覆蓋TD-SCDMA雙頻段的大功率330W LDMOS

　　國際領(lǐng)先的微波半導體器件制造廠(chǎng)商英飛凌推出了可以覆蓋TD-SCDMA 兩個(gè)頻段的大功率330W LDMOS，器件型號為PXAC203302FV。該器件適用于1880-2025MHz頻段，可以用于基站多載波射頻功率放大器。PXAC203302FV采用非對稱(chēng)Push-Bull結構，載波功放130W，峰值功放200W，在非對稱(chēng)Doherty功放中可以實(shí)現更高的效率。

　　PXAC203302FV特性：

　　寬帶內部輸入、輸出匹配

　　適用于非對稱(chēng)Doherty設計：Main: 130W, Peak: 200W

　　28V，2025MHz，Doherty結構CW測試性能

　　輸出P1dB=250W，效率=55%，Gain=16dB

　　可以承受10:1 VSWR 駐波比失配@28V，250W 輸出

　　Human Body Model Class 2 (per ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)

　　內部集成ESD保護

　　低熱阻

　　無(wú)鉛，符合RoHS標準

　　表1. PXAC203302FV 射頻性能

　　圖1.PXAC203302FV ACPR &Eff

　　圖2.PXAC203302FV Gain &Eff

　　PXAC203302FV 采用H-37275-4封裝，整體尺寸僅為32.6mm×16.6mm，這為縮小板面積提供了便利。得益于英飛凌先進(jìn)的LDMOS制造工藝，PXAC203302FV具有良好的熱性能、可靠性以及堅固耐用性。