ST推出2位每單元的256兆位NOR 3G手機閃存

    2005年2月22日世界最大的多應用NOR閃存芯片供應商之一的意法半導體公司今天公布一個(gè)256兆位的NOR閃存芯片，新產(chǎn)品采用經(jīng)過(guò)驗證的2位每單元存儲結構，能夠在小尺寸芯片上提高存儲密度。ST的 M30L0R8000x0是2位每單元產(chǎn)品系列的第一款產(chǎn)品，這個(gè)產(chǎn)品系列還包括一個(gè)128兆位的IC，目前512兆位的芯片在開(kāi)發(fā)之中。
新的256兆位閃存芯片為高性能代碼執行和數據存儲專(zhuān)門(mén)設計，目標應用是第三代(3G)手機市場(chǎng)。在3G市場(chǎng)上，復雜程度越來(lái)越高的應用和多媒體功能要求在一個(gè)物理面積很小的芯片上能夠提供巨大的存儲容量，而2位每單元技術(shù)將硅存儲陣列的容量擴大一倍，從而大幅度縮小了芯片的尺寸和封裝。
    M30L0R8000x0采用ST最先進(jìn)的0.13微米制造技術(shù)，并采用尺寸緊湊的片級8x10mm TFBGA（薄型細節距焊球網(wǎng)格陣列）封裝。新器件的工作電源電壓1.8V（還有輸入輸出3V的產(chǎn)品），系統功耗很低，兼容最新的手機設計。ST是一個(gè)大型的存儲器供應商，特別是在1.8V 手機NOR閃存市場(chǎng)上實(shí)力雄厚，新的芯片系列將會(huì )補充ST的移動(dòng)應用產(chǎn)品，使本來(lái)產(chǎn)品種類(lèi)已經(jīng)很齊全的產(chǎn)品變得更加完整。
    ST還是多片封裝MCP的知名供應商，MCP是在同一封裝內集成不同類(lèi)型的存儲器，以提高產(chǎn)品的可靠性，節省制造商的電路板空間。在可預見(jiàn)的未來(lái)，新的芯片預計采用MCP的方法集成PSRAM 和 LPSDRAM芯片，以滿(mǎn)足第三代手機的需求。
    新器件兼容上一代的1位每單元產(chǎn)品，并在片內執行多電平單元結構所需的處理功能。新產(chǎn)品采用非對稱(chēng)塊存儲結構，分為16兆位的存儲體和1個(gè)靈活的塊鎖定機制；其中15個(gè)存儲體中每個(gè)包含16個(gè)主塊，每塊由64千字組成；而1個(gè)參數體則包含15個(gè)主塊加上4個(gè)參數塊，這些參數塊或者位于存儲地址空間的頂部(M30L0R8000T0)或底部(M30L0R8000B0)。
    在異步頁(yè)讀取模式下，連續字讀取時(shí)間20ns；而在同步突發(fā)讀取模式下，每時(shí)鐘周期數據輸出頻率高達66MHz；突發(fā)讀取可以跨躍體的界限操作，具有讀取暫停和繼續功能。M30L0R8000x0的多體存儲結構支持讀寫(xiě)同步，即在讀取一個(gè)存儲體的同時(shí)，可以擦寫(xiě)另一個(gè)存儲體，讀寫(xiě)之間沒(méi)有任何延時(shí)。
    每個(gè)塊可以單獨擦除；為了在另一個(gè)塊上進(jìn)行讀寫(xiě)操作，可以暫停在當前塊上的擦除操作，等讀寫(xiě)完成后再繼續擦除操作?？梢詴和Ｔ诋斍皦K上的寫(xiě)操作，以便在其它任何一個(gè)存儲單元上讀取數據。每塊可以讀寫(xiě)100,000次以上，“緩存增強型出廠(chǎng)編程” (BEFP)提供高速編程功能，采用9V快速編程電源電壓，每字典型編程時(shí)間10微秒。
    存儲器的指令集兼容業(yè)內廣泛認可的JEDEC通用閃存接口（CFI）協(xié)議，從而確保不同類(lèi)型的閃存之間相互兼容。安全性能包括一個(gè)出廠(chǎng)前編程的64位的唯一設備序列號和一個(gè)2112位用戶(hù)編程O(píng)TP（一次性編程）單元。為降低移動(dòng)應用的功耗，新產(chǎn)品還提供一個(gè)自動(dòng)待機模式，在異步讀取期間，當總線(xiàn)處于非活動(dòng)狀態(tài)時(shí)，它可以自動(dòng)切換到待機模式。