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安森美半導體過(guò)壓保護IC用于便攜充電
作者：eaw
時(shí)間：2005-04-28
來(lái)源：eaw
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安森美半導體推出的NCP346過(guò)壓保護電路，采用強化BiCMOS工藝制造，可在少于1ms內關(guān)斷一系列PFET且可承受高達30V的過(guò)壓瞬變(或25V穩態(tài)電壓）。此器件的檢測臨界為4.45V 或5.5V，具有優(yōu)良的電壓能力且關(guān)斷速度比標準CMOS監測電路更快，適用于手機、數字相機、便攜計算機、PDA和便攜式CD播放機。 www.onsemi.com
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