意法半導體（ST）推出世界首款1500V超結功率MOSFET，實(shí)現更環(huán)保、更安全的電源應用

　　意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實(shí)現產(chǎn)品效能最大化，同時(shí)提升工作穩健性和安全系數。MDmeshTM K5產(chǎn)品是世界首款兼備超結技術(shù)優(yōu)點(diǎn)與1500V漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)的晶體管，并已贏(yíng)得亞洲及歐美主要客戶(hù)用于其重要設計中。

　　新產(chǎn)品瞄準計算機服務(wù)器及工業(yè)自動(dòng)化市場(chǎng)。服務(wù)器要求更高的輔助開(kāi)關(guān)式電源輸出功率，同時(shí)電源穩健性是最大限度減少斷電停機時(shí)間的關(guān)鍵要素，電焊、工廠(chǎng)自動(dòng)化等工業(yè)自動(dòng)化應用也需要更大的輸出功率。這些應用的輸出功率在75W至230W之間或更高，超結MOSFET技術(shù)的出色動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)性能使其成為工業(yè)應用的最佳選擇。

　　意法半導體的MDmesh K5功率MOSFET系列將此項技術(shù)提升至一個(gè)全新的水平，單位面積同態(tài)電阻(Rds(on))和柵電荷量(Qg)均創(chuàng )市場(chǎng)最低，并擁有業(yè)界最佳的FoM(質(zhì)量因數)[1]。新產(chǎn)品是時(shí)下主流電源拓撲的理想選擇，包括標準準諧振(quasi-resonant)有源鉗位反激式轉換器以及LLC[2]半橋式轉換器，均需要寬輸入電壓、高能效(高達96%)以及輸出功率近200W的電源。

　　該系列先推出的兩款產(chǎn)品是STW12N150K5和STW21N150K5，其最大漏源電流分別達到7A和14A，柵電荷量?jì)H為47nC(STW12N150K5)或通態(tài)電阻僅為0.9Ω(STW21N150K5)。兩款產(chǎn)品均已量產(chǎn)，采用TO-247封裝。