新的CS技術(shù)應用在雅達電源DS1300-3產(chǎn)品中，為其帶來(lái)了高效率和高功率密度。此款產(chǎn)品為AC到12VDC的大功率分布式開(kāi)關(guān)電源，實(shí)現了12.6W/inch³的功率密度。