飛兆半導體的Field Stop Trench IGBT提高感應加熱應用的效率并增強系統可靠性
飛兆半導體公司(Fairchild SemIConductor) 推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FTD 和 FGA15N120FTD,為電磁感應加熱應用的系統設計人員提供了高效的解決方案。這些IGBT同時(shí)采用Field Stop (場(chǎng)截止) 結構和抗雪崩的Trench gate (溝道柵) 技術(shù),可在傳導損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間提供最佳權衡,從而獲得最高的效率。與傳統的NPT-Trench IGBT器件相比,FGA20N120FTD可減小25% 的導通損耗、8% 的開(kāi)關(guān)損耗,并大幅降低系統工作溫度。由于冷卻要求降低,系統可靠性得以增強,系統總成本減小。這些器件還內置了專(zhuān)為零電壓開(kāi)關(guān) (ZVS) 技術(shù)而優(yōu)化的快速恢復二極管 (FRD),進(jìn)一步提高了可靠性。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/80328.htm飛兆半導體的FGA20N120FTD和 FGA15N120FTD一致的參數參數分布已經(jīng)增強的抗雪崩擊穿能力使得器件的性能一致并且降低器件的失效。這正是利用飛兆半導體創(chuàng )新的Field Stop結構和專(zhuān)有的先進(jìn)Trench gate單元設計的成果。
FGA20N120FTD 和 FGA15N120FTD的主要特性包括:
低開(kāi)關(guān)損耗,提高系統效率。
低飽和電壓,降低導通損耗。
內置專(zhuān)為ZVS拓撲而優(yōu)化的快速恢復二極管,有助于設計人員減少元件數目,同時(shí)進(jìn)一步確保系統可靠性。
一致的參數分布,減小性能變化。
出色的抗雪崩能力,延長(cháng)使用壽命。
FGA20N120FTD和FGA15N120FTD采用無(wú)鉛 (Pb-free) 引腳,潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標準對無(wú)鉛回流焊的要求。所有飛兆半導體產(chǎn)品均設計滿(mǎn)足歐盟有害物質(zhì)限用指令 (RoHS)的要求。
供貨: 現提供樣品
交貨期: 收到訂單后8周內
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