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“十一五”我國將建立完善集成電路產(chǎn)業(yè)鏈

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作者: 時(shí)間:2007-03-19 來(lái)源: 收藏
  “十五”期間,在18號文件政策的引導和應用市場(chǎng)的帶動(dòng)下,我國集成電路產(chǎn)業(yè)規模迅速擴大,技術(shù)水平不斷提高,產(chǎn)業(yè)體系日趨完善,實(shí)現了較快發(fā)展。 

  但我國集成電路產(chǎn)業(yè)仍存在許多問(wèn)題和矛盾,與信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展要求仍存在相當差距?!?a class="contentlabel" href="http://dyxdggzs.com/news/listbylabel/label/十一五">十一五”是我國全面建設小康社會(huì )的重要時(shí)期,也是信息產(chǎn)業(yè)強國戰略的重要起步期,在這種新的形勢下,我們要推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)實(shí)現又好又快發(fā)展。 

  優(yōu)先發(fā)展集成電路設計業(yè) 

  “十五”期間,國家頒布了《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》及《集成電路產(chǎn)業(yè)研究與開(kāi)發(fā)專(zhuān)項基金管理暫行辦法》等一系列政策措施,為國內集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展營(yíng)造了良好的環(huán)境,有力地促進(jìn)了集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,我國集成電路設計業(yè)得到長(cháng)足進(jìn)步。 

  “”期間我們仍將堅持以集成電路設計業(yè)為龍頭,繼續加大支持力度,完善相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策、法規的制定和落實(shí),加快出臺《進(jìn)一步促進(jìn)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)的若干政策》,力爭出臺軟件與集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)條例,為集成電路設計業(yè)的發(fā)展提供良好的政策氛圍。 

  “”期間要大力推進(jìn)集成電路設計企業(yè)和整機應用廠(chǎng)商之間的合作,推動(dòng)新技術(shù)的廣泛應用,以應用促發(fā)  
展。加快建設企業(yè)為主體、社會(huì )各界參與的集成電路共性技術(shù)研發(fā)和公共服務(wù)平臺,促進(jìn)企業(yè)間聯(lián)合開(kāi)發(fā)。充分發(fā)揮行業(yè)協(xié)會(huì )的橋梁紐帶作用,鼓勵企業(yè)成立各類(lèi)技術(shù)合作機構,共同推進(jìn)新技術(shù)研發(fā)和標準的制定。 

  重視專(zhuān)利和標準作用,努力提升專(zhuān)利數量和質(zhì)量,研發(fā)一批擁有自主知識產(chǎn)權的核心關(guān)鍵技術(shù)。將涉及國家經(jīng)濟和國防安全等重要領(lǐng)域的核心關(guān)鍵技術(shù)開(kāi)發(fā)納入到國家總體發(fā)展規劃。加快啟動(dòng)國家科技和產(chǎn)業(yè)化重大專(zhuān)項,實(shí)現重點(diǎn)突破。 

  堅持市場(chǎng)導向、企業(yè)運作、政府引導的原則,集中力量培育有核心競爭力的骨干企業(yè)。積極支持企業(yè)根據自身發(fā)展的要求,以市場(chǎng)為導向,以資本為紐帶,進(jìn)行跨行業(yè)、跨部門(mén)、跨地區、跨所有制的收購、兼并、重組,形成一批擁有著(zhù)名品牌和自主知識產(chǎn)權、主業(yè)突出、核心技術(shù)開(kāi)發(fā)水平較高、市場(chǎng)競爭力強的優(yōu)勢企業(yè)。 

  積極發(fā)展集成電路制造業(yè) 

  我國要想提高集成電路產(chǎn)業(yè)控制力,需要從產(chǎn)業(yè)模式上取得突破,積極發(fā)展集成器件制造模式,從制造入手,進(jìn)而向產(chǎn)業(yè)鏈兩端延伸,形成完整的集成電路制造體系。 

  目前我國集成電路芯片制造業(yè)缺乏成熟的工藝制造技術(shù)?!笆晃濉逼陂g,我們要積極開(kāi)發(fā)90nm、60nm乃至45nm的高速、低功耗芯片和新型硅基集成電路的制造工藝技術(shù),研究新型的光刻及離子注入技術(shù),縮小技術(shù)差距。鼓勵12英寸高水平生產(chǎn)線(xiàn)建設;推動(dòng)現有生產(chǎn)線(xiàn)的技術(shù)升級,支持“909”工程升級改造,增強產(chǎn)業(yè)控制力。 

  在“十一五”期間,要努力把握未來(lái)國內外超大規模集成電路的發(fā)展趨勢,掌握標準工藝IP核的國內外市場(chǎng)需求,加大對處理器、存儲器等關(guān)鍵IP核的開(kāi)發(fā),為我國超大規模集成電路IP核系列的開(kāi)發(fā)探索有效途徑;啟動(dòng)軟/硬件協(xié)同設計、IP復用和與SoC相關(guān)的新工藝、新器件及可*性領(lǐng)域中若干關(guān)鍵技術(shù)的預研;推動(dòng)國家IP庫的建立,并做好后續的維護升級及專(zhuān)利保護工作。 

  提升封裝測試能力 

  大力發(fā)展BGA、CSP、MCP、MCM、MEMS等高密度封裝技術(shù)勢在必行,要著(zhù)力提升我國封裝業(yè)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化水平。 

  “十一五”期間,要加大研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化投入,提高和完善開(kāi)發(fā)環(huán)境和手段,加快新型封裝材料的發(fā)展,逐步改變目前基本依賴(lài)進(jìn)口的局面。 

  高密度集成電路封裝對測試技術(shù)提出了更加嚴格的要求。測試技術(shù)更多地固化在測試儀器內?!笆晃濉逼陂g要重點(diǎn)推進(jìn)新型測試設備的研發(fā),不斷提高測試效率和精度。 

  增強關(guān)鍵設備和材料開(kāi)發(fā)能力 

  重點(diǎn)開(kāi)發(fā)12英寸硅拋光片和8英寸、12英寸硅外延片,鍺硅外延片,SOI材料,寬禁帶化合物半導體材料,新型互連材料等材料;努力掌握6-8英寸集成電路設備的制造技術(shù);力爭實(shí)現12英寸65納米激光步進(jìn)光刻機、大角度傾斜大劑量離子注入機、金屬氧化物化學(xué)氣相沉積設備,高密度等離子體刻蝕機、大尺寸擴散爐等重大關(guān)鍵裝備的產(chǎn)業(yè)化;加強企業(yè)和研發(fā)中心之間的合作。 

  在6-8英寸用光刻機、刻蝕機、離子注入機、立式擴散爐、快速熱處理設備,氧化擴散設備、化學(xué)腐蝕設備、硅片清洗設備、劃片機、鍵合機、集成電路自動(dòng)封裝系統等設備實(shí)用化的基礎上,提供批量供應。對用量較大的光刻膠、清洗、刻蝕試劑化學(xué)拋光液等,力爭在“十一五”期間實(shí)現產(chǎn)業(yè)化。 

  “十一五”期間,建立完善的是產(chǎn)業(yè)持續健康發(fā)展的核心任務(wù)。全行業(yè)要以芯片設計為突破口,并以芯片制造作為重點(diǎn),以關(guān)鍵設備和材料為基礎,積極發(fā)展集成電路封裝業(yè),推進(jìn)各環(huán)節協(xié)調發(fā)展,盡快建立起植根于國內、具有核心競爭能力的產(chǎn)業(yè)體系。  



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