飛兆半導體推出3G射頻功率放大器

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出PowerEdge™雙頻帶(WCDMA/ UMTS) RF功率放大器模塊 (PAM)，可將效率 (PAE) 提高至42％，大大超越同類(lèi)型產(chǎn)品。飛兆半導體的RMPA2265是第一個(gè)3x3 mm LCC 封裝,可于1850-1910 MHz 和1920-1980 MHz兩個(gè)頻帶工作的3G 射頻放大器模塊，其面積較4x4 mm封裝縮小約44％。RMPA2265可滿(mǎn)足當今3G移動(dòng)電話(huà)、PDA和無(wú)線(xiàn)PC數據卡等產(chǎn)品設計對射頻功放 高效率、靈活的頻率特性和更小尺寸的要求。RMPA2265還合乎新興的高速下行鏈路分組接入 (HSDPA) 標準。

飛兆半導體RF功率產(chǎn)品部總經(jīng)理Russ Wagner稱(chēng)：“飛兆半導體的PowerEdge雙頻帶功率放大器模塊可讓OEM廠(chǎng)商設計更新的產(chǎn)品，為客戶(hù)提供更多的頻帶選擇，并可大大擴展覆蓋范圍。鑒于手機的功能不斷聚合，而且需要更高的電源效率，RMPA2265可在業(yè)界最小的封裝內提供多項優(yōu)異特性，包括減少線(xiàn)路板空間需求、延長(cháng)通話(huà)時(shí)間及增加雙頻帶靈活性?！?/p>

RMPA2265的卓越線(xiàn)性和高功率增加效率是通過(guò)飛兆半導體專(zhuān)有的InGaP異質(zhì)結雙極晶體管 (HBT) 技術(shù)來(lái)實(shí)現。該器件帶有可選的高/低功率模式，用于進(jìn)一步優(yōu)化電流消耗。這種兩階功率放大器可在內部將輸入和輸出阻抗匹配至50歐姆，從而減少外部器件數目，簡(jiǎn)化設計要求。

RMPA2265是無(wú)鉛器件，能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020B標準要求，并符合現已生效的歐盟標準。

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