飛兆半導體推出40V P溝道PowerTrench MOSFET

　　飛兆半導體公司推出 40V P 溝道 PowerTrench MOSFET 產(chǎn)品 FDD4141，為功率工程師提供快速開(kāi)關(guān)的解決方案，可將開(kāi)關(guān)損耗減少達一半。FDD4141 具有低導通阻抗 (RDS(ON))，與目前的 MOSFET 比較能降低柵極電荷(QG) 達 50%，可讓便攜、計算、消費和家庭娛樂(lè )產(chǎn)品中的異步降壓、電池充電和逆變器開(kāi)關(guān)等應用，以更高的速度進(jìn)行切換，而不會(huì )產(chǎn)生過(guò)多的熱量?？焖匍_(kāi)關(guān)是步降轉換器等開(kāi)關(guān)速度需要達到數百 kHz 應用的必備條件。盡管其它 MOSFET 解決方案亦可在較高頻率下進(jìn)行切換，惟這些解決方案的柵極電荷較高，造成發(fā)熱更多、效率降低。

　　FDD4141采用飛兆半導體專(zhuān)有的 PowerTrench 工藝技術(shù)制造，可將負載電流更高的晶圓封裝在尺寸更小的封裝中。PowerTrench 技術(shù)將 N 溝道 MOSFET 的特性運用在 P 溝道 MOSFET 中，使到 P 溝道 MOSFET 具備 N 溝道 MOSFET 的性能，并表現出更低的 RDS (ON) 和更低的柵極電荷，繼而更高的效率，同時(shí)還能夠在數百 kHz 的高頻下切換，以達致步降轉換器的開(kāi)關(guān)要求。

　　FDD4141 是飛兆半導體廣泛全面的 PowerTrench MOSFET 產(chǎn)品組合的一部分，能夠滿(mǎn)足當今電子產(chǎn)品的電氣和熱性能要求，有助于實(shí)現能效目標。飛兆半導體性能先進(jìn)的 PowerTrench MOSFET 工藝技術(shù)能夠實(shí)現非常低的密勒電荷 (QGD)、RDS(on) 和總體柵極電荷 (QG) 值，當用于同步降壓應用時(shí)，可提供出色的開(kāi)關(guān)性能和熱效率。

　　FDD4141采用無(wú)鉛 (Pb-free) 端子，潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標準對無(wú)鉛回流焊的要求。所有飛兆半導體產(chǎn)品均設計滿(mǎn)足歐盟有害物質(zhì)限用指令(RoHS) 的要求。

　　供貨： 現提供樣品

　　交貨期： 收到訂單后8至10周內