RAMTRON推出2兆位 (Mb) 并行存儲器產(chǎn)品

    非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation推出2兆位 (Mb) 并行存儲器產(chǎn)品，進(jìn)一步擴展其高密度F-RAM系列。FM21L16是采用44腳TSOP-II封裝的3V、2Mb并行非易失性RAM，具有訪(fǎng)問(wèn)速度快、NoDelay 無(wú)寫(xiě)等待、無(wú)限次讀/寫(xiě)和低功耗等特點(diǎn)。FM21L16與異步靜態(tài)RAM (SRAM) 管腳兼容，其目標應用是以SRAM為基礎的工業(yè)控制、計量、醫療、汽車(chē)、軍事、游戲與計算機應用等。
   
    Ramtron 全球市場(chǎng)策劃部經(jīng)理Duncan Bennett稱(chēng)：“這是Ramtron與德州儀器 (TI) 合作推出的第二款高密度性能超群的F-RAM器件，是F-RAM存儲器系列的新一代產(chǎn)品。FM21L16提供了能替代MRAM、電池支持SRAM (BBSRAM) 及NVSRAM且別具成本優(yōu)勢的解決方案。除了低成本及小尺寸封裝之優(yōu)勢外，F-RAM較之于MRAM消耗更少的工作功耗與待機功耗，并且毋需像BBSRAM與NVSRAM那樣，需要使用后備電池或板載電容器來(lái)備份數據?！?BR>   
    FM21L16特點(diǎn)
   
    FM21L16是128K x 16 非易失性存儲器，采用工業(yè)標準并行接口，能以總線(xiàn)速度進(jìn)行讀寫(xiě)操作，使用壽命超過(guò)100萬(wàn)億次寫(xiě)入和超過(guò)10年的數據保存能力。該器件的存取時(shí)間為60ns，周期為110ns，內置先進(jìn)的寫(xiě)保護配置以避免意外的寫(xiě)操作及數據損壞。
   
    2Mb F-RAM是標準異步SRAM的直接替代產(chǎn)品，而毋需電池進(jìn)行數據備份，從而顯著(zhù)改進(jìn)系統結構與可靠性。與電池支持的SRAM不同，FM21L16是真正的表面貼裝解決方案，不需要提供附加電池的重寫(xiě)入操作，且防止潮濕、沖擊和振動(dòng)的危害。
   
    FM21L16具備能與當前高性能微處理器相連的工業(yè)標準并行接口，兼具高速頁(yè)面模式，能夠實(shí)現每秒80兆字節的峰值帶寬，是市場(chǎng)上速度最快的非易失性存儲器方案之一。該器件較標準SRAM具有更低的工作電流，讀/寫(xiě)操作時(shí)為18mA，在超低電流睡眠模式下僅為5uA。FM21L16在整個(gè)工業(yè)級溫度范圍內      (-40℃至 +85℃) 于2.7至3.6V電壓下工作。
   
    供貨
   
    采用符合RoHS要求44腳TSOP-II封裝的FM21L16現已提供樣品。