Fairchild大幅降低IGBT損耗，助力工業(yè)和汽車(chē)應用中效率的提升

　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ： FCS)大幅降低其第四代650V和1200V IGBT損耗，降幅達30%。Fairchild采用工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)中專(zhuān)為高/中速開(kāi)關(guān)應用設計的新方案，提供了行業(yè)領(lǐng)先的性能水平，同時(shí)具有極強的閂鎖效應，確保了優(yōu)異牢固性和可靠性。Fairchild將在2015 亞洲PCIM中演示各種應用的測試結果和方案。

　　高級IHS分析師Victoria Fodale說(shuō)道：“制造商對于更先進(jìn)技術(shù)的IGBT非常感興趣，因為哪怕是IGBT開(kāi)關(guān)損耗的微小下降也可幫助制造商提高產(chǎn)品效率。最大限度降低功率損耗必然是各種應用領(lǐng)域達到最高效率的關(guān)鍵因素，包括電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能系統、高效HVAC應用以及工業(yè)變頻器。”

　　Fairchild采用先進(jìn)的高密度孔距、自平衡晶胞結構以及新的自對齊接觸技術(shù)，在整個(gè)工作溫度范圍-40º C至175º C之間達到超高電流密度和卓越的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)性能。新設計使第四代IGBT具備極低的飽和電壓(Vce(sat) = ~ 1.65V)和低開(kāi)關(guān)損耗(Eoff = 5µJ/A)的權衡特性，幫助客戶(hù)提高系統效率。Fairchild還與新一代產(chǎn)品一同提供了功能強大的設計和仿真基礎結構套件，并針對所有低/高電壓功率器件進(jìn)行了校準。

　　Fairchild的Thomas Neyer說(shuō)：“Fairchild的新方案包括通過(guò)超細單元柵距設計實(shí)現的超高電子注入效率以及受新緩沖器結構限制的空穴載流子的注入。這些優(yōu)勢顯著(zhù)提高性能，我們的IGBT讓Fairchild 能夠為制造商提供新的高效大功率控制解決方案。”

　　在6月25日周四12:30至14:00于上海世博展覽館的Floyer房間和會(huì )議中心，我們將在海報演示環(huán)節中介紹兩個(gè)關(guān)于IGBT的論文。

　　- 《具有高性能和加強免閉鎖功能的第四代場(chǎng)截止IGBT》(演講人：Kevin Lee)

　　- 《在感性負載開(kāi)關(guān)的低電流關(guān)斷瞬間，關(guān)于場(chǎng)截止IGBT (FS IGBT) VCE斜率的研究》 (演講人：Rafael Lim)

　　Fairchild FS4 IGBT的產(chǎn)品系列詳情，將于2015年第四季度發(fā)布。更多內容，包括詳細介紹Fairchild FS4 IGBT技術(shù)的白皮書(shū)，可在Fairchild的 IGBT產(chǎn)品信息頁(yè)面找到。