SanDisk閃存繼續降價(jià) 56nm量產(chǎn)指日可待

今年第一季度NAND閃存出現了產(chǎn)能過(guò)剩的情況，尤其是多層單元NAND閃存，價(jià)格也隨之大幅度下跌，這對新達公司的影響很大。一季度他虧損57萬(wàn)5000美元，而去年同期是盈利3510萬(wàn)美元。今年一季度毛利潤率為14.2%，去年則為28.4%。存儲卡平均容量達到了1231MB，年增長(cháng)率為87%，季度增長(cháng)率 為11%。而每MB平均價(jià)格年下跌率為62%，季度下跌率為23%。

對于出現這種局面的原因，公司主席兼首席執行官Eli Harari解釋說(shuō)芯片制造商處在單層單元閃存到多層單元閃存的換代中，老型號的清倉導致了新型號的NAND閃存的積壓。但是這種不平衡會(huì )很快消失，價(jià)格也會(huì )回到正常水平上來(lái)。新達公司所產(chǎn)芯片的99%都是多層單元結構的?，F在多層單元結構產(chǎn)品的價(jià)格已經(jīng)回到正常水平了，但是仍有很多多層單元結構NAND芯片流入市場(chǎng)，價(jià)格仍會(huì )波動(dòng)?，F有庫存都售出后，價(jià)格才會(huì )真正穩定在合理水平。

Harari說(shuō)雖然現在可以看到價(jià)格回升的曙光，但仍要降價(jià)，因為市場(chǎng)占有率對新達公司來(lái)說(shuō)太重要了。我們雖然在第一季度也進(jìn)行了大幅度的降價(jià)，但幅度仍不及競爭對手，我們因此失去了北美的部分零售市場(chǎng)。

新達公司目前正在加緊研制56nm 閃存的步伐。公司已經(jīng)開(kāi)始在3號工廠(chǎng)開(kāi)始進(jìn)行56nm芯片的批量生產(chǎn)，容量有16GB與8GB兩種。他預測容量高達8Gb和16Gb的芯片在今年第四季度會(huì )成為市場(chǎng)的主流。

3號工廠(chǎng)計劃2007年內加工15萬(wàn)枚晶圓，超過(guò)了原先13萬(wàn)6千的計劃。而據Harari所說(shuō)4號工廠(chǎng)會(huì )在2008年的上半年也投入這些產(chǎn)品的生產(chǎn)。除了56nm的計劃外，新達公司還打算在2008年上半年開(kāi)始研發(fā)45nm閃存的產(chǎn)品。